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一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关
被引量：
3
1
作者
刘宇辙
梁晓新
+1 位作者
万晶
阎跃鹏
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2016年第3期1-5,10,共6页
利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏...
利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏置点的关系,把开关偏置在最佳偏置点,能显著提升功率容量.所设计的开关,在DC-6GHz范围内,插入损耗小于0.55dB,隔离度大于24dB.在(-7.5V/7.5V)控制电压下,输入1dB压缩点大于34dBm,可用于6GHz频率范围内的各种应用.提出的利用键合线提升开关射频性能的思想,可用于指导开关及其封装的设计.
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关键词
射频开关
单刀双掷(SPDT)
PHEMT
低插入损耗
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职称材料
封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)
被引量：
2
2
作者
苏黎明
杨洪文
+2 位作者
刘宇辙
孙征宇
阎跃鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期419-423,共5页
描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电...
描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电源5 V正压控制,具有使能控制端和全关状态,且控制电平与TTL/CMOS输出电平相兼容。芯片采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)形式进行封装,设计中通过三维电磁仿真工具HFSS分析了由封装引入的寄生参数的影响,并提取π型网络进行等效建模。该开关工作在DC～4 GHz频段插入损耗小于1.5 dB,隔离度高于45 dB。仿真结果与实测结果基本一致。
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关键词
单刀双掷(SPDT)
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
MSOP8封装
高隔离度
吸收式
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职称材料
基于HFSS和ADS的新型功率放大器联合仿真设计
被引量：
2
3
作者
贲志红
李跃华
+2 位作者
杨敏
万晶
刘宇辙
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第S2期143-145,共3页
针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法。将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合AD...
针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法。将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益。此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度。
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关键词
射频集成电路
寄生效应
板级建模
阻抗匹配
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职称材料
题名
一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关
被引量：
3
1
作者
刘宇辙
梁晓新
万晶
阎跃鹏
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2016年第3期1-5,10,共6页
基金
国家科技重大专项(2013ZX0300600F002)
文摘
利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏置点的关系,把开关偏置在最佳偏置点,能显著提升功率容量.所设计的开关,在DC-6GHz范围内,插入损耗小于0.55dB,隔离度大于24dB.在(-7.5V/7.5V)控制电压下,输入1dB压缩点大于34dBm,可用于6GHz频率范围内的各种应用.提出的利用键合线提升开关射频性能的思想,可用于指导开关及其封装的设计.
关键词
射频开关
单刀双掷(SPDT)
PHEMT
低插入损耗
Keywords
radio frequency switch
SPDT
PHEMT
low insertion loss
分类号
TN710.2 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)
被引量：
2
2
作者
苏黎明
杨洪文
刘宇辙
孙征宇
阎跃鹏
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期419-423,共5页
基金
National Natural Science Foundation of China(61271423)
文摘
描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电源5 V正压控制,具有使能控制端和全关状态,且控制电平与TTL/CMOS输出电平相兼容。芯片采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)形式进行封装,设计中通过三维电磁仿真工具HFSS分析了由封装引入的寄生参数的影响,并提取π型网络进行等效建模。该开关工作在DC～4 GHz频段插入损耗小于1.5 dB,隔离度高于45 dB。仿真结果与实测结果基本一致。
关键词
单刀双掷(SPDT)
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
MSOP8封装
高隔离度
吸收式
Keywords
single pole double throw（SPDT）
pseudomorphic high electron-mobility transistor（PHEMT）
8-lead mini small outline package（MSOP8）
high isolation
non-reflective
分类号
TN63 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于HFSS和ADS的新型功率放大器联合仿真设计
被引量：
2
3
作者
贲志红
李跃华
杨敏
万晶
刘宇辙
机构
南京理工大学
中国科学院微电子研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第S2期143-145,共3页
文摘
针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法。将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益。此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度。
关键词
射频集成电路
寄生效应
板级建模
阻抗匹配
Keywords
RF integrated circuit
parasitic effects
board level modeling
impedance matching
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关
刘宇辙
梁晓新
万晶
阎跃鹏
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2016
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)
苏黎明
杨洪文
刘宇辙
孙征宇
阎跃鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于HFSS和ADS的新型功率放大器联合仿真设计
贲志红
李跃华
杨敏
万晶
刘宇辙
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015
2
在线阅读
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职称材料
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