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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
1
作者
周文政
代娴
+4 位作者
林铁
商丽燕
崔利杰
曾一平
褚君浩
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1027-1031,共5页
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子...
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。
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关键词
量子阱
二维电子气
磁输运
零场自旋分裂
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职称材料
As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
2
作者
周文政
代娴
+2 位作者
林铁
徐庆庆
褚君浩
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期821-826,共6页
用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最...
用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合（MEPMS＋MCF）的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS＋MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。
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关键词
HG1-XCDXTE
磁输运
载流子浓度
载流子迁移率
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职称材料
题名
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
1
作者
周文政
代娴
林铁
商丽燕
崔利杰
曾一平
褚君浩
机构
广西大学物理科学与工程技术学院
广西大学行健文理学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室
中国科学院半导体研究所新材料部
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期1027-1031,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60906045)
广西大学科研基金资助项目(X071109
XB2090777)
文摘
用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。
关键词
量子阱
二维电子气
磁输运
零场自旋分裂
Keywords
quantum well
two-dimensional electron gas
magneto-transport
zero-field spin splitting
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
2
作者
周文政
代娴
林铁
徐庆庆
褚君浩
机构
广西大学物理科学与工程技术学院
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
广西大学行健文理学院
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期821-826,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60906045)
广西大学科学基金资助项目(X071109
XB2090777)
文摘
用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合（MEPMS＋MCF）的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS＋MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。
关键词
HG1-XCDXTE
磁输运
载流子浓度
载流子迁移率
Keywords
Hg1-xCdxTe
magneto-transport
carrier concentration
carrier mobility
分类号
O472.6 [理学—半导体物理]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
周文政
代娴
林铁
商丽燕
崔利杰
曾一平
褚君浩
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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下载PDF
职称材料
2
As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
周文政
代娴
林铁
徐庆庆
褚君浩
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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