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钛酸锶铅材料半导性研究被引量：2: 1; 作者何崇斌施云斌 +1 位作者赵丽丽张志勇《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期561-563,共3页; 目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。; 关键词溶胶-凝胶法钛酸锶铅掺杂半导性; 在线阅读下载PDF 职称材料

锶铅比对钛酸锶鉛材料性能的影响被引量：2: 2; 作者何崇斌施云斌 +1 位作者赵丽丽张志勇《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期547-550,共4页; 目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC-PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结... 展开更多; 关键词锶铅比钛酸锶铅材料性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

残余应力与电极电位之间的关系被引量：3: 3; 作者何崇斌《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期245-246,共2页; 结合电化学原理 ,从实验的角度分析论证了残余应力与电极电位之间的对应关系 ,旨在为应力腐蚀的纵深研究和开拓新的应力测试方法做一点尝试。; 关键词残余应力电极电位应力松驰电化学原理应力腐蚀应力测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

MO-PECVD SnO_2气敏薄膜的制备及表征被引量：2: 4; 作者阎军锋何崇斌 +1 位作者王雪文张志勇《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期279-282,共4页; 目的　探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO... 展开更多; 关键词 MO—PECVD方法 SNO2薄膜气敏; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mg^(2+)掺杂对SrTiO_3薄膜光电特性的影响被引量：1: 5; 作者刘雪婷何崇斌 +1 位作者薛异荣焦龙龙《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B06期105-107,共3页; 利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶 SRTIO3薄膜 Mg掺杂电阻率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钛酸锶铅材料半导性研究被引量：2: 1; 作者何崇斌施云斌赵丽丽张志勇; 机构西北大学信息科学与技术学院; 出处《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期561-563,共3页; 基金陕西省自然科学基金资助项目(2002E107); 文摘目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。; 关键词溶胶-凝胶法钛酸锶铅掺杂半导性; Keywords Sol-Gel process （Sr,Pb）TiO3 adulterate material Semiconduction; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锶铅比对钛酸锶鉛材料性能的影响被引量：2: 2; 作者何崇斌施云斌赵丽丽张志勇; 机构西北大学信息科学与技术学院; 出处《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期547-550,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(2002E 07); 文摘目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC-PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结论通过改变锶铅比,可以调节(Sr,Pb)TiO3的居里温度TC,这对扩大(Sr,Pb)TiO3材料的应用范围,具有积极的实用意义。; 关键词锶铅比钛酸锶铅材料性能; Keywords Pb proportion （ Sr, Pb） TiO3 material properties; 分类号 TN37 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名残余应力与电极电位之间的关系被引量：3: 3; 作者何崇斌; 机构西北大学电子科学系; 出处《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期245-246,共2页; 文摘结合电化学原理 ,从实验的角度分析论证了残余应力与电极电位之间的对应关系 ,旨在为应力腐蚀的纵深研究和开拓新的应力测试方法做一点尝试。; 关键词残余应力电极电位应力松驰电化学原理应力腐蚀应力测试; Keywords survivals stress electrode voltage stress loosing; 分类号 TG172.9 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MO-PECVD SnO_2气敏薄膜的制备及表征被引量：2: 4; 作者阎军锋何崇斌王雪文张志勇; 机构西北大学电子科学系; 出处《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期279-282,共4页; 基金陕西省自然科学专项基金资助项目(FE02327); 文摘目的　探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征,对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果　优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论　氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。; 关键词 MO—PECVD方法 SNO2薄膜气敏; Keywords MOPECVD technique SnO_2 gas-sensing thin film gas sensitiveness; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mg^(2+)掺杂对SrTiO_3薄膜光电特性的影响被引量：1: 5; 作者刘雪婷何崇斌薛异荣焦龙龙; 机构西北大学信息科学与技术学院西安电子科技大学技术物理学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B06期105-107,共3页; 基金西北大学研究生创新基金资助项目(10YZZ17); 文摘利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率<100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小。; 关键词溶胶-凝胶 SRTIO3薄膜 Mg掺杂电阻率; Keywords sol-gel SrTiO3 thin film Mg-doped resistively; 分类号 TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	钛酸锶铅材料半导性研究	何崇斌施云斌赵丽丽张志勇	《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	锶铅比对钛酸锶鉛材料性能的影响	何崇斌施云斌赵丽丽张志勇	《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	残余应力与电极电位之间的关系	何崇斌	《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MO-PECVD SnO_2气敏薄膜的制备及表征	阎军锋何崇斌王雪文张志勇	《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Mg^(2+)掺杂对SrTiO_3薄膜光电特性的影响	刘雪婷何崇斌薛异荣焦龙龙	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料