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Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文)
被引量：
7
1
作者
周帆
张良
+5 位作者
李俊
张小文
林华平
俞东斌
蒋雪茵
张志林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期188-193,共6页
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增...
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V.s,对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到,Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低,这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105,4.8×105,3.2×104,7.2×103,其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑,85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。
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关键词
TA2O5
绝缘层
氧化性薄膜晶体管
磁控溅射
表面形貌
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职称材料
题名
Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文)
被引量：
7
1
作者
周帆
张良
李俊
张小文
林华平
俞东斌
蒋雪茵
张志林
机构
上海大学材料科学与工程学院
上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期188-193,共6页
基金
supported by the National Natural Science Foundation of China(60777018,60776040)
"863"project(2008AA03A336)~~
文摘
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V.s,对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到,Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低,这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105,4.8×105,3.2×104,7.2×103,其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑,85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。
关键词
TA2O5
绝缘层
氧化性薄膜晶体管
磁控溅射
表面形貌
Keywords
Ta2O5 insulator
ZnO-TFT
RF magnetron sputtering
surface morphology
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文)
周帆
张良
李俊
张小文
林华平
俞东斌
蒋雪茵
张志林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
7
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