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基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究
被引量：
1
1
作者
吴键澄
杨汝
+2 位作者
余连德
揭海
刘佐濂
《电子技术应用》
2021年第7期5-11,共7页
辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路,建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数,对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干...
辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路,建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数,对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真,并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响。实验结果表明,在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合,验证了该仿真方法的正确性,且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性;所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源。
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关键词
开关电源
反激变换器
辐射干扰
场路耦合
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职称材料
题名
基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究
被引量：
1
1
作者
吴键澄
杨汝
余连德
揭海
刘佐濂
机构
广州大学电子与通信工程学院
广州大学机械与电气工程学院
广州大学物理与材料科学学院
出处
《电子技术应用》
2021年第7期5-11,共7页
基金
广东省自然科学基金团队项目(2017B030312001)
文摘
辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路,建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数,对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真,并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响。实验结果表明,在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合,验证了该仿真方法的正确性,且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性;所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源。
关键词
开关电源
反激变换器
辐射干扰
场路耦合
Keywords
switching mode power supply
flyback converter
radiation interference
field circuit coupling
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究
吴键澄
杨汝
余连德
揭海
刘佐濂
《电子技术应用》
2021
1
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