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肖特基二极管异常击穿特性曲线的研究
1
作者
刘法斌
张平
+1 位作者
周明
董军
《山东电子》
2001年第2期36-37,共2页
本文简述了肖特基二极管的原理，结构、性能特点，分析了生产中经常出现的异常击穿特性曲线，并提出了相应的改进措施。
关键词
肖特基势垒二极管
硅化物
异常击穿特性曲线
保护环
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职称材料
题名
肖特基二极管异常击穿特性曲线的研究
1
作者
刘法斌
张平
周明
董军
机构
济南半导体元件实验所
济南大学
出处
《山东电子》
2001年第2期36-37,共2页
文摘
本文简述了肖特基二极管的原理，结构、性能特点，分析了生产中经常出现的异常击穿特性曲线，并提出了相应的改进措施。
关键词
肖特基势垒二极管
硅化物
异常击穿特性曲线
保护环
Keywords
Schottky barrier diodes Silicide Abnormal breakdown diagram Guard-ring
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
肖特基二极管异常击穿特性曲线的研究
刘法斌
张平
周明
董军
《山东电子》
2001
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