纳米碳纤维的制备方法及其吸波特性 被引量：10

1

作者 信思树 项金钟 吴兴惠 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期24-26,共3页

论述了高温吸波材料——纳米碳纤维的制备方法、吸波性能,并通过比较给出了不同制备方法的特点;讨论了温度、掺杂和表面改性等对纳米碳纤维吸波性能的影响,展望了纳米碳纤维及其复合材料的应用前景。

关键词 纳米碳纤维 吸波特性 制备工艺 气相流动催化法 基体法 喷淋法

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一种新型的正胶剥离技术及其应用 被引量：2

2

作者 信思树 普朝光 +1 位作者 杨明珠 杨培志 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页

介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法：刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶... 介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法：刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶剥离技术在实际工作中的应用。 展开更多

关键词 正胶 剥离技术 金属微细图形化 二次污染

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体心立方BCC基多元合金中的共格析出及强化 被引量：3

3

作者 信思树 王镇华 +1 位作者 李春玲 王清 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期130-137,共8页

固溶体基体上析出的第二相粒子的种类、形貌(大小和形状)以及分布,对提升合金的力学性能具有决定性作用,其中第二相粒子的共格析出更有利于提升合金的高温力学性能。例如,正是由于立方形态的L12-Ni 3Al有序超结构相在FCC固溶体基体的共... 固溶体基体上析出的第二相粒子的种类、形貌(大小和形状)以及分布,对提升合金的力学性能具有决定性作用,其中第二相粒子的共格析出更有利于提升合金的高温力学性能。例如,正是由于立方形态的L12-Ni 3Al有序超结构相在FCC固溶体基体的共格析出,才使得Ni基高温合金具有优异的高温力学性能。近年来,体心立方(BCC)基多元合金中的第二相共格析出强化使得该类合金展现出优异的力学性能,尤其是优异的高温强度,引起了广泛关注。在传统的BCC基工程合金材料中,主要采用非共格和半共格析出相对合金进行强化,然而第二相粒子在时效过程中易发生粗化,使得合金脆性增加,从而导致合金对工艺异常敏感。最新研究表明,在BCC基多主元合金中,可实现有序B2(L21)相在无序BCC基体上的共格析出,有望改善BCC基合金的强韧性。目前,获得的共格组织多表现为编织网状的调幅分解组织,很难实现球形或立方形态的共格纳米粒子析出,这也会造成合金具有极大的脆性,故如何在BCC基多主元合金中获得立方形或球形的共格粒子是目前的研究热点。研究表明,基体与有序析出相间的点阵错配度是决定析出粒子形状和大小的最关键因素,故通过调节多主元合金中的元素类型及含量来调控BCC基体和有序析出相(B2/L21)的成分,以调节二者的点阵错配,可以获得期望的共格组织。如BCC基特种钢和高熵合金中,通过调控成分可以调整BCC基体与共格B2相之间的点阵错配,继而使球形/立方形的B2粒子共格析出在BCC基体上,以获得一系列性能优异的BCC基特种钢及高熵合金。本文详细总结了几种典型的BCC基多元合金(如特种钢、高熵合金等)中共格析出相粒子的形貌、分布及力学性能;讨论了点阵错配度与析出粒子形貌之间的关系;并阐述了析出强化的机制;最后对共格析出强化的BCC基多元合金的发展及应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 BCC基多元合金 共格析出 微观组织 力学性能

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锑基高工作温度红外探测器研究进展 被引量：7

4

作者 邓功荣 赵鹏 +6 位作者 袁俊 信思树 龚晓霞 黎秉哲 马启 杨文运 普朝光 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期780-784,共5页

锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWa P)的要求。目前,工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3类:InS... 锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWa P)的要求。目前,工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3类:InSb、锑基II类超晶格和InAsSb,国外已报道了640×512、1024×1024和2040×1156规格的焦平面阵列,工作温度提高到150 K以上。本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况。 展开更多

关键词 高工作温度(HOT) SWa P In As SB In SB II类超晶格

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台面PN结InSb红外探测器响应时间研究 被引量：4

5

作者 马启 邓功荣 +5 位作者 苏玉辉 余连杰 信思树 龚晓霞 陈爱萍 赵鹏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第4期305-309,共5页

分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟(In Sb)红外探测器,实验制备了台面p^+-on-n结构的探测器。通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值... 分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟(In Sb)红外探测器,实验制备了台面p^+-on-n结构的探测器。通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合。采用脉冲响应测试了In Sb探测器的响应时间(0.3μs),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距。 展开更多

关键词 红外探测器 锑化铟(In Sb) 响应时间 量子效率 台面PN结

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用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结 被引量：3

6

作者 孙祥乐 高思伟 +7 位作者 毛渲 龚晓霞 余黎静 宋欣波 柴圆媛 尚发兰 信思树 太云见 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期742-749,共8页

能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本... 能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。 展开更多

关键词 电子束诱生电流 肖特基结 P-N结 InSb半导体器件

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热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制 被引量：3

7

作者 黄江平 冯江敏 +3 位作者 王羽 苏玉辉 信思树 李玉英 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第12期764-767,共4页

热释电红外探测器芯片研制中,晶片粘接是芯片研制中的关键工艺之一。本文详细论述了粘接胶的选择依据及晶片粘接质量控制。确定了适合器件研制的粘接胶和粘胶工艺流程。对粘接中出现的问题及解决办法进行了讨论。研制出了完全能满足器... 热释电红外探测器芯片研制中,晶片粘接是芯片研制中的关键工艺之一。本文详细论述了粘接胶的选择依据及晶片粘接质量控制。确定了适合器件研制的粘接胶和粘胶工艺流程。对粘接中出现的问题及解决办法进行了讨论。研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器PZT晶片。 展开更多

关键词 热释电红外探测器 粘接胶 晶片粘接 质量控制

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InSb阳极氧化膜界面特性研究 被引量：1

8

作者 余黎静 李延东 +2 位作者 信思树 郭雨航 杨文运 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第4期191-195,共5页

用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和... 用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考。 展开更多

关键词 阳极氧化 MIS器件 C-V特性 界面态密度

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超细TiO_2粒子的溶胶凝胶法制备研究 被引量：10

9

作者 胡永茂 项金钟 +5 位作者 李茂琼 方静华 张学清 信思树 朱艳 吴兴惠 《胶体与聚合物》 2003年第1期19-23,共5页

用溶胶凝胶法制备了不同性状的超细TiO2粒子,研究了影响产物性能的主要因素。结果表明,通过对体系pH值、酯醇比、烧结温度等因素的控制,可制得所需要的TiO2超细粒子。

关键词 超细TiO2粒子 制备 二氧化钛 溶胶凝胶法 正交试验 钛醇盐

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电磁波吸收复合材料的研究现状

10

作者 杨海刚 项金钟 +3 位作者 信思树 方静华 朱艳 吴兴惠 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期219-221,共3页

首先介绍了电磁波与物质相互作用的机制，指出影响物质对电磁波吸收的性能的参数．进而提出通过修正这些参数而达到改善物质对电磁波吸收的性能。同时对国内外电磁波吸收复合材料的研究现状进行了综述、分析和讨论。

关键词 电磁波吸收 研究现状 复合材料 相互作用 物质 国内外 性能

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CdS紫外探测器芯片的制备研究

11

作者 何雯瑾 信思树 +5 位作者 钟科 柴圆媛 黎秉哲 杨文运 太云见 袁俊 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第8期773-776,共4页

针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了 Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表... 针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了 Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表明:Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3~0.5 μm下响应率大于0.2A/W,对3~5 μm红外波长的平均透过率大于80%,很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求。 展开更多

关键词 Pt/CdS 肖特基 紫外探测器 I-V特性

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InSb芯片表面抛光及腐蚀研究 被引量：3

12

作者 郭胜 信思树 +2 位作者 龚晓霞 袁俊 郭杰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第2期133-138,共6页

表面抛光及腐蚀是In Sb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺。本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对In Sb形貌的影响。实验发现,在压力低于4.5 N、转速低... 表面抛光及腐蚀是In Sb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺。本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对In Sb形貌的影响。实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,In Sb芯片表面"亮点"得到了有效的解决。采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后In Sb芯片表面光亮、平整。经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102Ω·cm2,黑体探测率D*为3.1×1010 cm·Hz1/2·W-1。 展开更多

关键词 InSb芯片 表面亮点 机械抛光 材料腐蚀

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