α—SiN_X：H薄膜热退火释氢特性研究

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作者 何秀坤 李光平 +2 位作者 王琴 郑驹 阎萍 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第4期11-13,共3页

本文介绍了PECVD法制备的α—SiN_x:H薄膜的热退火释氢特性及其红外吸收光谱,在退火温度T≤350℃时,膜中Si-H和N-H健均具有良好的热稳定性;当T≥400℃时,膜中的氢明显逸出,且释氢速度与T和T(?)(衬底温度)密切相关,膜中相对氢含量与退火... 本文介绍了PECVD法制备的α—SiN_x:H薄膜的热退火释氢特性及其红外吸收光谱,在退火温度T≤350℃时,膜中Si-H和N-H健均具有良好的热稳定性;当T≥400℃时,膜中的氢明显逸出,且释氢速度与T和T(?)(衬底温度)密切相关,膜中相对氢含量与退火时间为准近似指数函数,N-H键比Si-H键更容易断裂。 展开更多

关键词 a-SINx:H膜 热稳定性

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太阳能级多晶硅中痕量金属杂质含量的ICP-MS测定 被引量：14

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作者 刘志娟 褚连青 +1 位作者 何秀坤 曹全喜 《电子科技》 2010年第8期40-42,共3页

研究了电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）,测定太阳能级电池用硅材料中Al,Fe,Ca,Mg,Cu,Zn,Cr,Ni和Mn等痕量元素的分析方法。考察测量过程中的质谱干扰及基体元素产生的基体效应,讨论了可能的消除方法,考察了内标元素Sc,Y,Rh等对基体抑... 研究了电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）,测定太阳能级电池用硅材料中Al,Fe,Ca,Mg,Cu,Zn,Cr,Ni和Mn等痕量元素的分析方法。考察测量过程中的质谱干扰及基体元素产生的基体效应,讨论了可能的消除方法,考察了内标元素Sc,Y,Rh等对基体抑制效应的补偿。采用Sc和Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移,在测定中取得良好的效果。样品的加标回收率为90.0%~107.1%,相对标准偏差（RSD）0.9~3.4%,检出限为0.030~0.500μg/L。 展开更多

关键词 ICP-MS 多晶硅 金属杂质

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SiGe合金单晶生长研究 被引量：1

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作者 刘锋 毛陆虹 +3 位作者 韩焕鹏 王义猛 李丹 何秀坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期328-332,共5页

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%... 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。 展开更多

关键词 锗硅单晶 锗的质量分数 单晶生长 直拉法 位错密度

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Si_3N_4钝化层质量分析研究 被引量：1

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作者 丁丽 严如岳 +6 位作者 何秀坤 李宝珠 李雨辰 何友琴 马农农 章安辉 刘立娜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期142-145,共4页

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件... 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。 展开更多

关键词 氮化硅 钝化层 表面分析 生成物

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FT─IR技术在半导体材料中的应用 被引量：1

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作者 李光平 汝琼娜 +1 位作者 何秀坤 李静 《半导体情报》 1994年第3期36-54,共19页

介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。

关键词 半导体材料 杂质 红外吸收光谱

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半导体硅特性显微FTIR测量技术研究

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作者 李光平 汝琼娜 +1 位作者 李静 何秀坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期43-45,共3页

本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高... 本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。 展开更多

关键词 半导体材料 硅 测量 显微镜

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半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应

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作者 李光平 何秀坤 +2 位作者 王琴 郑驹 阎萍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期197-201,共5页

本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温... 本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。 展开更多

关键词 GAAS EL2能级 光猝灭效应 低温

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硅中磷杂质的SIMS定量检测 被引量：4

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作者 陈密惠 何秀坤 +1 位作者 马农农 曹全喜 《电子科技》 2010年第9期68-70,共3页

利用SIMS(二次离子质谱仪)测试了国产重掺砷硅单晶中的痕量杂质磷,通过样品前期处理和精密的仪器调试,使检测时间缩短,并使硅中磷的检测限达到5×1013cm-3。实验结果表明,样品的前期处理工艺会对检测结果产生影响。不同处理工艺得... 利用SIMS(二次离子质谱仪)测试了国产重掺砷硅单晶中的痕量杂质磷,通过样品前期处理和精密的仪器调试,使检测时间缩短,并使硅中磷的检测限达到5×1013cm-3。实验结果表明,样品的前期处理工艺会对检测结果产生影响。不同处理工艺得到的样品,在表面粗糙度方面产生区别。不同的表面粗糙度,影响到样品的测试时间和测试精度。同时,通过仪器调试,仪器的真空度达到1×10-10torr,使测试背底和检测限降低。 展开更多

关键词 SIMS 重掺砷硅 磷杂质 前期处理

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GaN薄膜发光特性的研究 被引量：1

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作者 李静 冯倩 +2 位作者 何秀坤 汝琼娜 周智慧 《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期224-226,共3页

通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高... 通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。 展开更多

关键词 扫描电子显微镜 光荧光谱仪 生长气氛 缓冲层 掺杂

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半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究 被引量：1

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作者 秦涛 何秀坤 +1 位作者 董彦辉 李劼 《电子科技》 2009年第5期66-68,共3页

与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的。文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容... 与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的。文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算。 展开更多

关键词 半导体SiC 电阻率 无接触测量 电容器

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光学干涉法同时测定二氧化硅薄膜折射率和厚度

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作者 何秀坤 李光平 +2 位作者 王琴 郑驹 阎萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期47-49,共3页

本文利用二氧化硅薄膜的光学干涉效应和可变角度反射测量装置,给出了一种同时测定薄膜折射率和厚度的新方法.薄膜折射率和厚度的测量误差分别小于5%和6%.

关键词 光学干涉法 二氧化硅 薄膜 厚度

全文增补中

免清洗液态助焊剂标准的技术要点 被引量：7

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作者 刘筠 何秀坤 《印制电路信息》 2002年第6期51-54,共4页

本文介绍了我国免清洗液态助焊剂电子行业标准的技术要点和标准制定的基本依据及其它有关情况,对免清洗液态助焊剂的颜色、不挥发物含量、卤化物、离子污染、扩展率、铜镜腐蚀、表面绝缘电阻、电迁移和残留有机污染物等标准的技术要点... 本文介绍了我国免清洗液态助焊剂电子行业标准的技术要点和标准制定的基本依据及其它有关情况,对免清洗液态助焊剂的颜色、不挥发物含量、卤化物、离子污染、扩展率、铜镜腐蚀、表面绝缘电阻、电迁移和残留有机污染物等标准的技术要点进行了详细的说明。 展开更多

关键词 免清洗 助焊剂 标准 技术要点 液态 印制电路板

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用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷

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作者 李劼 章安辉 +2 位作者 何秀坤 曹全喜 秦涛 《电子科技》 2009年第5期75-77,共3页

用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的... 用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法。 展开更多

关键词 KOH腐蚀 微管 SIC 计数

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Ⅲ—V族化合物半导体材料禁带宽度的温度特性

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作者 李光平 何秀坤 《电子与自动化仪表信息》 1989年第5期15-18,共4页

关键词 Ⅲ-V族化合物 半导体材料 温度特性

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