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磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究
被引量：
1
1
作者
黄赛佳
侯雨轩
+4 位作者
侍宇雨
王志姣
杨柳青
杨建波
李兴鳌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期4057-4060,4065,共5页
利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试...
利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
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关键词
V
掺杂
磁控溅射
反射率
电阻率
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职称材料
题名
磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究
被引量：
1
1
作者
黄赛佳
侯雨轩
侍宇雨
王志姣
杨柳青
杨建波
李兴鳌
机构
南京邮电大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期4057-4060,4065,共5页
基金
国家自科科学基金资助项目(51172110)
大学生创新训练计划资助项目(SZDG2013028)
文摘
利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
关键词
V
掺杂
磁控溅射
反射率
电阻率
Keywords
Cu3N
copper nitride
V doped
magnetron sputtering
reflectance
resistivity
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究
黄赛佳
侯雨轩
侍宇雨
王志姣
杨柳青
杨建波
李兴鳌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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