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硅微通道板微加工技术研究
被引量：
5
1
作者
王国政
袁云龙
+5 位作者
杨超
凌海容
王蓟
杨继凯
李野
端木庆铎
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1804-1810,共7页
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和...
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。
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关键词
硅微通道板
光电化学腐蚀
原子层沉积
微加工技术
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职称材料
用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术
2
作者
余金豪
杨炳辰
+6 位作者
杨超
陈奇
凌海容
王蓟
王国政
杨继凯
端木庆铎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期603-609,共7页
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）...
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系。研究表明,硅（100）晶面和（110）晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素。当硅（100）晶面与（110）晶面腐蚀速率比大于2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列。使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列。通过高温填充CsI（Tl）制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能。
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关键词
X射线闪烁屏
硅微通道阵列
各向异性腐蚀
整形技术
开口面积比
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职称材料
题名
硅微通道板微加工技术研究
被引量：
5
1
作者
王国政
袁云龙
杨超
凌海容
王蓟
杨继凯
李野
端木庆铎
机构
长春理工大学理学院
出处
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1804-1810,共7页
基金
国家自然科学基金项目(61107027
51502023)
+1 种基金
吉林省科技厅重点科技研发项目(20180201033GX)
吉林省教育厅项目(20160358)
文摘
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。
关键词
硅微通道板
光电化学腐蚀
原子层沉积
微加工技术
Keywords
silicon microchannel plate
photo-electrochemical etching
atomic layer deposition
micromachining
分类号
TN205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术
2
作者
余金豪
杨炳辰
杨超
陈奇
凌海容
王蓟
王国政
杨继凯
端木庆铎
机构
长春理工大学理学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期603-609,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61107027,51502023)
吉林省科技厅重点科技研发项目(20180201033GX)
吉林省教育厅资助项目(20160358)
文摘
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系。研究表明,硅（100）晶面和（110）晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素。当硅（100）晶面与（110）晶面腐蚀速率比大于2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列。使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列。通过高温填充CsI（Tl）制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能。
关键词
X射线闪烁屏
硅微通道阵列
各向异性腐蚀
整形技术
开口面积比
Keywords
X-ray scintillation screen
silicon microchannel array
anisotropic corrosion
shaping technology
open area ratio
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅微通道板微加工技术研究
王国政
袁云龙
杨超
凌海容
王蓟
杨继凯
李野
端木庆铎
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术
余金豪
杨炳辰
杨超
陈奇
凌海容
王蓟
王国政
杨继凯
端木庆铎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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