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通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
被引量：
1
1
作者
林晓玲
侯通贤
+1 位作者
章晓文
姚若河
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期135-139,共5页
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底...
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
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关键词
Cu/低-k互连
应力诱生空洞
工艺波动
通孔微结构
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职称材料
题名
通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
被引量：
1
1
作者
林晓玲
侯通贤
章晓文
姚若河
机构
华南理工大学电子与信息学院微电子研究所
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期135-139,共5页
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C0301040801)
文摘
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
关键词
Cu/低-k互连
应力诱生空洞
工艺波动
通孔微结构
Keywords
Cu/low-k interconnection
stress-induced voiding
process variation
via microstructure
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
林晓玲
侯通贤
章晓文
姚若河
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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