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低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析被引量：7: 1; 作者王士伟严阳阳 +1 位作者程志强陈淑芬《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期201-206,共6页; 针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上... 展开更多; 关键词三维集成电路硅通孔低阻硅热膨胀; 在线阅读下载PDF 职称材料

压电合成射流激励器LEM方法研究被引量：3: 2; 作者严阳阳周凌峰 +2 位作者丁英涛王士伟苏日娜《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期326-330,共5页; 基于线性复合平板理论,将机-电-声等效方法应用于压电合成射流激励器,建立了激励器的集总参数模型(LEM).借助ANSYS软件和Matlab软件提取等效模型的关键参数,并使用Matlab软件对合成射流激励器的LEM模型进行了仿真.仿真结果与实验测试值... 展开更多; 关键词压电合成射流激励器集总参数模型(LEM) 热线风速仪频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究被引量：2: 3; 作者王士伟刘斌 +2 位作者卢威严阳阳陈淑芬《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期196-200,206,共6页; 2.5D集成技术(转接层技术)可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔(TSV)的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1GHz时,回波损耗S_(11)为-24.7... 展开更多; 关键词三维集成电路转接层硅通孔低阻硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器被引量：3: 4; 作者丁英涛卢威严阳阳《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期958-963,共6页; 基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统(micro-electro-mechanical-systems,MEMS)加工工艺,并结合耦合系数设计方法,选用终端开路式交指结构,实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤... 展开更多; 关键词 MEMS滤波器微机电系统工艺 C波段小型化; 在线阅读下载PDF 职称材料

高能压电合成射流激励器的实验研究: 5; 作者张蕾严阳阳 +1 位作者李博丁英涛《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期981-984,共4页; 为有效控制飞行器边界层的流动分离和增强掺混,提出了一种全新的流动控制技术.采用微细加工技术成功地制作了压电合成射流激励器,并对其流场特性进行了测试,得到了激励器的流向和展向射流速度分布规律以及流向速度与频率之间的关系.结... 展开更多; 关键词压电合成射流激励器热线 Helmholtz频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化: 6; 作者严阳阳刘斌 +2 位作者王士伟卢威丁英涛《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期68-72,共5页; 针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式... 展开更多; 关键词 MEMS滤波器脉冲电镀亚硫酸金盐无氰电镀; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于碳纳米球掩膜工艺的大功率T/R组件散热用金属流道冷板被引量：1: 7; 作者桂进乐余怀强 +5 位作者严阳阳王腾黄波田野蒋创新汤劲松《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1193-1197,共5页; 由于金属流道液冷板仍存在加工工艺复杂、换热性能差等问题,提出了一种基于碳纳米球掩膜工艺的金属流道冷板的加工方法,并据此实现了某型号大功率T/R组件用金属流道冷板的成型.通过数值模拟及实验的方法研究了该金属流道冷板的流动特性... 展开更多; 关键词碳纳米球金属流道液冷 T/R组件大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析被引量：7: 1; 作者王士伟严阳阳程志强陈淑芬; 机构北京理工大学光电学院; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期201-206,共6页; 基金国家自然科研基金资助项目(61404008 61574016) +1 种基金 "111"引智计划资助项目(B14010) 北京理工大学基础研究基金资助项目(20130542015); 文摘针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO_2厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO_2厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法.; 关键词三维集成电路硅通孔低阻硅热膨胀; Keywords three dimensional integration through silicon via low resistivity silicon thermal ex pansion; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压电合成射流激励器LEM方法研究被引量：3: 2; 作者严阳阳周凌峰丁英涛王士伟苏日娜; 机构北京理工大学信息与电子学院; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期326-330,共5页; 基金北京理工大学基础研究基金资助项目(20110542016); 文摘基于线性复合平板理论,将机-电-声等效方法应用于压电合成射流激励器,建立了激励器的集总参数模型(LEM).借助ANSYS软件和Matlab软件提取等效模型的关键参数,并使用Matlab软件对合成射流激励器的LEM模型进行了仿真.仿真结果与实验测试值进行了对比,两者吻合得较好.与传统仿真方法相比,所提出的LEM方法具有操作简单、耗时短、占用资源少和效率高等优点.; 关键词压电合成射流激励器集总参数模型(LEM) 热线风速仪频率; Keywords piezoelectric synthetic jet actuator lumped element model（LEM） hot-wire anemometer frequency; 分类号 V211.3 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究被引量：2: 3; 作者王士伟刘斌卢威严阳阳陈淑芬; 机构北京理工大学光电学院; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期196-200,206,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61404008 61574016) +1 种基金 "111"引智计划资助项目(B14010) 北京理工大学基础研究基金资助项目(20130542015); 文摘 2.5D集成技术(转接层技术)可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔(TSV)的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1GHz时,回波损耗S_(11)为-24.7dB,插入损耗S_(21)为-0.52dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型,与电磁仿真结果对比,具有较好的一致性,可以实现在0.1~10GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真,结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响,但是寄生电容的影响相对较小.; 关键词三维集成电路转接层硅通孔低阻硅; Keywords three dimensional integration interposer through silicon via low resistivity silicon; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器被引量：3: 4; 作者丁英涛卢威严阳阳; 机构北京理工大学信息与电子学院; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期958-963,共6页; 基金北京理工大学基础研究基金资助项目(20130542015); 文摘基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统(micro-electro-mechanical-systems,MEMS)加工工艺,并结合耦合系数设计方法,选用终端开路式交指结构,实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤波器工艺加工流程,并基于高阻硅衬底成功实现了滤波器的制造和测试.测试结果表明,所制造的滤波器中心频率为3.96GHz,频率误差为2.6%,通带内插入损耗约4dB,驻波比小于1.2,相对带宽为20.7%,器件整体尺寸为7.0mm×7.8mm×0.8mm,器件质量小于0.1g,具有尺寸小、重量轻、性能高、造价低、可批量生产、易于单片集成等显著优点,适应了微波毫米波电路对于滤波器件小型化、轻质化、集成化发展的应用要求.; 关键词 MEMS滤波器微机电系统工艺 C波段小型化; Keywords MEMS filters MEMS fabrication techniques C band miniaturization; 分类号 TN603.5 [电子电信—电路与系统] TN629.1 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高能压电合成射流激励器的实验研究: 5; 作者张蕾严阳阳李博丁英涛; 机构北京理工大学信息与电子学院; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期981-984,共4页; 基金北京理工大学基础研究基金资助项目(20110542016); 文摘为有效控制飞行器边界层的流动分离和增强掺混,提出了一种全新的流动控制技术.采用微细加工技术成功地制作了压电合成射流激励器,并对其流场特性进行了测试,得到了激励器的流向和展向射流速度分布规律以及流向速度与频率之间的关系.结合理论分析和数值模拟,验证了实验结果的合理性,对合成射流激励器的优化设计提供了重要参考.从流向速度与频率关系曲线中,获得了Helmholtz频率(fH=425Hz)及压电薄膜的固有频率(fM=850Hz).流向速度分布曲线表明,中心线速度最大值出现在喷口下游.; 关键词压电合成射流激励器热线 Helmholtz频率; Keywords piezoelectric synthetic jet actuator hot-wire anemometer Helmholtz frequency; 分类号 V211.7 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化: 6; 作者严阳阳刘斌王士伟卢威丁英涛; 机构北京理工大学信息与电子学院; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期68-72,共5页; 基金北京理工大学基础研究基金资助项目(20110542016); 文摘针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导.; 关键词 MEMS滤波器脉冲电镀亚硫酸金盐无氰电镀; Keywords MEMS filters pulse plating sulfite gold salts non-cyanide plating; 分类号 TN603.5 [电子电信—电路与系统] TN629.1 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于碳纳米球掩膜工艺的大功率T/R组件散热用金属流道冷板被引量：1: 7; 作者桂进乐余怀强严阳阳王腾黄波田野蒋创新汤劲松; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1193-1197,共5页; 基金国家部委预研项目(31512020106-1); 文摘由于金属流道液冷板仍存在加工工艺复杂、换热性能差等问题,提出了一种基于碳纳米球掩膜工艺的金属流道冷板的加工方法,并据此实现了某型号大功率T/R组件用金属流道冷板的成型.通过数值模拟及实验的方法研究了该金属流道冷板的流动特性和换热性能.当T/R组件热耗为500 W,流量为3.5L/min时,功放器件最高壳温的仿真、实测结果分别为38.7℃和43.7℃.结果表明:所成型的金属流道冷板加工工艺简单、易实现,流动、换热性能好,适应各类大功率电子元器件/组件的散热需求.; 关键词碳纳米球金属流道液冷 T/R组件大功率; Keywords carbon nanospheres metal flow channels liquid cooling T/R module high-power; 分类号 TK172 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析	王士伟严阳阳程志强陈淑芬	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	压电合成射流激励器LEM方法研究	严阳阳周凌峰丁英涛王士伟苏日娜	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究	王士伟刘斌卢威严阳阳陈淑芬	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器	丁英涛卢威严阳阳	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高能压电合成射流激励器的实验研究	张蕾严阳阳李博丁英涛	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化	严阳阳刘斌王士伟卢威丁英涛	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于碳纳米球掩膜工艺的大功率T/R组件散热用金属流道冷板	桂进乐余怀强严阳阳王腾黄波田野蒋创新汤劲松	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料