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题名基于无机电荷产生层的量子点电致发光器件
被引量：2
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作者
战胜
刘佳田
张汉壮
纪文宇
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机构
吉林大学物理学院
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期1469-1477,共9页
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基金
国家自然科学基金(11974141)资助项目。
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文摘
利用WO_(3)/ZnO作为电荷产生层(CGL)制备了具有倒置结构的量子点电致发光器件(QLED),相比于传统的基于单层ZnO作为电子传输层的QLED,利用CGL-QLED的电流效率提高了近30%。这主要归因于CGL的电子注入具有电场依赖特性,从而使得器件中的电荷注入更加平衡,提高了激子的形成效率,抑制了载流子导致的猝灭过程。此外,我们通过瞬态电致发光光谱技术及电容特性测试,分析了基于CGL的QLED的器件工作机制,发现CGL中可以存储大量的载流子,从而使得器件在脉冲电压驱动时出现发光过冲现象。其环境稳定性也与常规的基于ZnO的器件一致。而由于CGL独特的电荷产生机制,使得其不依赖于电极功函数特性。我们相信,这种器件结构在改善器件稳定性及良率方面有着巨大潜力。
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关键词
量子点发光器件
电荷产生层
过冲
电荷存储
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Keywords
quantum-dot light-emitting diodes
charge-generation layer
overshoot
charge storage
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分类号
TN383.1
[电子电信—物理电子学]
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