滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计 被引量：12

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作者 谢治中 丁扣宝 何杞鑫 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期260-263,共4页

设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的... 设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5～9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。 展开更多

关键词 发光二极管 恒流驱动 滞环电流控制 高边电流检测

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高压功率VDMOS管的设计研制 被引量：17

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作者 王英 何杞鑫 方绍华 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期5-8,共4页

随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于... 随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于理论分析在工艺上成功实现了耐压为500V,导通电流为3A的功率VDMOS器件。 展开更多

关键词 VDMOS 优化外延层 终端保护技术

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一种增益增强型套筒式运算放大器的设计 被引量：5

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作者 蔡坤明 何杞鑫 +1 位作者 陶吉利 丁扣宝 《电子技术应用》 北大核心 2010年第5期66-69,共4页

设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器。从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12bit精度、100MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器。基于SMIC0.13μ... 设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器。从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12bit精度、100MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器。基于SMIC0.13μm,3.3V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8dB的增益,单位增益带宽达到983.6MHz,而功耗仅为26.2mW。运放在4ns的时间内可以达到0.01%的建立精度,满足系统设计要求。 展开更多

关键词 套筒式运放 增益增强技术 共模反馈 高速ADC

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MOS功率晶体管特性的温度效应 被引量：2

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作者 叶润涛 何杞鑫 徐家权 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第1期57-64,共8页

已设计的实验能够在同一仪器上方便地测量MOS功率管的脉冲I-V输出特性、直流I-V输出特性和器件内部的温度。对实验结果进行的综合分析表明,阈值电压随温度的增加而减小将引起MOS功率管的热不稳定,而表面迁移率随温度的增高而下降使MOS... 已设计的实验能够在同一仪器上方便地测量MOS功率管的脉冲I-V输出特性、直流I-V输出特性和器件内部的温度。对实验结果进行的综合分析表明,阈值电压随温度的增加而减小将引起MOS功率管的热不稳定,而表面迁移率随温度的增高而下降使MOS功率管的直流I-V特性在大电流区域呈观负阻。本文提出了反映热特性的两个特征点,给出了这两点处的栅源电压与器件设计参数的关系,作为MOS功率管热特性设计的依据。 展开更多

关键词 MOS 功率管 电子管 巨型晶体管 电力电子器件 功率晶体管 阈值电压 温度效应

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一种新型滞环电流控制电路的设计 被引量：5

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作者 谢治中 何杞鑫 《电子器件》 CAS 2008年第6期1895-1898,共4页

传统的滞环电流控制电路通过共基极差分放大器采样电流信号,放大器的偏置电流会对检测电流有较大影响。提出了一种新型滞环电流控制电路,其采用宽共模输入电压范围的比较器结构,电流检测信号从双极型晶体管基极输入,能有效减小对检测电... 传统的滞环电流控制电路通过共基极差分放大器采样电流信号,放大器的偏置电流会对检测电流有较大影响。提出了一种新型滞环电流控制电路,其采用宽共模输入电压范围的比较器结构,电流检测信号从双极型晶体管基极输入,能有效减小对检测电流的影响。该电路在25 V 1.5μm BCD工艺下设计实现,运用在白光LED恒流驱动芯片之中。仿真结果表明该电路的共模输入电压范围为5~25 V,从检测电流吸收的偏置电流不超过308 nA,能较好地完成恒流控制的功能。 展开更多

关键词 滞环电流控制电路 宽共模输入电压范围 BCD工艺

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新型高效同步整流式DC-DC开关电源芯片的设计 被引量：8

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作者 许幸 何杞鑫 王英 《电子器件》 EI CAS 2006年第3期643-646,共4页

随着计算机和半导体技术的发展,低电压大电流开关电源成为目前一个重要的研究课题。同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术,应用十分广泛。文中提出了一种同步整流式DC-DC电源管理芯片的结构,具有大电流、高效率、低... 随着计算机和半导体技术的发展,低电压大电流开关电源成为目前一个重要的研究课题。同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术,应用十分广泛。文中提出了一种同步整流式DC-DC电源管理芯片的结构,具有大电流、高效率、低功耗等特点。提出了设计思想,对电路各功能模块在Cadence软件中进行了仿真分析,最后采用0.6μm CMOS工艺实现。 展开更多

关键词 DC-DC 同步整流 斜波补偿 死区时间控制 电流采样

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一种新型低压功率MOSFET结构分析 被引量：6

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作者 姚丰 何杞鑫 方邵华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期53-56,共4页

介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。

关键词 垂直双扩散型金属氧化物半导体 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 器件仿真 导通电阻

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一种多模式AC/DC控制芯片的设计 被引量：2

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作者 张伟东 丁扣宝 何杞鑫 《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第5期536-540,共5页

根据QR、PWM、PFM模式及绿色模式在特定负载下才具有高效率的特点,提出了一种多模式工作的准谐振反激式AC/DC控制芯片设计方案.通过分别控制导通时间与开关周期,并根据负载的轻重情况,芯片自动切换成4种工作模式.通过芯片内部的多模式功... 根据QR、PWM、PFM模式及绿色模式在特定负载下才具有高效率的特点,提出了一种多模式工作的准谐振反激式AC/DC控制芯片设计方案.通过分别控制导通时间与开关周期,并根据负载的轻重情况,芯片自动切换成4种工作模式.通过芯片内部的多模式功能,克服了准谐振模式在轻载及待机状态下效率较低的问题.整个芯片基于1.5μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺设计.SpecterS的仿真结果表明:在全负载下实现模式的自动切换,具有较高的转换效率,适合使用于负载变化范围较大的AC/DC变换器. 展开更多

关键词 准谐振 脉冲宽度调制 脉冲频率调制 绿色模式 模式切换

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一种适用于准谐振AC/DC控制芯片的波谷检测电路 被引量：2

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作者 张伟东 何杞鑫 《电子器件》 CAS 2008年第6期1786-1789,共4页

设计了一种适用于准谐振反激式AC/DC(交流/直流)控制芯片的波谷电压检测电路。根据反激式变换器辅助绕组电压的特点,在一个开关周期内对辅助绕组电压采用三种不同的处理方式。电路实现了以下功能:检测变压器消磁完成的时间点,然后控制... 设计了一种适用于准谐振反激式AC/DC(交流/直流)控制芯片的波谷电压检测电路。根据反激式变换器辅助绕组电压的特点,在一个开关周期内对辅助绕组电压采用三种不同的处理方式。电路实现了以下功能:检测变压器消磁完成的时间点,然后控制检测电路进行波谷检测;在功率开关管漏极电压斜率±0.09的范围内,检测到电压波谷;对母线输入电压和输出电压进行过压检测。Cadence specter S仿真结果显示,实现了以上功能。将检测电路用于准谐振AC/DC控制芯片,功能实现良好。 展开更多

关键词 准谐振 波谷检测 辅助绕组 预放大锁存比较器

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多模式AC/DC控制芯片的过载研究 被引量：1

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作者 张伟东 丁扣宝 何杞鑫 《电子器件》 CAS 2009年第1期28-30,共3页

多模式AC/DC控制芯片根据负载情况选定相应高效的工作模式以获得高效率。为了合理设定工作负载,在基于Verilog-A建立的反激式变换器仿真模型基础上,仿真研究了多模式AC/DC控制芯片的过载行为。结果表明,当负载过重后,变压器初级获得的... 多模式AC/DC控制芯片根据负载情况选定相应高效的工作模式以获得高效率。为了合理设定工作负载,在基于Verilog-A建立的反激式变换器仿真模型基础上,仿真研究了多模式AC/DC控制芯片的过载行为。结果表明,当负载过重后,变压器初级获得的能量不足以使输出电压稳定,输出电压开始下降。根据仿真曲线确定了输出电压20 V下的过载点为13.4Ω。 展开更多

关键词 开关电源 多模式 准谐振 过载

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一种低噪低振主轴驱动IC设计

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作者 吴美飞 何杞鑫 +2 位作者 吴建兴 王建军 张科锋 《电子器件》 CAS 2008年第5期1510-1513,共4页

在分析典型主轴驱动IC工作原理的基础上,提出了一种新型的驱动结构,并对其工作原理和具体模块的实现进行了介绍。该驱动结构根据主轴位置和转速的不同,合理地选取渐变占空比的PWM控制信号。仿真的结果表明,无论主轴电机是在启动阶段还... 在分析典型主轴驱动IC工作原理的基础上,提出了一种新型的驱动结构,并对其工作原理和具体模块的实现进行了介绍。该驱动结构根据主轴位置和转速的不同,合理地选取渐变占空比的PWM控制信号。仿真的结果表明,无论主轴电机是在启动阶段还是在转动阶段,驱动信号都能合理地给出一个正弦形状的电流控制,达到了低噪低振的要求。 展开更多

关键词 主轴驱动 刚 低噪 低振

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一种新型的应用于DC-DC转换器的斜率补偿设计

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作者 王文建 何杞鑫 +1 位作者 吴建兴 姚云龙 《电子器件》 CAS 2007年第5期1905-1908,1913,共5页

在分析峰值电流控制模式DC-DC转换器的稳定性基础上,提出了一种新型的四段式补偿法.该方法是根据输出占空比的大小进行不同程度的斜率补偿.结合所设计的峰值电流控制模式DC-DC转换器对该斜率补偿进行了分析.采用0.5μm CSMC DPDM工艺模... 在分析峰值电流控制模式DC-DC转换器的稳定性基础上,提出了一种新型的四段式补偿法.该方法是根据输出占空比的大小进行不同程度的斜率补偿.结合所设计的峰值电流控制模式DC-DC转换器对该斜率补偿进行了分析.采用0.5μm CSMC DPDM工艺模型仿真并采用该工艺流片.由仿真和测试结果表明,设计的四段式斜率补偿电路在提高电路性能的同时可以有效地提高了系统的稳定性. 展开更多

关键词 斜率补偿 电流控制模式 DC-DC转换器

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