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题名红外增透薄膜的研究进展
被引量：5
- 1
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作者
何远东
张伟才
闫萍
杨洪星
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《节能技术》
CAS
2016年第2期125-128,138,共5页
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文摘
红外增透膜已被广泛的应用于现代光学系统,并直接决定了光学器件性能的优劣,特别是对于航空航天领域具有十分重要的现实意义。红外增透膜的常见制备方法有真空蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积法等。文章着重介绍国内外关于红外增透膜的研究进展,综述红外增透膜材料的选择、常规红外增透膜材料的改性、红外增透膜系的设计及新型红外增透膜材料的开发,预测了红外增透膜材料未来的发展趋势。特别关注膜材料的红外透过率及机械强度等性能,明确不同红外增透膜的工作波段及应用前景。
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关键词
光学薄膜
红外增透膜
透过率
机械强度
改性
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Keywords
opticalcoating
infrared antireflection film
transmittance
mechanical strength
modified
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分类号
TN214
[电子电信—物理电子学]
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题名氧化态对锗衬底表面质量的影响
- 2
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作者
何远东
张伟才
杨洪星
韩焕鹏
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第8期602-605,648,共5页
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文摘
锗衬底主要用于制备砷化镓太阳电池,在航天器电源及地面聚光太阳电池系统中有着广泛的应用。为进一步提高电池转换效率,对锗衬底的表面质量提出了更高的要求。研究了HF/H_(2)O_(2)/H_(2)O清洗液体系中氧化剂H_(2)O_(2)体积分数对锗衬底及外延片表面质量的影响。随着氧化反应的不断进行,在锗衬底表面形成一层非晶态不溶性GeO_(x)薄膜,从而实现了锗衬底较好的钝化和更加稳定的表面终结,并通过外延生长进行了工艺验证。通过高分辨率X射线光电子能谱(XPS)对锗衬底表面氧化态进行测试及分峰拟合并模拟计算,当1.2<x<1.4时,对应体积比的HF/H_(2)O_(2)/H_(2)O清洗液钝化效果较好。
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关键词
双氧水
锗衬底
表面质量
氧化态
X射线光电子能谱(XPS)
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Keywords
hydrogen peroxide
germanium substrate
surface quality
oxidation state
X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名有机太阳能电池的研究进展
- 3
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作者
何远东
张伟才
杨静
陈晨
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2022年第2期5-9,共5页
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文摘
作为一种成本低廉、工艺简单、可柔性加工的储能器件技术,有机太阳能电池已经成为新型太阳能电池领域的重要发展方向。解决活性层材料的设计、入射光调控结构的应用及传输层界面的修饰问题,提升光电转化效率是目前有机太阳能电池的研究热点。综述了有机太阳能电池的研究进展,包括有机太阳能电池的设计与制备、界面缓冲材料设计及给体/受体材料改性研究,并展望了有机太阳能电池未来的发展方向。
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关键词
有机太阳能电池
给体
受体
光电转化效率
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Keywords
Organic solar cells
Donor
Acceptor
Photoelectric conversion efficiency
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名一种高效的锗单晶抛光片清洗液
被引量：6
- 4
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作者
杨洪星
陈晨
王云彪
何远东
耿莉
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期129-132,共4页
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文摘
以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。
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关键词
锗(Ge)单晶
表面清洗
表面粗糙度
雾值
抛光片
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Keywords
Germanium （Ge） crystal
surface cleaning technology
surface roughness
haze
polished wafter
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分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
TN305.12
[电子电信—物理电子学]
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题名清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响
被引量：3
- 5
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作者
王云彪
何远东
吕菲
陈亚楠
田原
耿莉
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期449-453,共5页
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文摘
锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。
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关键词
锗
点状缺陷
粗糙度
表面质量
沾污
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Keywords
germanium
point defect
roughness
surface quality
contamination
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分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名锗单晶片边缘损伤影响因素分析
被引量：1
- 6
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作者
杨洪星
王雄龙
何远东
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2017年第2期7-10,共4页
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文摘
新一代太阳电池所需的锗片厚度仅为140μm,在加工过程中更容易出现边缘破损,因此,锗片的边缘质量控制更为迫切。从单晶质量控制、滚圆及参考面制作出发,对锗片边缘质量的影响因素进行了分析,并提出相应的解决措施,提升了超薄锗片的边缘完整性。
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关键词
锗
边缘损伤
圆度
晶向偏离度
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Keywords
Germanium
Edge damage
Roundness
Orientation off
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分类号
TN948.43
[电子电信—信号与信息处理]
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题名硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程
- 7
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作者
陈晨
杨洪星
何远东
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第6期402-405,共4页
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文摘
硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察。本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片。磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度。采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性。
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关键词
硅-硅直接键合(SDB)
机械减薄
平整度
弯曲度
翘曲度
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Keywords
Si-Si direct bonding （SDB）
mechanical thinning
flatness
bow
warp
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名异质外延用硅单晶片边缘质量控制技术研究
- 8
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作者
杨洪星
范红娜
刘玉岭
陶术鹤
何远东
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《中国电子科学研究院学报》
北大核心
2017年第6期632-635,共4页
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文摘
异质外延在LED、高性能光电集成电路(OEIC)等多种领域存在广泛应用。Si基衬底由于具有优良性能,广受关注。Si基衬底异质外延时,由于Si与异质外延层之间的晶格失配和热失配,一般需要在衬底上生长一层缓冲层,而后在缓冲层上生长异质外延层。Si衬底损伤层对缓冲层成核具有较大的影响,进而对异质外延层造成重大影响。本文以硅单晶片边缘质量控制为切入点,开展了异质外延用硅单晶片的研究。
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关键词
硅单晶
边缘质量
异质外延
倒角
半导体
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Keywords
single crystal silicon
edge quality
heteroepitaxy
grinding
semi-conductor
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名多线切割工艺对研磨去除量的影响
被引量：3
- 9
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作者
苏鹏飞
杨洪星
何远东
马玉通
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2016年第9期15-18,共4页
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文摘
大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素,而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素。通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制,从而降低晶片的研磨去除量。
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关键词
硅
多线切割
损伤层
总厚度变化
翘曲度
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Keywords
Silicon
Multi-wire cutting
Damage layer
Total thickness variation
Warp degree
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名风景园林规划设计在乡村振兴中的作用研究
- 10
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作者
何远东
张凌云
杜月
王芳
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机构
贵州师范大学地理与环境科学学院
贵阳市第十五中学
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出处
《艺术科技》
2023年第4期222-224,共3页
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文摘
当前,农村农业经济发展缓慢,无法满足人民群众日益增长的美好生活需要。党的十九大报告将实施乡村振兴战略作为全面建成小康社会的重要举措,并提出产业兴旺、生态宜居、乡风文明、治理有效、生活富裕的乡村振兴战略20字方针,为乡村指明发展方向。随着我国主要矛盾的转变,风景园林规划设计将作用于乡村振兴,推进乡村发展,其对激发乡村活力具有重要理论探索和实践意义。乡村振兴的内涵与风景园林的定位有着极大的交叉,风景园林规划设计在乡村振兴中可以起到协调人与自然、加速产业融合、传承传统文化的作用。鉴于此,文章基于风景园林规划设计的定位,探究风景园林与乡村振兴的关联性,以期为风景园林规划设计助力乡村振兴提供理论基础,为建设美丽乡村提供助力。
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关键词
乡村振兴
风景园林
乡村景观规划
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分类号
TU982.29
[建筑科学—城市规划与设计]
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