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P型透明导电SnO_2薄膜的研究进展被引量：6: 1; 作者倪佳苗赵修建 +1 位作者郑小林赵江《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期531-535,共5页; SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料。近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一。制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径。近年来,国内外在p型SnO2薄... 展开更多; 关键词 SNO2薄膜 P型透明导电膜综述透明氧化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

SnO_2基导电陶瓷靶材的制备及应用性能表征被引量：1: 2; 作者倪佳苗程娟《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期17-20,57,共5页; 为了获得高质量的SnO2薄膜,我们需要制备高密度、高导电的优质SnO2靶材。这里以分析纯的SnO2、Sb2O5粉体为制备原料,采用冷等静压加上常压烧结方法制备高导电性Sb∶SnO2(ATO)陶瓷靶材。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析靶材... 展开更多; 关键词 SNO2 陶瓷靶材成型压力收缩率透明导电薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属催化辅助无转移石墨烯薄膜制备技术研究进展被引量：1: 3; 作者黄勇郭冲霄 +2 位作者倪佳苗刘悦范同祥《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期184-198,共15页; 作为一种原子级别厚度的二维碳材料,石墨烯已经被证明具有优异的电学、光学、热学等综合物化性能。但是如何制备高质量、大面积晶圆级别的石墨烯薄膜仍然是激发人们进行科学研究以及器件集成领域的一大热点问题。传统过渡金属催化合成... 展开更多; 关键词石墨烯薄膜无转移制备技术金属催化剂介电基底; 在线阅读下载PDF 职称材料

热处理对Sb∶SnO_2透明导电薄膜光电性能的影响被引量：4: 4; 作者梁斐赵修建 +1 位作者倪佳苗郑敏栋《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期2951-2957,共7页; 由烧结法制备了5Sb_2O_5·95SnO_2(mol%)陶瓷靶材,以所制靶材利用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备得到高质量的Sb∶Sn O2(ATO)透明导电薄膜,研究了热处理温度对ATO薄膜的结构和光学与电学性能的影响。结果表明:热处理对ATO薄膜... 展开更多; 关键词 Sb∶SnO2 磁控溅射红外反射热处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO_2薄膜的研究(英文) 被引量：1: 5; 作者梁飞倪佳苗赵青南《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期281-284,288,共5页; 二氧化铈具有高折射率、介电常数和紫外吸收率,因此它广泛地应用于各种光学和电子器件。本文采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO2薄膜。溅射过程中,首先制备纯二氧化铈靶材,然后在不同的功率上调节不同的基片温度进行溅射。采用光... 展开更多; 关键词射频磁控溅射二氧化铈薄膜光电子能谱 X射线衍射拉曼光谱扫描电镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型透明导电SnO_2薄膜的研究进展被引量：6: 1; 作者倪佳苗赵修建郑小林赵江; 机构武汉理工大学硅酸盐材料工程中心教育部重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期531-535,共5页; 基金教育部长江学者与创新团队发展计划项目(No.IRT0547); 文摘 SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料。近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一。制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径。近年来,国内外在p型SnO2薄膜研究方面取得了较大的进展。目前报道的p型SnO2薄膜的最高电导率为5.952Ω-1cm-1。并且得到了具有较好非线性伏安特性的铟锡氧化物的透明p-n结。本文就其最新进展进行了综述。; 关键词 SNO2薄膜 P型透明导电膜综述透明氧化物; Keywords SnO2 film,P-type transparent conducting fihn,Review,Transparent Oxide; 分类号 O472 [理学—半导体物理] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SnO_2基导电陶瓷靶材的制备及应用性能表征被引量：1: 2; 作者倪佳苗程娟; 机构湖北第二师范学院建筑与材料工程系; 出处《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期17-20,57,共5页; 基金湖北第二师范学院教学研究项目(NO.2011016); 文摘为了获得高质量的SnO2薄膜,我们需要制备高密度、高导电的优质SnO2靶材。这里以分析纯的SnO2、Sb2O5粉体为制备原料,采用冷等静压加上常压烧结方法制备高导电性Sb∶SnO2(ATO)陶瓷靶材。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析靶材的化学成分和微观形貌并系统研究了不同的成型压力对靶材电学特性和致密度的影响。结果表明:成型压力的大小对于ATO靶材本身的致密度及电学特性都有很大的影响。成型压力为15MPa时,ATO靶材的电阻率最小,为0.38Ω.cm;SnO2靶材的收缩率达10.71%,靶材的致密度为95%;靶材可在射频磁控溅射仪下正常工作,并成功在玻璃基片上沉积性能良好的高红外反射透明导电SnO2薄膜。此制备过程操作方便,工艺简单,降低了靶材的成本,从而能够大大扩大透明导电薄膜的应用领域。; 关键词 SNO2 陶瓷靶材成型压力收缩率透明导电薄膜; Keywords SnO2 Ceramic targets Molding pressure Shrinkage rate Transparent conductive film; 分类号 TM615 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属催化辅助无转移石墨烯薄膜制备技术研究进展被引量：1: 3; 作者黄勇郭冲霄倪佳苗刘悦范同祥; 机构上海交通大学材料科学与工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期184-198,共15页; 基金国家自然科学基金(52171144)。; 文摘作为一种原子级别厚度的二维碳材料,石墨烯已经被证明具有优异的电学、光学、热学等综合物化性能。但是如何制备高质量、大面积晶圆级别的石墨烯薄膜仍然是激发人们进行科学研究以及器件集成领域的一大热点问题。传统过渡金属催化合成石墨烯薄膜的化学气相沉积工艺往往需要复杂费时的后处理转移工序,会对石墨烯薄膜本征性能造成巨大破坏,因此研究如何在介电基底上直接制备高质量大面积的石墨烯薄膜具有重大意义。基于此目的而兴起的无转移石墨烯薄膜制备研究已经取得了显著的科学成就,其中金属催化辅助合成无转移石墨烯薄膜的研究尤其引人注目,并且基于原位合成石墨烯薄膜性能测试及器件验证均取得了不错的效果。尽管如此,由于催化剂种类、形态以及结构设计等因素的不同,针对金属催化剂在无转移石墨烯薄膜合成过程中的工艺策略,不同的研究有不同的设计。本文基于无转移石墨烯薄膜制备的最新研究结果,对金属在催化转化获得无转移石墨烯过程中的作用机理和设计策略进行了系统全面的分析,对促进高质量晶圆级石墨烯薄膜的合成及在电子、光电子等功能器件领域的应用具有重要的指导意义。; 关键词石墨烯薄膜无转移制备技术金属催化剂介电基底; Keywords graphene film transfer-free synthesis metal catalyst dielectric substrates; 分类号 TQ127 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热处理对Sb∶SnO_2透明导电薄膜光电性能的影响被引量：4: 4; 作者梁斐赵修建倪佳苗郑敏栋; 机构武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室湖北第二师范学院建筑与材料工程学院; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期2951-2957,共7页; 基金湖北省技术创新重大项目(2013AAA005) 湖北省自然科学基金面上项目(2014CFB563); 文摘由烧结法制备了5Sb_2O_5·95SnO_2(mol%)陶瓷靶材,以所制靶材利用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备得到高质量的Sb∶Sn O2(ATO)透明导电薄膜,研究了热处理温度对ATO薄膜的结构和光学与电学性能的影响。结果表明:热处理对ATO薄膜的相结构,结晶质量及性能均有一定的影响。随着温度升高,所制薄膜的晶粒尺寸逐渐长大,方块电阻逐步减小,最小值为9.3Ω/;红外反射率先增大后减小,并在热处理温度为600℃时达到极大值,为89%。薄膜可见光透过率均在80%以上,温度为600℃时最高达到91.3%。; 关键词 Sb∶SnO2 磁控溅射红外反射热处理; Keywords Sb- Sn02 magnetron sputtering infrared reflection heat treatment; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO_2薄膜的研究(英文) 被引量：1: 5; 作者梁飞倪佳苗赵青南; 机构武汉理工大学信息学院通信与信息系统武汉理工大学材料与工程学院材料学; 出处《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期281-284,288,共5页; 文摘二氧化铈具有高折射率、介电常数和紫外吸收率,因此它广泛地应用于各种光学和电子器件。本文采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO2薄膜。溅射过程中,首先制备纯二氧化铈靶材,然后在不同的功率上调节不同的基片温度进行溅射。采用光电子能谱、X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜等测试方法表征薄膜的特性。; 关键词射频磁控溅射二氧化铈薄膜光电子能谱 X射线衍射拉曼光谱扫描电镜; Keywords R. F sputtering CeO2 thin films XPS XRD raman SEM; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	P型透明导电SnO_2薄膜的研究进展	倪佳苗赵修建郑小林赵江	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SnO_2基导电陶瓷靶材的制备及应用性能表征	倪佳苗程娟	《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	金属催化辅助无转移石墨烯薄膜制备技术研究进展	黄勇郭冲霄倪佳苗刘悦范同祥	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	热处理对Sb∶SnO_2透明导电薄膜光电性能的影响	梁斐赵修建倪佳苗郑敏栋	《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2017	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO_2薄膜的研究(英文)	梁飞倪佳苗赵青南	《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料