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题名沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响
被引量：2
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作者
于成磊
王伟
段赛赛
于龙宇
刘孟杰
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机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期553-557,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61774054)
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文摘
研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜。去除Ni后,将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表征,研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响。结果表明,借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影响,沉积温度在600℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能。
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关键词
石墨烯
沉积温度
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
牺牲层Ni
图形化
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Keywords
graphene
deposition temperature
plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
sacrificial layer Ni
patterned
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分类号
TQ127.11
[化学工程—无机化工]
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