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低温APCVD法制备氮化硅薄膜被引量：11: 1; 作者孟祥森宋晨路 +2 位作者余京松葛曼珍杨辉《陶瓷学报》 CAS 1999年第3期119-122,共4页; 本实验用常压化学气相沉积法（ＡＰＣＶＤ）在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在７００ ℃以下，ＮＨ３／ＳｉＨ４流量比例为１５／１时制得较纯的氮化硅薄膜... 展开更多; 关键词氮化硅薄膜 APCVD 低温陶瓷薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

国外电子气体技术进展被引量：13: 2; 作者梁国仑余京松《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期25-28,共4页; 论述了集成电路技术的发展对电子气体质量提出的更为刻苛的要求。介绍了一些相关新设备、新仪器以及新品种电子气体的应用。; 关键词电子气体集成电路气体分析仪粒子计数; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体厂超净供气系统被引量：2: 3; 作者梁国仑余京松《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期59-63,共5页; 介绍了集成电路制造用的电子气体中粒子控制规范、供气系统用的材料及其处理技术、供气管路和配件技术。; 关键词粒子规范半导体厂超净供气系统兆位级IC; 在线阅读下载PDF 职称材料

乙烯含量对CVD法硅镀膜玻璃结构和性能的影响被引量：3: 4; 作者朱懿余京松 +3 位作者韩高荣汤兆胜张溪文杜丕一《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 1999年第2期126-130,共5页; 对采用化学气相沉积法（ＣＶＤ法）制备的硅镀膜玻璃组成、结构、光学性能、化学稳定性等方面作了系统研究，发现随着反应气中乙烯与硅烷的体积比由０．２增大到１．３，薄膜组成中碳化硅含量增加，结晶数目和结晶程度增高，薄膜透过率... 展开更多; 关键词碳化硅镀膜玻璃化学气相沉积乙烯; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温APCVD法制备氮化硅薄膜被引量：11: 1; 作者孟祥森宋晨路余京松葛曼珍杨辉; 机构浙江大学; 出处《陶瓷学报》 CAS 1999年第3期119-122,共4页; 基金国家自然科学基金浙江省"151"人才工程资助; 文摘本实验用常压化学气相沉积法（ＡＰＣＶＤ）在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在７００ ℃以下，ＮＨ３／ＳｉＨ４流量比例为１５／１时制得较纯的氮化硅薄膜，比常规ＡＰＣＶＤ法制备温度低大约１５０ ℃。; 关键词氮化硅薄膜 APCVD 低温陶瓷薄膜; Keywords silicon nitride,thin film,APCVD; 分类号 TQ127.2 [化学工程—无机化工] TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国外电子气体技术进展被引量：13: 2; 作者梁国仑余京松; 机构光明化工研究设计院浙江大学材料系功能室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期25-28,共4页; 文摘论述了集成电路技术的发展对电子气体质量提出的更为刻苛的要求。介绍了一些相关新设备、新仪器以及新品种电子气体的应用。; 关键词电子气体集成电路气体分析仪粒子计数; Keywords electronic gases integrated circuit analytical instruments of gases particle account; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体厂超净供气系统被引量：2: 3; 作者梁国仑余京松; 机构化工部光明化工研究设计院浙江大学材料系功能室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期59-63,共5页; 文摘介绍了集成电路制造用的电子气体中粒子控制规范、供气系统用的材料及其处理技术、供气管路和配件技术。; 关键词粒子规范半导体厂超净供气系统兆位级IC; Keywords Gas distribution system Particle filtering Particle counter Particle standardsAPPLICATION TO FAULT DIAGNOSIS$$$$ PEN Zhi gang\ ZHANG Ji hui\ XU Xin he (Control & Simulation Center, Northeasterh University, Shenyang\ 110006)Abstract A; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名乙烯含量对CVD法硅镀膜玻璃结构和性能的影响被引量：3: 4; 作者朱懿余京松韩高荣汤兆胜张溪文杜丕一; 机构浙江大学硅材料国家重点实验室; 出处《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 1999年第2期126-130,共5页; 基金国家自然科学基金教育部优秀青年教师基金; 文摘对采用化学气相沉积法（ＣＶＤ法）制备的硅镀膜玻璃组成、结构、光学性能、化学稳定性等方面作了系统研究，发现随着反应气中乙烯与硅烷的体积比由０．２增大到１．３，薄膜组成中碳化硅含量增加，结晶数目和结晶程度增高，薄膜透过率提高，耐碱性提高．结果表明：在反应温度６３０°Ｃ，ＳｉＨ４体积分数１０％左右，Ｃ２Ｈ４与ＳｉＨ４的体积比为０．５，反应混合气流量为４００ｍＬ／ｍｉｎ的工艺条件下制备得到的镀膜玻璃具有Ｓｉ／ＳｉＣ纳米镶嵌复合结构、良好的遮阳性能和外观、较好的化学稳定性，达到了实际应用的要求．; 关键词碳化硅镀膜玻璃化学气相沉积乙烯; Keywords Si/SiC composite coating glass CVD silicon; 分类号 TQ171.739 [化学工程—玻璃工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料