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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
被引量：
2
1
作者
刁文豪
江伟华
王新新
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不...
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。
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关键词
脉冲功率
高电压
半导体开关
MARX发生器
金属氧化物半导体场效应管
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职称材料
题名
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
被引量：
2
1
作者
刁文豪
江伟华
王新新
机构
清华大学电机工程与电子应用技术系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期565-568,共4页
基金
国家自然科学基金重点项目(50837004)
文摘
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。
关键词
脉冲功率
高电压
半导体开关
MARX发生器
金属氧化物半导体场效应管
Keywords
pulsed power
high voltage
semiconductor switch
Marx generator
MOSFET
分类号
TM836 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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作者
出处
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被引量
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1
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
刁文豪
江伟华
王新新
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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