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刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究
被引量：
1
1
作者
冀新友
张家祥
+5 位作者
王亮
张洁
卢凯
黄东升
陈思
王威
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期138-143,共6页
生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有...
生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1μm以内。控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生。采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用。
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关键词
常温污渍
钼缩进
刻蚀液
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职称材料
TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究
被引量：
3
2
作者
张家祥
王彦强
+9 位作者
卢凯
张文余
王凤涛
冀新友
王亮
张洁
王琪
刘琨
李良杰
李京鹏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期433-437,共5页
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al...
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
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关键词
沟道界面
漏电流
AL电极
TFT特性
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职称材料
题名
刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究
被引量：
1
1
作者
冀新友
张家祥
王亮
张洁
卢凯
黄东升
陈思
王威
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期138-143,共6页
基金
京东方TFT特性研发基金~~
文摘
生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1μm以内。控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生。采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用。
关键词
常温污渍
钼缩进
刻蚀液
Keywords
room temperature stain
Mo shrink
etchant
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究
被引量：
3
2
作者
张家祥
王彦强
卢凯
张文余
王凤涛
冀新友
王亮
张洁
王琪
刘琨
李良杰
李京鹏
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期433-437,共5页
文摘
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
关键词
沟道界面
漏电流
AL电极
TFT特性
Keywords
channel interface
Ioff
Al electrode
TFT character
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究
冀新友
张家祥
王亮
张洁
卢凯
黄东升
陈思
王威
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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职称材料
2
TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究
张家祥
王彦强
卢凯
张文余
王凤涛
冀新友
王亮
张洁
王琪
刘琨
李良杰
李京鹏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
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