本文采用垂直 Bridgman 法生长了半磁性半导体 Cd_(1-x)Mn_xTe(0.01≤x≤0.50),用 X 射射技术对生长的晶体质量进行了评价,晶体的 X 射线双晶衍射峰半宽度仅有38″,显示了极好线衍的晶体完整性。从实验中得到晶体的最佳生长速率为2mm/h...本文采用垂直 Bridgman 法生长了半磁性半导体 Cd_(1-x)Mn_xTe(0.01≤x≤0.50),用 X 射射技术对生长的晶体质量进行了评价,晶体的 X 射线双晶衍射峰半宽度仅有38″,显示了极好线衍的晶体完整性。从实验中得到晶体的最佳生长速率为2mm/h,对晶体样品的电学性能进行了 Hall测试,测试结果表明得到的晶体样品都是 p 型样品。展开更多
文摘本文采用垂直 Bridgman 法生长了半磁性半导体 Cd_(1-x)Mn_xTe(0.01≤x≤0.50),用 X 射射技术对生长的晶体质量进行了评价,晶体的 X 射线双晶衍射峰半宽度仅有38″,显示了极好线衍的晶体完整性。从实验中得到晶体的最佳生长速率为2mm/h,对晶体样品的电学性能进行了 Hall测试,测试结果表明得到的晶体样品都是 p 型样品。
