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InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究
被引量：
3
1
作者
刘诗涛
王立
+5 位作者
伍菲菲
杨祺
何沅丹
张建立
全知觉
黄海宾
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期63-69,共7页
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同...
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。
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关键词
INGAN/GAN多量子阱
发光二极管
载流子泄漏
量子效率
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职称材料
题名
InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究
被引量：
3
1
作者
刘诗涛
王立
伍菲菲
杨祺
何沅丹
张建立
全知觉
黄海宾
机构
南昌大学材料科学与工程学院
南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
南昌大学光伏研究院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期63-69,共7页
基金
国家自然科学基金(61564007
11364034)
江西省科技支撑计划(2014BE50035)资助项目~~
文摘
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。
关键词
INGAN/GAN多量子阱
发光二极管
载流子泄漏
量子效率
Keywords
InGaN/GaN MQWs
light-emitting diodes
carrier leakage
quantum efficiency
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究
刘诗涛
王立
伍菲菲
杨祺
何沅丹
张建立
全知觉
黄海宾
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
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