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铝离子与羟基功能化荧光碳点的相互作用
被引量：
4
1
作者
方静美
刘利芹
+1 位作者
赵希娟
李原芳
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期1144-1148,共5页
研究了铝离子（Al^3＋）与表面带有大量羟基的荧光碳点之间的相互作用。当Al^3＋的浓度在0．2-8μmol／L时，碳点的荧光随其浓度的增大而逐渐被猝灭；继续增大Al^3＋的浓度，碳点的荧光逐渐恢复。借助Zeta电位与动态光散射（DLS），初...
研究了铝离子（Al^3＋）与表面带有大量羟基的荧光碳点之间的相互作用。当Al^3＋的浓度在0．2-8μmol／L时，碳点的荧光随其浓度的增大而逐渐被猝灭；继续增大Al^3＋的浓度，碳点的荧光逐渐恢复。借助Zeta电位与动态光散射（DLS），初步探讨了二者的作用机理。Al^3＋极易结合碳点表面的羟基，拉近碳点之间的距离引起碳点聚集，从而导致荧光猝灭；当碳点表面的羟基与Al^3＋完全配位后，碳点表面的负电荷转变为正电荷，由于静电排斥作用和空间效应，聚集的碳点重新分散，致使荧光恢复。对比Cr^3＋和Fe^3＋与荧光碳点的作用，发现它们对荧光碳点只有较强的猝灭作用，在高浓度时却未出现碳点荧光恢复的现象，这归因于Al^3＋易形成两性氢氧化物。
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关键词
碳点
荧光
铝离子
ZETA电位
动态光散射
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职称材料
多种方法制备SiO_(2)薄膜及其性能研究
2
作者
何亮
王祥宇
+5 位作者
田浩生
杨海林
乐景胜
杨帆
梁佳伟
刘利芹
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第S01期38-41,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧...
二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧化两种制备方法,以及各种工艺条件对SiO_(2)薄膜性能的影响。首先,研究了磁控溅射过程中溅射功率对沉积速率和膜层粗糙度的影响。结果表明随着溅射功率的增加,沉积速率和膜层粗糙度均增大。其次,创新地利用马弗炉在空气氛围下进行热氧化,并与标准氧化炉的干氧和湿氧氧化进行了比较。结果表明:氧化温度要大于800℃;在900~1100℃氧化速率线性增加;在1200℃时速率增加变缓,由于空气中氧气供应略不足。基于低价位的马弗炉设备成功制备出高质量的SiO_(2)薄膜。随后,对磁控溅射与不同氛围下热氧化制得的SiO_(2)薄膜进行了折射率和抗刻蚀性的表征与对比分析。结果表明热氧化制备的SiO_(2)薄膜具有更高的折射率和更好的抗刻蚀特性。本研究不仅丰富了SiO_(2)薄膜制备的理论基础,还为不同制备方法和不同工艺条件下制得的SiO_(2)薄膜的性能提供了参考,具有较好的理论价值和实践意义。
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关键词
SiO_(2)薄膜
磁控溅射
热氧化
折射率
抗刻蚀特性
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职称材料
拟南芥ein2-1突变体对盐胁迫的响应
被引量：
1
3
作者
宋士勇
曹树青
+4 位作者
井然
刘利芹
高峰
彭小丽
江力
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期320-322,共3页
以拟南芥突变体ein2-1为材料,研究了其抗逆特性。基于发芽和根生长分析,发现拟南芥突变体ein2-1对盐胁迫高度敏感,此外,拟南芥ein2-1突变体对渗透胁迫和脱落酸也表现为高度敏感;结果表明EIN2基因参与了盐胁迫响应的调节。
关键词
EIN2基因
盐胁迫
渗透胁迫
脱落酸
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职称材料
题名
铝离子与羟基功能化荧光碳点的相互作用
被引量：
4
1
作者
方静美
刘利芹
赵希娟
李原芳
机构
西南大学化学化工学院
出处
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期1144-1148,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(21175109)
文摘
研究了铝离子（Al^3＋）与表面带有大量羟基的荧光碳点之间的相互作用。当Al^3＋的浓度在0．2-8μmol／L时，碳点的荧光随其浓度的增大而逐渐被猝灭；继续增大Al^3＋的浓度，碳点的荧光逐渐恢复。借助Zeta电位与动态光散射（DLS），初步探讨了二者的作用机理。Al^3＋极易结合碳点表面的羟基，拉近碳点之间的距离引起碳点聚集，从而导致荧光猝灭；当碳点表面的羟基与Al^3＋完全配位后，碳点表面的负电荷转变为正电荷，由于静电排斥作用和空间效应，聚集的碳点重新分散，致使荧光恢复。对比Cr^3＋和Fe^3＋与荧光碳点的作用，发现它们对荧光碳点只有较强的猝灭作用，在高浓度时却未出现碳点荧光恢复的现象，这归因于Al^3＋易形成两性氢氧化物。
关键词
碳点
荧光
铝离子
ZETA电位
动态光散射
Keywords
carbon dots, fluorescence, aluminum ions, zeta potential, dynamic light scattering
分类号
O657.3 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
多种方法制备SiO_(2)薄膜及其性能研究
2
作者
何亮
王祥宇
田浩生
杨海林
乐景胜
杨帆
梁佳伟
刘利芹
机构
成都信息工程大学光电工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第S01期38-41,共4页
基金
国家自然科学基金(62005029)
四川省科技计划项目(2021YFG0010,2023YFG0084)
成都信息工程大学引进人才科研启动项目(KYTZ202175)。
文摘
二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧化两种制备方法,以及各种工艺条件对SiO_(2)薄膜性能的影响。首先,研究了磁控溅射过程中溅射功率对沉积速率和膜层粗糙度的影响。结果表明随着溅射功率的增加,沉积速率和膜层粗糙度均增大。其次,创新地利用马弗炉在空气氛围下进行热氧化,并与标准氧化炉的干氧和湿氧氧化进行了比较。结果表明:氧化温度要大于800℃;在900~1100℃氧化速率线性增加;在1200℃时速率增加变缓,由于空气中氧气供应略不足。基于低价位的马弗炉设备成功制备出高质量的SiO_(2)薄膜。随后,对磁控溅射与不同氛围下热氧化制得的SiO_(2)薄膜进行了折射率和抗刻蚀性的表征与对比分析。结果表明热氧化制备的SiO_(2)薄膜具有更高的折射率和更好的抗刻蚀特性。本研究不仅丰富了SiO_(2)薄膜制备的理论基础,还为不同制备方法和不同工艺条件下制得的SiO_(2)薄膜的性能提供了参考,具有较好的理论价值和实践意义。
关键词
SiO_(2)薄膜
磁控溅射
热氧化
折射率
抗刻蚀特性
Keywords
SiO_(2)thin film
magnetron sputtering
thermal oxidation
refractive index
etching resistance
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
拟南芥ein2-1突变体对盐胁迫的响应
被引量：
1
3
作者
宋士勇
曹树青
井然
刘利芹
高峰
彭小丽
江力
机构
合肥工业大学生物与食品工程学院
西南大学化学化工学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期320-322,共3页
基金
安徽省自然科学基金资助项目(070411001,070411252X)
合肥工业大学学生创新基金资助项目(XS0638)
文摘
以拟南芥突变体ein2-1为材料,研究了其抗逆特性。基于发芽和根生长分析,发现拟南芥突变体ein2-1对盐胁迫高度敏感,此外,拟南芥ein2-1突变体对渗透胁迫和脱落酸也表现为高度敏感;结果表明EIN2基因参与了盐胁迫响应的调节。
关键词
EIN2基因
盐胁迫
渗透胁迫
脱落酸
Keywords
EIN2 gene
salt stress
osmotic stress
abscisic acid
分类号
Q754 [生物学—分子生物学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铝离子与羟基功能化荧光碳点的相互作用
方静美
刘利芹
赵希娟
李原芳
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
多种方法制备SiO_(2)薄膜及其性能研究
何亮
王祥宇
田浩生
杨海林
乐景胜
杨帆
梁佳伟
刘利芹
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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下载PDF
职称材料
3
拟南芥ein2-1突变体对盐胁迫的响应
宋士勇
曹树青
井然
刘利芹
高峰
彭小丽
江力
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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