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晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响
1
作者
储媛媛
刘莹妹
+3 位作者
李生娟
徐志成
陈建新
王兴军
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期791-797,共7页
通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声...
通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。
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关键词
GaAsSb/InP异质结
非谐效应
声子寿命
四声子模型
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职称材料
题名
晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响
1
作者
储媛媛
刘莹妹
李生娟
徐志成
陈建新
王兴军
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期791-797,共7页
基金
国家自然科学基金(11874377)
上海市自然科学基金(18ZR1445700)。
文摘
通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。
关键词
GaAsSb/InP异质结
非谐效应
声子寿命
四声子模型
Keywords
GaAsSb/InP heterojunction
anharmonic effect
phonon lifetime
the four-phonon model
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响
储媛媛
刘莹妹
李生娟
徐志成
陈建新
王兴军
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
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