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γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
被引量：
2
1
作者
马腾
苏丹丹
+5 位作者
周航
郑齐文
崔江维
魏莹
余学峰
(
指导
)
郭旗
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第9期203-208,共6页
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲...
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数,分析了γ射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于γ射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷,影响了器件内部势垒的分布,降低了电子跃迁的势垒高度,导致了电子遂穿的正反馈作用增强,从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间,最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。
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关键词
场效应晶体管
可靠性
栅氧经时击穿
γ射线
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职称材料
题名
γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
被引量：
2
1
作者
马腾
苏丹丹
周航
郑齐文
崔江维
魏莹
余学峰
(
指导
)
郭旗
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第9期203-208,共6页
基金
国家自然科学基金(11475255)
国家自然科学基金青年科学基金(11505282)
中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15,XBBS201321)。
文摘
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数,分析了γ射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于γ射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷,影响了器件内部势垒的分布,降低了电子跃迁的势垒高度,导致了电子遂穿的正反馈作用增强,从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间,最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。
关键词
场效应晶体管
可靠性
栅氧经时击穿
γ射线
Keywords
MOSFET
reliability
TDDB
γ-ray
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
马腾
苏丹丹
周航
郑齐文
崔江维
魏莹
余学峰
(
指导
)
郭旗
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018
2
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