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氢退火工艺对非晶硅光学性能的影响
被引量：
1
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作者
曾璞
罗杰平
+7 位作者
刘从吉
罗丹
袁菲
罗辉
王兴伦
王路
钱煜
关晟
《集成电路应用》
2022年第1期43-45,共3页
阐述利用等离子化学气相沉积制备了非晶硅材料,然后在不同浓度的氢气气氛下进行了等离子退火处理,并对其折射率,消光系数和傅立叶红外吸收谱进行了测试分析。结果显示,不同浓度的氢气氛等离子退火处理对非晶硅材料的光学性能有影响。
关键词
非晶硅
等离子化学气相沉积
退火
折射率
消光系数
傅立叶红外吸收谱
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职称材料
题名
氢退火工艺对非晶硅光学性能的影响
被引量：
1
1
作者
曾璞
罗杰平
刘从吉
罗丹
袁菲
罗辉
王兴伦
王路
钱煜
关晟
机构
西南技术物理研究所
四川航空股份有限公司
出处
《集成电路应用》
2022年第1期43-45,共3页
文摘
阐述利用等离子化学气相沉积制备了非晶硅材料,然后在不同浓度的氢气气氛下进行了等离子退火处理,并对其折射率,消光系数和傅立叶红外吸收谱进行了测试分析。结果显示,不同浓度的氢气氛等离子退火处理对非晶硅材料的光学性能有影响。
关键词
非晶硅
等离子化学气相沉积
退火
折射率
消光系数
傅立叶红外吸收谱
Keywords
amorphous silicon
PECVD
anneal
refractive index
extinction coefficient
FTIR spectrum
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氢退火工艺对非晶硅光学性能的影响
曾璞
罗杰平
刘从吉
罗丹
袁菲
罗辉
王兴伦
王路
钱煜
关晟
《集成电路应用》
2022
1
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