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表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
1
作者
戴显英
李志
+5 位作者
张鹤鸣
郝跃
王琳
查冬
王晓晨
付毅初
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期94-97,113,共5页
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电...
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
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关键词
阈值电压模型
Ge沟道pMOSFET
漏致势垒降低效应
短沟道效应
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职称材料
题名
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
1
作者
戴显英
李志
张鹤鸣
郝跃
王琳
查冬
王晓晨
付毅初
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期94-97,113,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
文摘
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
关键词
阈值电压模型
Ge沟道pMOSFET
漏致势垒降低效应
短沟道效应
Keywords
threshold voltage
Ge channel pMOSFET
DIBL
SCE
分类号
O141.4 [理学—基础数学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
戴显英
李志
张鹤鸣
郝跃
王琳
查冬
王晓晨
付毅初
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
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