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离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展
1
作者
况园珠
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期36-38,共3页
介绍了用离子束增强沉积法(IBED)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。
关键词
立方氮化硼
离子束增强沉积
离子轰击
制备
薄膜
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展
1
作者
况园珠
机构
中国科学院空间中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期36-38,共3页
基金
国家自然科学基金
批号59472027
文摘
介绍了用离子束增强沉积法(IBED)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。
关键词
立方氮化硼
离子束增强沉积
离子轰击
制备
薄膜
Keywords
Cubic boron nitride(c-BN), Ion beam enhanced deposition (IBED), Ion bombardment, Ion to atom arrival ratio
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展
况园珠
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
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