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ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立被引量：1: 1; 作者刘佰清洪根深 +3 位作者郑若成刘国柱敖一程王印权《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期152-155,共4页; 基于1.0μm ONO(SiO2-Si3N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足&qu... 展开更多; 关键词 ONO反熔丝 TDDB E MODEL 激活能寿命模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响被引量：2: 2; 作者刘佰清刘国柱 +2 位作者吴健伟洪根深郑若成《电子与封装》 2017年第11期44-48,共5页; 基于抗辐射0.6μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作... 展开更多; 关键词栅氧化总剂量电离效应阈值电压漂移△Vtn; 在线阅读下载PDF 职称材料

ONO反熔丝器件可编程特性研究被引量：3: 3; 作者潘福跃张明新 +4 位作者曹利超刘佰清洪根深张海良刘国柱《电子与封装》 2021年第7期77-82,共6页; ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特... 展开更多; 关键词 ONO 反熔丝击穿电压导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响被引量：1: 4; 作者郑若成王印权 +1 位作者刘佰清郑良晨《电子与封装》 2020年第3期45-47,共3页; 采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K^-1... 展开更多; 关键词非晶硅薄膜氟掺杂介电常数; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立被引量：1: 1; 作者刘佰清洪根深郑若成刘国柱敖一程王印权; 机构中国电子科技集团第; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期152-155,共4页; 文摘基于1.0μm ONO(SiO2-Si3N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足"E Model";并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合"E Model"模型中的各个参数,建立了寿命预测模型。同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性。; 关键词 ONO反熔丝 TDDB E MODEL 激活能寿命模型; Keywords ONO antifuse, TDDB, E Model, temperature activation, lifetime model; 分类号 O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响被引量：2: 2; 作者刘佰清刘国柱吴健伟洪根深郑若成; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《电子与封装》 2017年第11期44-48,共5页; 文摘基于抗辐射0.6μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用。研究发现,在抗总剂量电离能力方面,湿法氧化工艺优于干法氧化工艺:即当栅氧厚度小于12.5 nm时,LVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔV_(tn)受栅氧化方式的影响甚小;当栅氧厚度为26 nm时,HVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔVtn受栅氧化方式及工艺温度的影响显著。在500 krad(Si)条件下,采用850℃湿氧+900℃干氧化方式的HVNMOS器件阈值电压漂移ΔV_(tn)比采用800℃湿氧氧化方式的高2倍左右。; 关键词栅氧化总剂量电离效应阈值电压漂移△Vtn; Keywords gate oxide process TID threshold voltage drift △Vtn; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ONO反熔丝器件可编程特性研究被引量：3: 3; 作者潘福跃张明新曹利超刘佰清洪根深张海良刘国柱; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所东南大学电子科学与工程学院; 出处《电子与封装》 2021年第7期77-82,共6页; 文摘 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性。研究结果表明,采用“AF+MOS”集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性。; 关键词 ONO 反熔丝击穿电压导通电阻; Keywords ONO anti-fuse devices breakdown voltage on-state resistance; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响被引量：1: 4; 作者郑若成王印权刘佰清郑良晨; 机构中科芯集成电路有限公司; 出处《电子与封装》 2020年第3期45-47,共3页; 文摘采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K^-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K^-1。; 关键词非晶硅薄膜氟掺杂介电常数; Keywords amorphous silicon thin film fluorine doping dielectric constant; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料