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雌二醇分子印迹聚合物的合成及其吸附性能研究被引量：2: 1; 作者侯彦飞陈萍任常菲《中国兽药杂志》 2011年第11期12-15,共4页; 采用表面分子印迹技术和溶胶-凝胶技术,以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为功能单体,四乙氧基硅烷为交联剂,合成了以雌二醇为模板的分子印迹聚合物。研究了该聚合物的合成条件,并用平衡结合实验研究了该聚合物的识别性能。结果表明,在所研究的... 展开更多; 关键词雌二醇分子印迹聚合物合成; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式被引量：1: 2; 作者侯彦飞王伯武 +2 位作者于伟华程伟孙岩《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期626-630,共5页; 针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果... 展开更多; 关键词多层集成电路寄生模薄膜微带线缺陷地; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1: 3; 作者王伯武于伟华 +4 位作者侯彦飞余芹孙岩程伟周明《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页; 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 展开更多; 关键词磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带; 在线阅读下载PDF 职称材料

D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）被引量：2: 4; 作者刘军吕昕 +2 位作者于伟华杨宋源侯彦飞《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期144-148,共5页; 利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,... 展开更多; 关键词 InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 D波段; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用（英文）被引量：1: 5; 作者刘军于伟华 +3 位作者杨宋源侯彦飞崔大胜吕昕《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期683-687,共5页; 利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管... 展开更多; 关键词 InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型毫米波和亚毫米波单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名雌二醇分子印迹聚合物的合成及其吸附性能研究被引量：2: 1; 作者侯彦飞陈萍任常菲; 机构吉林农业大学食品科学与工程学院吉林省产品质量监督检验院; 出处《中国兽药杂志》 2011年第11期12-15,共4页; 文摘采用表面分子印迹技术和溶胶-凝胶技术,以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为功能单体,四乙氧基硅烷为交联剂,合成了以雌二醇为模板的分子印迹聚合物。研究了该聚合物的合成条件,并用平衡结合实验研究了该聚合物的识别性能。结果表明,在所研究的浓度范围内,雌二醇分子印迹聚合物的饱和吸附容量为6.689 mg/g,而非模板聚合物的饱和吸附容量为4.491 mg/g。二者相比,雌二醇分子印迹聚合物表现出很高的吸附容量。; 关键词雌二醇分子印迹聚合物合成; Keywords estradiol molecularly imprinted polymer synthesis; 分类号 O63 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式被引量：1: 2; 作者侯彦飞王伯武于伟华程伟孙岩; 机构北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京无线电测量研究所南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期626-630,共5页; 基金国家自然科学基金面上资助项目(61771057)。; 文摘针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果。在不改变工艺结构的前提下,“双背孔”和“四背孔”形式可以分别满足200 GHz/300 GHz以下介质膜抑制需求,此时背孔所占面积最小,可以有效减小背孔排列密度,增加电路集成度。; 关键词多层集成电路寄生模薄膜微带线缺陷地; Keywords multilayer integrated circuit parasitic modes Thin-Film Microstrip Lines(TFML) Defect Ground Structure; 分类号 TN78 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1: 3; 作者王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明; 机构北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京理工大学重庆微电子研究院北京无线电测量研究所南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。; 文摘基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。; 关键词磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带; Keywords InP dual-heterojunction bipolar transistor(InP DHBT) monolithic microwave integrated circuit(MMIC) cascode amplifiers wide band; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）被引量：2: 4; 作者刘军吕昕于伟华杨宋源侯彦飞; 机构北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期144-148,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057); 文摘利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义.; 关键词 InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 D波段; Keywords InAlAs/InGaAs/InP PHEMTs 90-nm MMIC amplifiers D-band; 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用（英文）被引量：1: 5; 作者刘军于伟华杨宋源侯彦飞崔大胜吕昕; 机构北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期683-687,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057); 文摘利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻,在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性,基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明:最大小信号增益为14.4dB@92.5GHz,3dB带宽为25GHz@85-110GHz.而且,该放大器也表现出了良好的噪声特性,在88GHz处噪声系数为4.1dB,相关增益为13.8dB.与同频段其他芯片相比,该放大器单片具有宽3dB带宽和高的单级增益.; 关键词 InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型毫米波和亚毫米波单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器; Keywords InAlAs/InGaAs/InP pseudomorplic high electronic mobility transistor(PHEMTs) small-signal model millimeter and submillimeter monolithic millimeter-wave integrated circuit(MMIC) low noise amplifier(LNA); 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	雌二醇分子印迹聚合物的合成及其吸附性能研究	侯彦飞陈萍任常菲	《中国兽药杂志》	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式	侯彦飞王伯武于伟华程伟孙岩	《太赫兹科学与电子信息学报》	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器	王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）	刘军吕昕于伟华杨宋源侯彦飞	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用（英文）	刘军于伟华杨宋源侯彦飞崔大胜吕昕	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料