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题名中压沟槽MOSFET的设计与研究
被引量：1
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作者
卓宁泽
赖信彰
于世珩
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机构
江苏长晶科技股份有限公司
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出处
《微电子学与计算机》
2023年第3期125-131,共7页
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基金
江北新区重点研发计划(ZDYF20200107)
江苏省重点研发计划(BE2020010)。
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文摘
基于仿真和实验方法,开展了100VN沟槽MOSFET的设计研究工作.通过沟槽深度,体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏,获得了对击穿电压,阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析,仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布.随着沟槽深度增加击穿电压先升后降,导通电阻则表现为相反趋势;击穿电压与注入剂量具有弱相关性,阈值电压随注入剂量增加而升高;击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势,但变化幅度不大,阈值电压与厚度变化表现出强相关性.通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度1.5 um,体区注入剂量1.3E13,栅氧化层厚度700 A,通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为105.6 V,阈值电压2.67 V,导通电阻3.12 mR,相较于仿真参数分别有98%,94%和75%的变化率.
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关键词
沟槽MOSFET
沟槽深度
注入剂量
击穿电压
导通电阻
阈值电压
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Keywords
Trench MOSFET
Trench depth
Implant dose
Breakdown voltage
On-Resistance
Threshold Voltage
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名多重场限环型终端结构的优化设计
被引量：1
- 2
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作者
卓宁泽
赖信彰
于世珩
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机构
江苏长晶科技股份有限公司
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出处
《电子与封装》
2023年第2期79-83,共5页
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基金
江苏省重点研发计划(BE2020010)
江北新区重点研发计划(ZDYF20200107)。
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文摘
开展了硅基金属氧化物场效应晶体管用多重场限环型终端结构的优化设计工作。研究了体区注入剂量、场限环宽度、主结宽度对击穿电压的影响规律,并对其机理进行了分析。通过仿真获得了器件内部的电场、电势和碰撞电离率分布。通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数,体区注入剂量为1.3×10^(13)cm^(-3),场限环宽度为1.5μm,主结宽度为11μm,对应终端击穿电压为106 V。实验开版流片获得的器件击穿电压为105.6 V,良率达到98.65%。
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关键词
场限环
终端结构
硅基金属氧化物场效应晶体管
击穿电压
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Keywords
field limiting ring
termination structure
silicon-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
breakdown voltage
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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