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不同界面次序CoFeMnSi多层膜的磁各向异性
1
作者
乔礼红
游才印
+3 位作者
付花睿
田娜
白洋
刘小鱼
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期136-141,共6页
利用磁控溅射仪制备Ta作缓冲层、最上层Pd作保护层的Ta/Pd/CoFeMnSi/MgO(t_(MgO))/Pd多层膜以及仅界面次序不同的Ta/MgO(t_(MgO))/CoFeMnSi/Pd多层膜,其中,t MgO分别为1.0 nm、1.2 nm、1.4 nm、1.6 nm、1.8 nm、2.0 nm、2.2 nm和2.4 nm,...
利用磁控溅射仪制备Ta作缓冲层、最上层Pd作保护层的Ta/Pd/CoFeMnSi/MgO(t_(MgO))/Pd多层膜以及仅界面次序不同的Ta/MgO(t_(MgO))/CoFeMnSi/Pd多层膜,其中,t MgO分别为1.0 nm、1.2 nm、1.4 nm、1.6 nm、1.8 nm、2.0 nm、2.2 nm和2.4 nm,在300℃真空条件下退火30 min,探究界面次序不同导致多层膜不同磁各向异性的物理机理。磁性测试结果表明,Ta/Pd/CoFeMnSi/MgO(t_(MgO))/Pd多层膜在t MgO为1.6~2.0 nm时显示较好的垂直磁各向异性(PMA),Ta/MgO(t_(MgO))/CoFeMnSi/Pd多层膜在MgO厚度测试范围内均显示面内磁各向异性(IMA)。分析界面处元素化学态得到Ta/MgO/CoFeMnSi/Pd结构多层膜不能实现PMA的原因包括:Ta层对O的抢夺导致Co、Fe与O的键合不足;CoFeMnSi中Si和Mn发生一定量的氧化,进一步使Co-O、Fe-O键合含量减少。
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关键词
垂直磁各向异性
CoFeMnSi
磁控溅射
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职称材料
条纹图形Heusler合金CoFeMnSi薄膜的制备及其磁特性研究
2
作者
乔礼红
游才印
+2 位作者
付花睿
马丽
田娜
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期4170-4174,共5页
以CoFeMnSi作为研究对象,对其进行图形化设计,以研究图形化CoFeMnSi薄膜的磁学特性。利用感光溶胶-凝胶法和激光干涉法制得条纹图形ZrO2薄膜,之后利用磁控溅射法在其表面溅射沉积CoFeMnSi,以达到制得图形化CoFeMnSi磁性薄膜的目的,并对...
以CoFeMnSi作为研究对象,对其进行图形化设计,以研究图形化CoFeMnSi薄膜的磁学特性。利用感光溶胶-凝胶法和激光干涉法制得条纹图形ZrO2薄膜,之后利用磁控溅射法在其表面溅射沉积CoFeMnSi,以达到制得图形化CoFeMnSi磁性薄膜的目的,并对其表面形貌和磁学特性进行了表征。采用金相显微镜分析验证CoFeMnSi薄膜继承了ZrO2的条纹图形结构,条纹图形周期约为2μm;面内磁性测量显示薄膜398 kA/m磁场下的磁化强度与外磁场和条纹夹角θ呈180°周期性变化关系,且磁化强度介于390~440 kA/m;利用CoFeMnSi平膜面内磁化强度及面外磁化强度与外加磁场方向的变化关系,解释了条形薄膜磁化强度的θ角度依赖关系;采用磁力显微镜观察到磁畴结构形态为蜂窝状,磁畴尺寸大约1~2μm。
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关键词
HEUSLER合金
CoFeMnSi
图形化薄膜
磁控溅射
磁性
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职称材料
题名
不同界面次序CoFeMnSi多层膜的磁各向异性
1
作者
乔礼红
游才印
付花睿
田娜
白洋
刘小鱼
机构
西安理工大学材料科学与工程学院
包头稀土新材料技术研发中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期136-141,共6页
基金
国家自然科学基金(51961145305,52171191)
陕西省重点研发计划国际合作项目(2021KWZ-12)
陕西省高校青年创新团队。
文摘
利用磁控溅射仪制备Ta作缓冲层、最上层Pd作保护层的Ta/Pd/CoFeMnSi/MgO(t_(MgO))/Pd多层膜以及仅界面次序不同的Ta/MgO(t_(MgO))/CoFeMnSi/Pd多层膜,其中,t MgO分别为1.0 nm、1.2 nm、1.4 nm、1.6 nm、1.8 nm、2.0 nm、2.2 nm和2.4 nm,在300℃真空条件下退火30 min,探究界面次序不同导致多层膜不同磁各向异性的物理机理。磁性测试结果表明,Ta/Pd/CoFeMnSi/MgO(t_(MgO))/Pd多层膜在t MgO为1.6~2.0 nm时显示较好的垂直磁各向异性(PMA),Ta/MgO(t_(MgO))/CoFeMnSi/Pd多层膜在MgO厚度测试范围内均显示面内磁各向异性(IMA)。分析界面处元素化学态得到Ta/MgO/CoFeMnSi/Pd结构多层膜不能实现PMA的原因包括:Ta层对O的抢夺导致Co、Fe与O的键合不足;CoFeMnSi中Si和Mn发生一定量的氧化,进一步使Co-O、Fe-O键合含量减少。
关键词
垂直磁各向异性
CoFeMnSi
磁控溅射
Keywords
perpendicular magnetic anisotropy
CoFeMnSi
magnetron sputter
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
条纹图形Heusler合金CoFeMnSi薄膜的制备及其磁特性研究
2
作者
乔礼红
游才印
付花睿
马丽
田娜
机构
西安理工大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期4170-4174,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51771145)。
文摘
以CoFeMnSi作为研究对象,对其进行图形化设计,以研究图形化CoFeMnSi薄膜的磁学特性。利用感光溶胶-凝胶法和激光干涉法制得条纹图形ZrO2薄膜,之后利用磁控溅射法在其表面溅射沉积CoFeMnSi,以达到制得图形化CoFeMnSi磁性薄膜的目的,并对其表面形貌和磁学特性进行了表征。采用金相显微镜分析验证CoFeMnSi薄膜继承了ZrO2的条纹图形结构,条纹图形周期约为2μm;面内磁性测量显示薄膜398 kA/m磁场下的磁化强度与外磁场和条纹夹角θ呈180°周期性变化关系,且磁化强度介于390~440 kA/m;利用CoFeMnSi平膜面内磁化强度及面外磁化强度与外加磁场方向的变化关系,解释了条形薄膜磁化强度的θ角度依赖关系;采用磁力显微镜观察到磁畴结构形态为蜂窝状,磁畴尺寸大约1~2μm。
关键词
HEUSLER合金
CoFeMnSi
图形化薄膜
磁控溅射
磁性
Keywords
Heusler alloys
CoFeMnSi
patterned film
magnetron sputtering
magnetic properties
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同界面次序CoFeMnSi多层膜的磁各向异性
乔礼红
游才印
付花睿
田娜
白洋
刘小鱼
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
条纹图形Heusler合金CoFeMnSi薄膜的制备及其磁特性研究
乔礼红
游才印
付花睿
马丽
田娜
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
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职称材料
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