400 km/h高铁隧道联通式缓冲结构对微气压波的影响 被引量：1

1

作者 王田天 冯朝阳 +5 位作者 陆意斌 龚彦峰 刘奥 周俊超 施方成 王军彦 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1618-1630,共13页

随着高速列车运行速度的提升,隧道口微气压波幅值剧增,强烈的爆破噪声同时影响着周边环境和附近居民的正常生活。本文研究由平行导坑与横通道组成的联通式缓冲结构对400 km/h高铁隧道微气压波的缓解作用。首先,进行400 km/h动模型试验,... 随着高速列车运行速度的提升,隧道口微气压波幅值剧增,强烈的爆破噪声同时影响着周边环境和附近居民的正常生活。本文研究由平行导坑与横通道组成的联通式缓冲结构对400 km/h高铁隧道微气压波的缓解作用。首先,进行400 km/h动模型试验,验证数值模拟方法的准确性;其次,基于RNG k-ε湍流模型和滑移网格技术分析联通式缓冲结构位置距隧道入口的距离D与联通式缓冲结构长度L对微气压波的影响。研究结果表明:随着D增加,微气压波的缓解率逐渐增大,在D=25 m时达到最优,微气压波幅值减少34.4%;随着L增加,微气压波幅值缓慢增加;当L=30 m时,隧道口20 m处的微气压波幅值为91 Pa,缓解率为37.1%。联通式缓冲结构与既有350 km/h高铁线路上的断面扩大开孔型缓冲结构组合,可将隧道口20 m处微气压波幅值减小至47.3 Pa,降幅达67.3%。联通式缓冲结构合理利用了修建隧道时遗留的平行导坑,可在保障施工成本几乎不变的前提下,显著缓解微气压波,保护隧道周边环境。 展开更多

关键词 高速列车 微气压波 联通式结构 平行导坑

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200 V全碳化硅集成技术

2

作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页

本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体

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4H-SiC CMOS高温集成电路设计与制造

3

作者 陈浩炜 刘奥 +3 位作者 黄润华 杨勇 刘涛 柏松 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期109-112,118,共5页

设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在... 设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在常温下输出的上升时间为1.44μs,下降时间为2.17μs,且在300℃高温条件下仍可正常工作。由CMOS反相器级联成的环形振荡器在常温下的测试工作频率为147 kHz,在高温下也可正常工作。 展开更多

关键词 碳化硅 CMOS 集成电路 反相器 环形振荡器

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基于多元储能的分布式能源系统优化调度方法研究 被引量：6

4

作者 韩中合 马立 +3 位作者 段宇轩 刘奥 吴迪 李桂强 《动力工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期317-327,共11页

为进一步构建清洁低碳、经济节能的供能系统,研究建立了含风、光以及多元储能的分布式能源系统,针对北京某办公园区,采用DeST预测用户负荷以及当地风、光条件。以经济性、节能性和环保性三方面的综合效益最大为目标,提出一种自适应优化... 为进一步构建清洁低碳、经济节能的供能系统,研究建立了含风、光以及多元储能的分布式能源系统,针对北京某办公园区,采用DeST预测用户负荷以及当地风、光条件。以经济性、节能性和环保性三方面的综合效益最大为目标,提出一种自适应优化运行策略,分别采用穷举搜索法和遗传算法对系统优化调度方案进行优化。同时,采用以电定热运行策略作为对照,对比分析几种不同运行策略下系统的综合效益。结果表明:传统以电定热运行模式下的综合效益平均值为0.41;而在自适应优化运行策略下,使用遗传算法得到的调度方案,其综合效益平均值可达0.5,穷举搜索法得到的运行方案,其综合效益平均值可达0.51。 展开更多

关键词 分布式能源系统 多元储能 优化运行 遗传算法 穷举搜索法

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计及AA-CAES与PTC集成的综合能源系统运行优化与性能分析 被引量：1

5

作者 吴迪 刘奥 +4 位作者 龚弟鑫 马帆帆 马立 韩中合 刘树华 《动力工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期138-147,156,共11页

为进一步发挥综合能源系统的多能互补优势,提出一种计及先进绝热压缩空气储能(AA-CAES)与槽式太阳能集热器(PTC)集成的综合能源系统(IES-PTC-CAES)优化运行策略。首先,对AA-CAES、PTC以及系统中其他设备进行分析并建立相应模型;进而以... 为进一步发挥综合能源系统的多能互补优势,提出一种计及先进绝热压缩空气储能(AA-CAES)与槽式太阳能集热器(PTC)集成的综合能源系统(IES-PTC-CAES)优化运行策略。首先,对AA-CAES、PTC以及系统中其他设备进行分析并建立相应模型;进而以经济性、环保性和能效性为优化目标,以设备运行的关键参数为优化变量,基于分时电价建立了协同优化策略,并通过K-means算法将模拟出的典型年负荷聚类为典型日负荷;最终,使用并行式的遗传算法对系统进行寻优,得到不同目标下IES-PTC-CAES的最优运行策略。结果表明:与参考系统相比,IES-PTC-CAES系统经济目标下总成本降低了14.61万元,环保目标下二氧化碳排放量减少了6194.38 kg。 展开更多

关键词 先进绝热压缩空气储能 槽式太阳能集热器 综合能源系统 遗传算法 协同优化

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铁路机辆检修基地室外综合管线二维成图技术研究 被引量：2

6

作者 刘奥 《铁路计算机应用》 2019年第6期46-49,58,共5页

在利用建筑信息模型(BIM)技术进行室外综合管线设计时,存在无法直接通过BIM生成二维图纸或是生成的图纸难以达到出图要求的问题,严重降低了BIM设计效率。通过对室外综合管线出图过程进行研究,对其前期准备工作和出图流程进行了详细的阐... 在利用建筑信息模型(BIM)技术进行室外综合管线设计时,存在无法直接通过BIM生成二维图纸或是生成的图纸难以达到出图要求的问题,严重降低了BIM设计效率。通过对室外综合管线出图过程进行研究,对其前期准备工作和出图流程进行了详细的阐述,并制定统一的出图标准,实现室外综合管线BIM快速生成二维图纸,大幅提高BIM设计效率和质量。该成果已应用于国内多个铁路机辆检修基地的室外综合管线设计项目中,取得了显著的效果。 展开更多

关键词 铁路机辆检修基地 室外综合管线 BIM 出图标准

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武汉地铁2号线常青花园车辆段BIM设计 被引量：12

7

作者 刘奥 《铁路技术创新》 2015年第3期81-84,共4页

近年来,BIM技术越来越受到国内外勘察设计公司的关注,国内知名设计院也都纷纷成立BIM技术团队,但BIM技术在轨道交通车辆基地领域的应用才刚刚起步。在武汉地铁2号线常青花园车辆段的设计中引入BIM技术,摸索了轨道交通车辆基地BIM设计的... 近年来,BIM技术越来越受到国内外勘察设计公司的关注,国内知名设计院也都纷纷成立BIM技术团队,但BIM技术在轨道交通车辆基地领域的应用才刚刚起步。在武汉地铁2号线常青花园车辆段的设计中引入BIM技术,摸索了轨道交通车辆基地BIM设计的流程及软件解决方案。采用协同设计方式建立常青花园车辆段BIM模型,并利用BIM模型进行碰撞检测,最后将BIM成果输出。提出一套轨道交通车辆基地BIM设计的方法。 展开更多

关键词 武汉地铁2号线 BIM 车辆基地 轨道交通 BIM实施

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利用非均匀正交激光选择谐波发射短量子路径

8

作者 刘航 刘奥 +1 位作者 史秋月 袁泉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期112-116,共5页

理论研究了谐波发射的量子路径在非均匀正交激光场下的调控机制.结果表明,在适当的双色激光偏振角和非均匀参数的组合下,不仅谐波截止能量有明显增大;谐波发射的短量子路径可以被单独选择出来对谐波连续区起到贡献作用.并且,该方案在长... 理论研究了谐波发射的量子路径在非均匀正交激光场下的调控机制.结果表明,在适当的双色激光偏振角和非均匀参数的组合下,不仅谐波截止能量有明显增大;谐波发射的短量子路径可以被单独选择出来对谐波连续区起到贡献作用.并且,该方案在长脉宽激光下依然适用.最后,利用谐波连续区可以获得脉宽在50 as的孤立阿秒脉冲. 展开更多

关键词 高次谐波 短量子路径 非均匀激光场 正交激光场

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基于多元储能的光储微网电-热协同存储策略研究

9

作者 刘奥 吴迪 +3 位作者 龚弟鑫 于世洋 韩中合 李桂强 《暖通空调》 2024年第11期131-139,共9页

为了提高光储微网的经济性及运行可靠性,提出了一种基于多元储能系统的电-热协同存储策略。首先,建立了多元储能系统运行模型,并通过变分模态分解将多元储能系统需承担的功率进行了分解;进而依据各储能设备的响应特性将分解后得到的分... 为了提高光储微网的经济性及运行可靠性,提出了一种基于多元储能系统的电-热协同存储策略。首先,建立了多元储能系统运行模型,并通过变分模态分解将多元储能系统需承担的功率进行了分解;进而依据各储能设备的响应特性将分解后得到的分量进行了重构,并采用电-热协同存储策略来确定各储能设备的出力计划与容量配置;最后,基于各储能设备的运行状态,引入模糊控制算法对储能设备的分配功率指令进行了实时修正。结果表明:本文所提出的策略使储能系统年化成本下降了约14.98%,节省了约66.05万元,并提高了系统的长期平抑波动能力与电-热协同存储的协调能力。 展开更多

关键词 多元储能 光储微网 电-热协同存储策略 变分模态分解 模糊控制 荷电状态

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4500V碳化硅肖特基二极管研究 被引量：9

10

作者 黄润华 李理 +7 位作者 陶永洪 刘奥 陈刚 李赟 柏松 栗锐 杨立杰 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期220-223,共4页

设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护... 设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。 展开更多

关键词 4H型碳化硅 结势垒肖特基二极管 终端保护 保护环

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1700V碳化硅MOSFET设计 被引量：4

11

作者 黄润华 陶永洪 +6 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期510-513,共4页

设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构... 设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。 展开更多

关键词 4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态

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3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造 被引量：6

12

作者 刘涛 陈刚 +6 位作者 黄润华 柏松 陶永洪 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期187-190,共4页

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工... 介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。 展开更多

关键词 4H型SiC 垂直沟道结型场效应晶体管 沟槽刻蚀

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常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET 被引量：2

13

作者 黄润华 陶永洪 +6 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

关键词 MOSFET 沟道 亚微米 SIC 南京电子器件研究所 自对准技术 加工工艺 导通电流

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1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计 被引量：2

14

作者 汪玲 黄润华 +2 位作者 刘奥 陈刚 柏松 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期183-186,共4页

设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正... 设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。 展开更多

关键词 4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环

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子宫内膜癌治愈后6年肺转移1例报告 被引量：1

15

作者 杨金霞 付卫江 +3 位作者 韩文斐 于学娟 刘奥 杨秋安 《山东医药》 CAS 2014年第43期103-104,共2页

患者女，1938年9月3日出生，2003年7月因“阴道溢液”接受检查，诊断为子宫内膜癌，2003年7月31日行子宫次广泛切除加盆腔淋巴结清扫术，术后病理诊断为子宫内膜透明细胞癌（弥漫型），部分区域呈低分化子宫内膜样癌，侵及子宫深肌层，... 患者女，1938年9月3日出生，2003年7月因“阴道溢液”接受检查，诊断为子宫内膜癌，2003年7月31日行子宫次广泛切除加盆腔淋巴结清扫术，术后病理诊断为子宫内膜透明细胞癌（弥漫型），部分区域呈低分化子宫内膜样癌，侵及子宫深肌层，累及宫颈管，左侧闭孔淋巴结1／6查见癌细胞转移，雌激素受体（ ER ）阴性，孕激素受体（ PR ）阴性， C-erbB2阴性，见图1（癌细胞呈腺管状结构，内衬鞋钉样细胞，间质中有胶原纤维）。 展开更多

关键词 子宫内膜癌 子宫内膜透明细胞癌 肺转移 治愈后 盆腔淋巴结清扫术 术后病理诊断 C-ERBB2 癌细胞转移

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基于EMD与机器学习算法的近零能耗建筑负荷预测方法 被引量：2

16

作者 韩少锋 吴迪 +5 位作者 张圣原 苗睿佺 刘奥 韩中合 韩旭 郭加澄 《暖通空调》 2024年第7期82-89,97,共9页

采用皮尔逊相关系数法分析了不同特征变量与冷热负荷的相关性,确定了预测模型的输入特征变量。采用经验模态分解(EMD)对逐日冷热负荷按频分解,然后采用机器学习算法,即反向传播神经网络(BPNN)、随机森林(RF)和支持向量机(SVM),分别对不... 采用皮尔逊相关系数法分析了不同特征变量与冷热负荷的相关性,确定了预测模型的输入特征变量。采用经验模态分解(EMD)对逐日冷热负荷按频分解,然后采用机器学习算法,即反向传播神经网络(BPNN)、随机森林(RF)和支持向量机(SVM),分别对不同频率的负荷量进行了训练、验证,最后重构得到了近零能耗建筑预测负荷。基于上述方法,以北京市某近零能耗居住建筑为研究对象,比较了不同算法预测结果的精确度。结果表明:采用EMD与RF算法相结合对近零能耗建筑冷热负荷的预测精确度较高。进一步采用穷举搜索法对模型初设参数进行了优化,冷热负荷预测结果精确度提高,冷负荷预测结果的决定系数R2、平均绝对百分比误差MAPE分别为0.996、1.32%,热负荷预测结果的R2、MAPE分别为0.997、0.79%。 展开更多

关键词 近零能耗建筑 负荷预测 经验模态分解 机器学习算法 反向传播神经网络(BPNN) 随机森林(RF) 支持向量机(SVM) 穷举搜索法

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基于SiC的新型真空-固态混合光电探测器研究 被引量：1

17

作者 徐鹏霄 张逊 +5 位作者 杨杰 刘奥 汪玲 易智豪 赵文锦 唐光华 《光电子技术》 CAS 2023年第4期283-286,共4页

基于SiC宽禁带半导体材料及器件,实现了SiC宽禁带器件与超高真空器件的混合兼容设计与制备,研制了一种新型的SiC基真空-固态混合光电探测器,光敏面有效直径25 mm,器件电子轰击增益近200倍,响应信号半高宽4.5 ns。为真空-固态混合光电探... 基于SiC宽禁带半导体材料及器件,实现了SiC宽禁带器件与超高真空器件的混合兼容设计与制备,研制了一种新型的SiC基真空-固态混合光电探测器,光敏面有效直径25 mm,器件电子轰击增益近200倍,响应信号半高宽4.5 ns。为真空-固态混合光电探测器件理论研究与工程应用的深入推进奠定了基础。 展开更多

关键词 真空-固态混合光电探测器 碳化硅 电子增益 响应时间

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吴湖帆对恽寿平书画的鉴藏——兼论其书画鉴藏的细化与系统

18

作者 刘奥 《美术大观》 2024年第10期55-61,共7页

清末民初,清宫收藏书画精品散佚,民间遂掀起名品收藏高潮。书画鉴藏迎来进一步细化和系统化的契机。吴湖帆(1894-1968)书画收藏颇富,对恽寿平更是青睐有加。本文以吴氏所鉴藏的40件(套)恽寿平实物为主要考察对象,辅以题跋、日记等文献资... 清末民初,清宫收藏书画精品散佚,民间遂掀起名品收藏高潮。书画鉴藏迎来进一步细化和系统化的契机。吴湖帆(1894-1968)书画收藏颇富,对恽寿平更是青睐有加。本文以吴氏所鉴藏的40件(套)恽寿平实物为主要考察对象,辅以题跋、日记等文献资料,首先梳理清末民初恽寿平书画鉴藏的背景及吴湖帆对南田(恽寿平)的鉴藏优势,重点还原吴湖帆对恽寿平书画真迹风格、款识、印鉴的细化研究,阐述吴氏发现的南田代笔相关问题,并以恽寿平为例,探讨吴湖帆为书画鉴藏学科现代化转型所作的贡献及其书画鉴藏中可能存在的模糊性。 展开更多

关键词 恽寿平 吴湖帆 书画鉴藏 清末民初 方法论

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1200V碳化硅MOSFET设计

19

作者 黄润华 陶永洪 +5 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期435-438,共4页

设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A... 设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。 展开更多

关键词 4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态

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高压SiC JFET研究进展

20

作者 陈刚 柏松 +4 位作者 李赟 陶然 刘奥 杨立杰 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期224-227,283,共5页

利用自主生长的SiC外延材料,采用干法刻蚀μm级密集深槽工艺技术和高能、高剂量离子注入结合高温激活退火方法,进行SiC电力电子JFET器件的开发,研制出常开型、常关型SiC JFET器件,反向阻断电压都达到1 700V,正向电流达3.5A。常开型JFET... 利用自主生长的SiC外延材料,采用干法刻蚀μm级密集深槽工艺技术和高能、高剂量离子注入结合高温激活退火方法,进行SiC电力电子JFET器件的开发,研制出常开型、常关型SiC JFET器件,反向阻断电压都达到1 700V,正向电流达3.5A。常开型JFET的夹断电压在-1.7V,最大跨导Gm为0.52S,比导通电阻最小到4.6mΩ.cm2;常关型JFET的夹断电压在0.9V,最大跨导Gm为1.07S,比导通电阻最小到4.2mΩ.cm2。常开型与常关型器件的栅流开启时栅电压差距小,常开型VG=3.5V时,栅流开始出现,常关型VG=3.3V时,栅流开始出现。 展开更多

关键词 碳化硅 电力电子 垂直沟道结型场效应晶体管

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