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基于生成对抗网络模型的高自由度超表面原子逆向设计
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作者 王军凯 林森 +4 位作者 刘港成 伍滨和 王春瑞 周健 孙浩 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第5期61-68,共8页
为解决传统方法在设计电磁响应差异显著的超表面时需要消耗大量时间以及计算资源的问题,打破超表面在波前调控领域的应用瓶颈,将生成对抗神经网络与预测神经网络组合的模型引入设计流程中,实现了对高自由度超原子的快速、精确逆向设计... 为解决传统方法在设计电磁响应差异显著的超表面时需要消耗大量时间以及计算资源的问题,打破超表面在波前调控领域的应用瓶颈,将生成对抗神经网络与预测神经网络组合的模型引入设计流程中,实现了对高自由度超原子的快速、精确逆向设计。研究表明,使用卷积网络模型作为光谱预测器代替复杂的电磁数值模拟时,可实现对超原子电磁响应光谱的快速、准确分析。生成对抗网络模型则取代了传统的迭代优化试错法,能够根据设计要求快速产生多个满足条件的候选超原子结构。该模型结合工艺容差分析等手段,为全息显示、光学功能器件等新颖应用提供可靠的设计方法。 展开更多
关键词 超表面 逆向设计 预测网络 生成对抗网络 高自由度
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损耗介质中电磁波折射规律分析
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作者 孙浩译 谢德俊 +2 位作者 刘港成 钟方川 伍滨和 《大学物理》 2024年第6期68-72,共5页
本文在研究各向同性介质的基础上,分别对复折射角和复波矢两种方法进行考察,并从折射角和菲涅耳系数方面证明了这两种方法的等价性.我们进一步利用时域有限差分法数值模拟了损耗介质中的电磁波传播过程,验证了理论分析结果的可靠性.更... 本文在研究各向同性介质的基础上,分别对复折射角和复波矢两种方法进行考察,并从折射角和菲涅耳系数方面证明了这两种方法的等价性.我们进一步利用时域有限差分法数值模拟了损耗介质中的电磁波传播过程,验证了理论分析结果的可靠性.更有趣的是,与无损耗介质折射不同,电磁波在斜入射到损耗介质后可能存在不改变传播方向的情况,即折射角可以等于入射角.这些分析不仅有利于理解电磁波在无损耗介质-损耗介质中的传播规律,也对电磁学知识的学习与应用有所帮助. 展开更多
关键词 损耗介质 斯涅尔定律 复折射角 复波矢
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小型化前倾毫米波双狭缝天线的设计与制作 被引量:2
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作者 周健 赵敏 +2 位作者 孙芸 伍滨和 孙晓玮 《红外》 CAS 2019年第10期20-25,共6页
常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下:频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角... 常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下:频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角为20°~24°,旁瓣抑制度要求大于-10 dB,天线长度小于85 mm,方位角大于80°,俯仰角小于11°,增益大于11 dB。测试结果表明,天线增益为12 dB,在36.85~37.15 GHz条件下,方位角位于116°~134°之间,俯仰角位于8°~9°之间,前倾角在22°~24°之间,旁瓣抑制度位于-11.45^-14.60 dB之间,且波束方向可控。在36.5~37.5 GHz频率范围内,驻波比保持在1.413以下,收发隔离度保持在-51.132以下,天线总长度为83 mm。该天线的测试结果与设计一致,能满足设计要求,为无人机侧向探测器提供天线技术支撑。 展开更多
关键词 缝隙天线 前倾探测 毫米波 小型化
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Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析 被引量:4
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作者 赵敏 周健 +1 位作者 孙浩 伍滨和 《电子器件》 CAS 北大核心 2020年第3期477-481,共5页
传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度... 传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度、硅通孔(TSV)距离芯片中心位置及个数的变化规律,获得芯片埋置的热学最优化工艺参数。最终确定的模型集成度高、体积小、散热效果好,封装体积仅为20 mm×10 mm×1 mm,可以实现三维堆叠,芯片工作温度要比传统贴片封装模型降低13.64℃,符合芯片正常工作的温度需求。 展开更多
关键词 封装散热 GaAs芯片 Si基埋置型 TSV通孔 热学仿真
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Anomalous Direct-Current Josephson Effect in Semiconductor Nanowire Junctions
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作者 伍滨和 封许昱 +2 位作者 王超 徐晓峰 王春瑞 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第1期118-122,共5页
We investigate the dc Josephson effect in one-dimensional junctions where a ring conductor is sandwiched between two semiconductor nanowires with proximity-induced superconductivity. Peculiar features of the Josephson... We investigate the dc Josephson effect in one-dimensional junctions where a ring conductor is sandwiched between two semiconductor nanowires with proximity-induced superconductivity. Peculiar features of the Josephson effect arise due to the interplay of spin-orbit interaction and external Zeenmn field. By tuning the Zeeman field orientation, the device can vary from 0 to π junction. Afore importantly, nonzero ,losephson current is possible at zero phase difference across the junction. Although this anomalous Josephson current is not relevant to the topological phase transition, its magnitude can be significantly enhanced whe, n the nanowire, s become topological superconductors where Majorana bound states emerge. Distinct modulation patterns are obtained for the semiconductor nanowires in the topologically trivial and non-trivial phases. These results are useful to probe the topological phase transition in semiconductor nanowire junctions via the dc Josephson effect. 展开更多
关键词 of IS on in for Anomalous Direct-Current Josephson Effect in Semiconductor Nanowire Junctions SOI
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