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一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术
1
作者 薛颜 徐文荣 +2 位作者 于宗光 李琨 李加燊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期46-54,共9页
针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术。前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方... 针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术。前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方式,利用PN的统计特性校准增益误差。本校准技术在系统级建模和RTL级电路设计的基础上,实现了现场可编程门阵列(FPGA)验证并成功流片。测试结果显示,在1 GS/s采样速率下,校准精度为14 bit的Pipelined ADC的有效位数从9.30 bit提高到9.99 bit,信噪比提高约4 dB,无杂散动态范围提高9.5 dB,积分非线性(INL)降低约10 LSB。 展开更多
关键词 Pipelined模数转换器(ADC) 电容失配 增益误差 前台校准 后台校准
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一种基于FPGA的AD936x基带接口设计 被引量：1
2
作者 张跃为 于宗光 陆皆晟 《电子与封装》 2024年第3期75-81,共7页
在目前主流的软件无线电中,模数转换器(ADC)的速率和分辨率都较高,对于更高效率的数字接口的需求越来越大。为了满足目前实际应用对高速抗干扰、高可扩展性、低功耗等的需求,降低高速率传输下的抖动、毛刺导致的误码率,设计了一种基于F... 在目前主流的软件无线电中,模数转换器(ADC)的速率和分辨率都较高,对于更高效率的数字接口的需求越来越大。为了满足目前实际应用对高速抗干扰、高可扩展性、低功耗等的需求,降低高速率传输下的抖动、毛刺导致的误码率,设计了一种基于FPGA的AD936x基带接口模块,重点介绍了该模块的系统组成以及ADC与FPGA之间的低电压差分信号双倍数据速率(LVDS DDR)、时钟采样、差分转换、帧数据同步、可配置延迟等关键技术。数据传输实验结果表明,该接口模块具有可靠的高速抗干扰数据传输能力,相对于传统的基带接口,具有高速率、高可靠、低功耗、高可配置性等特点。 展开更多
关键词 软件无线电 数字信号处理 FPGA LVDS ILA
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一种基于伪随机动态补偿的12位250 MS/s流水线ADC 被引量：2
3
作者 于宗光 陈珍海 +2 位作者 吴俊 邹家轩 季惠才 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期902-906,共5页
提出了一种基于伪随机补偿技术的流水线模数转换器(ADC)子级电路.该子级电路能够对比较器失调和电容失配误差进行实时动态补偿.误差补偿采用伪随机序列控制比较器阵列中参考比较电压的方式实现.比较器的高低位被随机分配,以消除各比较... 提出了一种基于伪随机补偿技术的流水线模数转换器(ADC)子级电路.该子级电路能够对比较器失调和电容失配误差进行实时动态补偿.误差补偿采用伪随机序列控制比较器阵列中参考比较电压的方式实现.比较器的高低位被随机分配,以消除各比较器固有失调对量化精度的影响,同时子ADC输出的温度计码具有伪随机特性,可进一步消除MDAC电容失配误差对余量输出的影响.基于该子级电路设计了一种12位250 MS/s流水线ADC,电路采用0.18μm 1P5M1.8 V CMOS工艺实现,面积为2.5 mm2.测试结果表明,该ADC在全速采样条件下对20 MHz输入信号的信噪比(SNR)为69.92 dB,无杂散动态范围(SFDR)为81.17 dB,积分非线性误差(INL)为-0.4^+0.65 LSB,微分非线性误差(DNL)为-0.2^+0.15 LSB,功耗为320 mW. 展开更多
关键词 流水线模数转换器 失调误差 电容失配误差 动态补偿 伪随机码
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基于Ti/Pt/Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件 被引量：3
4
作者 于宗光 李海鸥 黄伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期179-182,192,共5页
应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速... 应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速热退火后,得到欧姆接触最小电阻值为0.025Ω·mm。同时合金界面形态良好。制备出栅长1.0μm的InP基HEMT器件,测试结果表明器件具有良好的DC和RF特性,器件最大跨导(Gmmax)为672 mS/mm。饱和源漏电流IDSS为900 mA/mm,阈值电压为-0.8 V,单一的电流增益截止频率(fT)为40 GHz,最大晶振fmax为45 GHz。 展开更多
关键词 磷化铟 高电子迁移率晶体管(HEMT) 欧姆接触 钛 铂 金 化合物半导体
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EEPROM失效机理初探 被引量：5
5
作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期127-133,共7页
在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。
关键词 电可擦除 可编程 只读取存储器 可靠性 失效
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改进的电压倍增器模型及其应用 被引量：2
6
作者 于宗光 魏同立 +1 位作者 许居衍 王鸿宾 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第1期82-86,共5页
分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压倍增器模型．用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等的关系．模型计算结果和ＳＰＩＣＥ模拟结果吻合良好．在考虑了电流驱动能... 分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压倍增器模型．用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等的关系．模型计算结果和ＳＰＩＣＥ模拟结果吻合良好．在考虑了电流驱动能力后。 展开更多
关键词 电压倍增器 升压电路 CMOS 升压值
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硅基GaN超级结器件研究 被引量：1
7
作者 于宗光 黄伟 李海鸥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期51-55,共5页
提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型。实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25^-0.25 V时,漂移区长度为10μm的新器件其峰值跨导g m(max)出现最大值约为390 mS/mm,且较为平缓。该器件导通电阻... 提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型。实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25^-0.25 V时,漂移区长度为10μm的新器件其峰值跨导g m(max)出现最大值约为390 mS/mm,且较为平缓。该器件导通电阻较低,比导通电阻为0.562 5 mΩ·cm2,仅为相同漂移区长度的常规增强型GaN高压器件比导通电阻率2.25 mΩ·cm2的25%。该器件击穿特性与漂移区长度呈较好的线性关系,并在漂移区长度为15μm时,击穿电压接近硅基GaN高压器件的理想击穿电压,约为657 V,比前者器件结构的击穿电压提高了约182 V。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 氮化镓异质结 超级结 F-离子处理技术 比导通电阻
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浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究 被引量：2
8
作者 于宗光 陆锋 +4 位作者 徐征 叶守银 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期90-91,95,共3页
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .
关键词 EEPROM 浮栅 隧道氧化层 电荷泄漏
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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究 被引量：1
9
作者 于宗光 徐征 +4 位作者 叶守银 张国华 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 . 展开更多
关键词 EEPROM 隧道氧化层 擦写过程 陷阱俘获电荷
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一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计 被引量：1
10
作者 于宗光 叶守银 +2 位作者 夏树荣 徐征 杨功成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期57-59,共3页
提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。
关键词 MOS 专用集成电路 输入保护电路 设计
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硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备 被引量：1
11
作者 于宗光 钱文生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期40-46,共7页
研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的B... 研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的BSCCO／YSZ／Si兼容材料。 展开更多
关键词 高温超导膜 BSCCO 硅衬底
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SoC和FPGA技术未来的发展趋势 被引量：11
12
作者 于宗光 魏敬和 王国章 《电子与封装》 2006年第3期1-5,共5页
文章论述当前深亚微米工艺条件下SoC、FPGA技术发展现状。通过分析各自不同的技术特点,指出在未来几年随着PSoC和CSoC的出现,SoC设计的灵活性大大增加,使得SoC和FPGA 在设计方法和技术上会出现融合及借鉴的态势。SoC和FPGA之间设计思路... 文章论述当前深亚微米工艺条件下SoC、FPGA技术发展现状。通过分析各自不同的技术特点,指出在未来几年随着PSoC和CSoC的出现,SoC设计的灵活性大大增加,使得SoC和FPGA 在设计方法和技术上会出现融合及借鉴的态势。SoC和FPGA之间设计思路的趋近,将大大促进集成电路的发展。 展开更多
关键词 系统芯片 可编程逻辑器件 深亚微米
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集成电路市场及经营模式的分析与探讨 被引量：1
13
作者 于宗光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期7-12,21,共7页
在分析全球集成电路形势的基础上,对通信、消费类电子、化合物半导体IC、MCU、Flashmemory 等IC市场进行了探讨。论述了IDM和Fabless、Foundry三种经营模式的特点与前途,并对我国集成电路产业的前景及发展模式进行了展望。
关键词 集成电路 市场 经营模式 IDM FABLESS FOUNDRY
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集成电路设计方法新进展 被引量：2
14
作者 于宗光 陈飚 谢杰 《电子与封装》 2008年第7期13-19,共7页
文章首先简单回顾了近两年来我国集成电路设计技术的现状,然后详细阐述了基于IP的设计方法、基于平台的设计方法。同时对混合信号集成电路设计方法和DSP的设计新方法进行了探讨。最后讨论了基于IP重构的设计方法和90nm以后集成电路设计... 文章首先简单回顾了近两年来我国集成电路设计技术的现状,然后详细阐述了基于IP的设计方法、基于平台的设计方法。同时对混合信号集成电路设计方法和DSP的设计新方法进行了探讨。最后讨论了基于IP重构的设计方法和90nm以后集成电路设计方法中的一些热点问题。 展开更多
关键词 集成电路 设计方法 知识产权模块 数字信号处理器 平台 可重构
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IEEE 1149.1标准与边界扫描技术 被引量：19
15
作者 于宗光 《电子与封装》 2003年第5期40-47,共8页
本文首先分析了集成电路可测性设计的必要性,接着介绍了边界扫描的基本结构、IEEE1149.1标准及指令寄存器、数据寄存器,分析了边界扫描的工作过程,介绍了基本的扫描寄存器结构,最后给出了系统集成可测性设计的策略。
关键词 IC 可测性 边界扫描 内建自测试 系统集成
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相位量化器专用芯片
16
作者 于宗光 徐爱华 +3 位作者 王冠仁 许居衍 孟令杰 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期90-90,共1页
相位量化器专用芯片于宗光，徐爱华，王冠仁，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉａｌｉｚｅｄＣｈｉｐｓｆｏｒＰｈａｓｅＱ... 相位量化器专用芯片于宗光，徐爱华，王冠仁，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉａｌｉｚｅｄＣｈｉｐｓｆｏｒＰｈａｓｅＱｕａｎｔｉｚｉｎｇ￥ＹｕＺｏｎｇｇ... 展开更多
关键词 相位量化器 芯片 电子对抗 设备
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ASIC单元库建库方法的研究 被引量：1
17
作者 于宗光 邵锦荣 何晓娃 《半导体情报》 2000年第4期1-4,13,共5页
介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。
关键词 ASIC 单元库 集成电路 建库
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CMOS集成电路的ESD设计技术 被引量：9
18
作者 于宗光 《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第2期16-21,共6页
首先论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性 ,接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术 ,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等。采用适当的ESD保护技术 ,0 8μmCMOS集成电路的ESD能力可以达到... 首先论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性 ,接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术 ,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等。采用适当的ESD保护技术 ,0 8μmCMOS集成电路的ESD能力可以达到 30 0 0V。 展开更多
关键词 CMOS集成电路 静电放电 电路设计
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高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
19
作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期329-336,共8页
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老... 利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２，平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２，有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ，界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １，平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。 展开更多
关键词 浮栅隧道氧化层 陷阱电荷 应力 MOS晶体管
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高输出电压的D／A转换器
20
作者 于宗光 常桂兰 +5 位作者 赵晖 周一峰 华晓波 许居衍 孟令杰 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期89-89,共1页
高输出电压的Ｄ／Ａ转换器于宗光，常桂兰，赵晖，周一峰，华晓波，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡＤ／ＡＣｏｎｖｅｒｔｏｒｗｉｔｈＨｉｇｈ－ｖｏｌｔ... 高输出电压的Ｄ／Ａ转换器于宗光，常桂兰，赵晖，周一峰，华晓波，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡＤ／ＡＣｏｎｖｅｒｔｏｒｗｉｔｈＨｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅＯｕｔｐｕｔ￥ＹｕＺｏｎｇｇ... 展开更多
关键词 数-模转换器 输出电压
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