期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响 被引量:2
1
作者 蒋红霞 周桃生 +2 位作者 彭绯 尚勋忠 余祖高 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期356-359,共4页
采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降... 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌镁-铌锰-锆钛酸铅 MgO掺杂 压电介电性能
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部