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GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
被引量：
1
1
作者
袁祐荣
周济
+1 位作者
曹望和
冯禹臣
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期130-139,共10页
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成...
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。
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关键词
GAAS/ALGAAS
异质结
界面
激子
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职称材料
半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法
2
作者
葛中久
李梅
+1 位作者
张志舜
冯禹臣
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期257-260,共4页
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产过程中的外延质量的监控．此法还可用于各种超晶格结...
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产过程中的外延质量的监控．此法还可用于各种超晶格结构参数的测量．
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关键词
X射线检测
外延
薄膜
半导体薄膜
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职称材料
题名
GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
被引量：
1
1
作者
袁祐荣
周济
曹望和
冯禹臣
机构
中国科学院长春物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期130-139,共10页
基金
科学院基金
文摘
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。
关键词
GAAS/ALGAAS
异质结
界面
激子
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法
2
作者
葛中久
李梅
张志舜
冯禹臣
机构
中国科学院长春物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期257-260,共4页
文摘
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产过程中的外延质量的监控．此法还可用于各种超晶格结构参数的测量．
关键词
X射线检测
外延
薄膜
半导体薄膜
Keywords
X-ray test, epilayer
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
袁祐荣
周济
曹望和
冯禹臣
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
1
在线阅读
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职称材料
2
半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法
葛中久
李梅
张志舜
冯禹臣
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
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