-
题名微波宽带高效率GaN MMIC功率放大器设计
- 1
-
-
作者
刘宪锁
徐跃杭
-
机构
电子科技大学电子工程学院
-
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2016年第S1期310-312,共3页
-
基金
国家自然科学基金(61474042)
中国博士后基金(2015M570775
+2 种基金
2014M55233
2016T90844)
国家重大专项
-
文摘
本文基于国产SiC衬底的0.25um GaN HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率GaN MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的该MMIC功率放大器在2-6GHz范围内,输出功率大于36d Bm,增益大于21d B,功率附加效率(PAE)大于41%,其中输入功率为15d Bm,Vgs1=-1.5V,Vgs2=-2V,Vds=28V。整体版图尺寸3.5×2.4mm。
-
关键词
GAN
MMIC
功率放大器
宽带
高效率
-
Keywords
GaN MMIC
power-amplifier
wideband
high-efficency
-
分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
-
