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HL－1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究
被引量：
6
1
作者
汪占河
冯兴亚
+3 位作者
罗俊林
于志荣陈卉
李可华
冉利波
《核聚变与等离子体物理》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期20-26,共7页
本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明，在ＨＬ－１上偏压诱发Ｈ模等离子体中对杂质的...
本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明，在ＨＬ－１上偏压诱发Ｈ模等离子体中对杂质的约束性能明显优于在通常欧姆等离子体中对杂质的约束性能。杂质输运的数值模拟结果说明，无论在通常欧姆等离子体中，还是在偏压诱发Ｈ模等离子体中，杂质的输运系数都比新经典理论预计的要大得多，输运是反常的。在偏压诱发的Ｈ模等离子体中引入杂质输运“位阱”概念，能够对杂质离子约束时间长的实验现象进行很好的描述。合理地解释了在偏压杂质注入实验中杂质辐射上升时间长、衰减慢的现象。
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关键词
杂质输运
欧姆放电
托卡马克
杂质注入
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职称材料
题名
HL－1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究
被引量：
6
1
作者
汪占河
冯兴亚
罗俊林
于志荣陈卉
李可华
冉利波
机构
核工业西南物理研究院
出处
《核聚变与等离子体物理》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期20-26,共7页
文摘
本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明，在ＨＬ－１上偏压诱发Ｈ模等离子体中对杂质的约束性能明显优于在通常欧姆等离子体中对杂质的约束性能。杂质输运的数值模拟结果说明，无论在通常欧姆等离子体中，还是在偏压诱发Ｈ模等离子体中，杂质的输运系数都比新经典理论预计的要大得多，输运是反常的。在偏压诱发的Ｈ模等离子体中引入杂质输运“位阱”概念，能够对杂质离子约束时间长的实验现象进行很好的描述。合理地解释了在偏压杂质注入实验中杂质辐射上升时间长、衰减慢的现象。
关键词
杂质输运
欧姆放电
托卡马克
杂质注入
Keywords
Impurity transport Ohmic discharge H mode discharge Confinement
分类号
TL631.24 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HL－1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究
汪占河
冯兴亚
罗俊林
于志荣陈卉
李可华
冉利波
《核聚变与等离子体物理》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
6
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