宽束冷阴极离子源及其应用 被引量：11

1

作者 严一心 卢进军 +2 位作者 刘卫国 刘吉祥 王树棠 《西安工业大学学报》 CAS 1989年第4期1-5,共5页

本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子... 本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 离子源 辉光放电 离子束辅助淀积 薄膜淀积

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离子束在玉米、孔雀草和鲁冰花等育种中的应用 被引量：4

2

作者 严一心 彭渝丽 +1 位作者 蔡长龙 梁海锋 《西安工业大学学报》 CAS 2009年第4期400-403,共4页

针对离子束对玉米、孔雀草和鲁冰花育种的影响,探讨了离子束育种的机理以及离子注入的特点.采用低能和高能离子束辐照玉米、孔雀草和鲁冰花,进行育种试验.玉米离子注入研究结果表明M1代发现矮化株和特健壮株.离子注入的单株孔雀草出现... 针对离子束对玉米、孔雀草和鲁冰花育种的影响,探讨了离子束育种的机理以及离子注入的特点.采用低能和高能离子束辐照玉米、孔雀草和鲁冰花,进行育种试验.玉米离子注入研究结果表明M1代发现矮化株和特健壮株.离子注入的单株孔雀草出现黄色的单瓣和彩色的重瓣.鲁冰花花期提前15天、叶子卷曲等变异. 展开更多

关键词 离子束诱变育种 玉米 孔雀草 鲁冰花

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铝基复合材料基底镀厚膜TiN的附着力研究 被引量：2

3

作者 严一心 叶伟 +1 位作者 王东祥 方小坤 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第2期110-113,共4页

利用直流磁过滤多弧离子镀技术在铝基复合材料基片上镀制大于25μm的TiN厚膜.对厚膜TiN的附着力及其与各种工艺条件的关系.采用扫描电镜对厚膜TiN的微观结构及划痕形貌进行了分析.研究结果表明:基片的清洗、基片的温度、孤电流、脉冲偏... 利用直流磁过滤多弧离子镀技术在铝基复合材料基片上镀制大于25μm的TiN厚膜.对厚膜TiN的附着力及其与各种工艺条件的关系.采用扫描电镜对厚膜TiN的微观结构及划痕形貌进行了分析.研究结果表明:基片的清洗、基片的温度、孤电流、脉冲偏压和镀层界面组织结构等都影响厚膜TiN的附着力;弧电流为70A、脉冲偏压为100V、占空比为70%、温度为200℃时,厚膜TiN的临界载荷达到4.5kg/mm^2,远大于指标要求4kg/mm^2;镀层界面的融合有利于提高厚膜TiN的附着力. 展开更多

关键词 厚膜TiN 附着力 脉冲偏压 弧电流

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多头小离子源和离子束辅助蒸发新工艺 被引量：1

4

作者 严一心 刘卫国 +1 位作者 卢进军 刘吉祥 《西安工业学院学报》 1992年第2期27-31,共5页

提出了多头离子源的方案和离子束合成技术,即选用几个小离子源组合应用,以满足大尺寸镀膜机的要求.该方案经在A700Q和BAK760镀膜机上试验,获得良好效果,已镀制出性能良好的铝、银金属高反膜、棱镜分光膜、308nm激光高反膜、透明导电膜... 提出了多头离子源的方案和离子束合成技术,即选用几个小离子源组合应用,以满足大尺寸镀膜机的要求.该方案经在A700Q和BAK760镀膜机上试验,获得良好效果,已镀制出性能良好的铝、银金属高反膜、棱镜分光膜、308nm激光高反膜、透明导电膜、高级立体声磁头绝缘膜、长波通滤光膜、超宽带增透膜等.并且,简化了镀膜工艺,提高了生产效率. 展开更多

关键词 离子源 离子束 薄膜 镀膜

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宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究 被引量：6

5

作者 徐均琪 弥谦 +2 位作者 杭凌侠 严一心 董网妮 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期23-27,53,共6页

介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源，详细叙述了该源的结构和工作过程。采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布。结果表明，探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高... 介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源，详细叙述了该源的结构和工作过程。采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布。结果表明，探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高。离子能量分布概率密度函数为单峰函数，其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动，随着引出电压的升高向高能量方向移动。当引出电压为200～1200V时，离子平均能量为600-1600eV，呈线性规律变化。这种离子源的离子平均初始动能约为430-480eV。了解和掌握离子源的这些特性和参数，可以有效的对镀膜过程的微观环境（离子密度、离子能量等）进行控制，促进薄膜制备工艺更好地进行。 展开更多

关键词 离子能量 能量分布 离子源 离子束辅助沉积(IBAD) 薄膜

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基于光栅传感器位移测量的软、硬件设计 被引量：17

6

作者 梁海锋 严一心 《现代电子技术》 2003年第23期88-89,共2页

提出了一种基于 AT89C5 1单片机开发的光栅位移传感器对线性位移进行测量的方法。其硬件设计包括数据采集、辨向、数据处理和数据显示。把读数头输出的信号 (脉冲电信号 ) ,经过硬件电路辨向 ,送入计数器 82 5 3计数 ,利用 AT89C5 1单... 提出了一种基于 AT89C5 1单片机开发的光栅位移传感器对线性位移进行测量的方法。其硬件设计包括数据采集、辨向、数据处理和数据显示。把读数头输出的信号 (脉冲电信号 ) ,经过硬件电路辨向 ,送入计数器 82 5 3计数 ,利用 AT89C5 1单片机进行信号处理 ,最终转换成实际的线性位移值显示出来。与其他系统相比 ,他的硬件电路简单 ,并能实现较高的位移测量精度。 展开更多

关键词 光栅位移传感器 光栅 单片机 细分与辨向电路

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脉冲多弧离子镀制备类金刚石薄膜的结构分析 被引量：1

7

作者 喻志农 朱昌 +2 位作者 杭凌侠 严一心 孙鉴 《西安工业大学学报》 CAS 1999年第4期265-268,共4页

利用脉冲多弧离子镀技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜．喇曼光谱和Ｘ 射线衍射分析表明：类金刚石薄膜是无定形结构；利用扫描电镜发现：类金刚石薄膜表面不光滑，石墨颗粒的大小和密度随厚度增加而增加，但薄膜致密．

关键词 脉冲多弧离子镀 类金刚石薄膜 结构性能 薄膜形貌

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离子注入选育高效石油烃降解菌研究 被引量：1

8

作者 马睿 蔡长龙 +1 位作者 梁海锋 严一心 《西安工业大学学报》 CAS 2017年第2期129-133,共5页

为了提高不动杆菌对石油烃的降解能力,采用离子诱变育种技术,使用生物改性离子注入设备对不动杆菌诱变育种.通过研究不动杆菌a8在不同剂量N+离子注入后存活率的变化趋势,结合气相色谱法(GC)测定得到的N+离子注入前后不动杆菌对石油烃的... 为了提高不动杆菌对石油烃的降解能力,采用离子诱变育种技术,使用生物改性离子注入设备对不动杆菌诱变育种.通过研究不动杆菌a8在不同剂量N+离子注入后存活率的变化趋势,结合气相色谱法(GC)测定得到的N+离子注入前后不动杆菌对石油烃的降解率,获得了离子注入不动杆菌诱变育种的最佳工艺参数.研究结果表明:N^+离子注入剂量与不动杆菌存活率之间呈现出较明显的"马鞍形"变化趋势;离子注入后不动杆菌对石油烃的降解率均有所提高,降解率最高可达95.03%;N^+离子的注入能量和注入剂量分别为15keV和8.0×10^(15) ions·cm^(-2)是不动杆菌离子诱变的最佳工艺参数. 展开更多

关键词 离子注入 不动杆菌 存活率 降解率

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直流磁过滤电弧沉积氮化铝薄膜的研究 被引量：1

9

作者 梁海锋 周扬 严一心 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期206-210,共5页

利用直流电弧技术在硅基片上制备氮化铝薄膜,研究了薄膜的折射率、消光系数、透过率和沉积速率。薄膜的光学折射率、消光系数、厚度通过椭偏法测试并拟合得到;薄膜的透过率谱通过傅里叶变换红外光谱仪测试,薄膜的沉积速率通过厚度的相... 利用直流电弧技术在硅基片上制备氮化铝薄膜,研究了薄膜的折射率、消光系数、透过率和沉积速率。薄膜的光学折射率、消光系数、厚度通过椭偏法测试并拟合得到;薄膜的透过率谱通过傅里叶变换红外光谱仪测试,薄膜的沉积速率通过厚度的相应时间计算得到;利用柯希模型来拟合测试得到可见区光学常数,外推得到薄膜在整个近红外、中远红外的光学常数.结果表明:薄膜的折射率随工艺参数的不同有较大的变化范围,并且薄膜在较宽的光谱范围内消光系数为零;薄膜的沉积速率达到85 nm·min^(-1),单面镀制氮化铝薄膜的硅样片的峰值透过滤达到了69.2%. 展开更多

关键词 氮化铝 光学常数 沉积速率

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脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究 被引量：3

10

作者 蔡长龙 朱昌 +2 位作者 杭凌侠 刘卫国 严一心 《西安工业学院学报》 1998年第4期270-274,共5页

为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题，文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变，进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响．采用... 为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题，文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变，进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响．采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性．实验结果表明，在直径７０ｍｍ范围内透过率相对误差为±６．７％，小于所要求的±１０％． 展开更多

关键词 离子镀 均匀性 镀膜层 膜厚 脉冲多弧离子源

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类金刚石薄膜在红外光学材料中的应用 被引量：6

11

作者 朱昌 严一心 杭凌侠 《西安工业学院学报》 1998年第1期24-26,共3页

用脉冲碳离子源直接在ＮａＣｌ和ＫＢｒ晶体表面镀制了类金刚石薄膜．用红外光谱仪进行测试，晶体两面镀膜后在２５～２０μｍ波长范围内平均透过率达到８４％，最大透过率达９０％．

关键词 类金刚石薄膜 镀膜 红外光谱 红外光学材料

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脉冲碳等离子体源发射特性研究 被引量：1

12

作者 杭凌侠 蔡长龙 +3 位作者 弥谦 严一心 李刚 朱昌 《西安工业学院学报》 2003年第4期289-293,共5页

　研究讨论了在脉冲工作方式下,碳等离子体源的发射特性.根据离子束流分布和膜层厚度测试结果,分析了影响脉冲碳等离子体源发射特性的因素.给出了改善脉冲碳等离子体源发射特性的途径.

关键词 脉冲电弧 碳等离子体源 发射特性 束流分布 膜层厚度 真空电弧离子镀

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Ti-Ni合金上镀制类金刚石薄膜研究 被引量：2

13

作者 吴玲玲 徐昌杰 +1 位作者 蔡长龙 严一心 《西安工业学院学报》 2003年第1期61-65,共5页

　利用脉冲真空电弧离子镀技术在Ti＿Ni形状记忆合金上成功地镀制了类金刚石薄膜,测试了膜层的电阻率,进行了Raman散射和扫描电镜(SEM)分析,并对两种工艺方法的优劣进行了比较.

关键词 TI-NI合金 类金刚石薄膜 脉冲电弧

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类金刚石薄膜的折射率研究 被引量：1

14

作者 梁海锋 严一心 《西安工业学院学报》 2004年第1期57-60,共4页

　利用脉冲真空电弧镀方法在硅基底上沉积类金刚石薄膜,研究薄膜折射率和工艺参数以及折射率与薄膜本征硬度的关系,结果表明:无氢类金刚石薄膜的折射率在2.5～2.7之间;不同的工艺参数可以得到不同折射率的薄膜;通过改变工艺条件来制备... 　利用脉冲真空电弧镀方法在硅基底上沉积类金刚石薄膜,研究薄膜折射率和工艺参数以及折射率与薄膜本征硬度的关系,结果表明:无氢类金刚石薄膜的折射率在2.5～2.7之间;不同的工艺参数可以得到不同折射率的薄膜;通过改变工艺条件来制备不同折射率的薄膜,和不同的基底材料的折射率匹配,使其有一定的机械强度. 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 折射率 脉冲真空电弧镀 基底材料 硬度

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离子注入不动杆菌的降解特性

15

作者 马睿 蔡长龙 +1 位作者 梁海锋 严一心 《安徽农业科学》 CAS 2017年第7期1-3,72,共4页

[目的]选育能够高效降解石油烃的不动杆菌。[方法]采用低能N^+对不动杆菌菌株a8进行诱变,测量离子注入前后不动杆菌对石油烃的降解率,并研究其降解能力和降解机理。[结果]当N^+的注入能量和注入剂量分别为15 ke V和8.0×1015ions/c... [目的]选育能够高效降解石油烃的不动杆菌。[方法]采用低能N^+对不动杆菌菌株a8进行诱变,测量离子注入前后不动杆菌对石油烃的降解率,并研究其降解能力和降解机理。[结果]当N^+的注入能量和注入剂量分别为15 ke V和8.0×1015ions/cm^2时,不动杆菌的降解率可提高至95.03%;利用该注入参数对出发菌种a8进行3次连续诱变后,获得1株能有效降解59种烷烃的突变菌株AQ-15;结合分子生物学技术,对AQ-15降解长链石油烷烃的酶Alm A基因进行分析,发现酶结合位点之一的47th氨基酸由原来的天冬氨酸(Asp,D)变为甘氨酸(Gly,G),从而提高了酶的活性,达到了高效降解长链石油烷烃的效果,揭示了离子注入后不动杆菌降解率提高的机理。[结论]选育出1株能够高效降解石油烃的不动杆菌菌株AQ-15。 展开更多

关键词 离子注入 不动杆菌 降解率 降解机理

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脉冲真空电弧离子镀沉积类金刚石薄膜的结构和力学性能研究 被引量：1

16

作者 周顺 严一心 《西安工业学院学报》 2004年第4期307-310,323,共5页

　利用脉冲真空电弧离子镀技术在3Cr13不锈钢上制备了类金刚石(DLC)薄膜.通过Raman光谱分析了膜的结构特征,采用摩擦磨损试验机测试了薄膜在不同载荷下的摩擦系数,运用划痕仪研究了膜基的结合强度.结果表明:所镀制的薄膜具有典型类金刚... 　利用脉冲真空电弧离子镀技术在3Cr13不锈钢上制备了类金刚石(DLC)薄膜.通过Raman光谱分析了膜的结构特征,采用摩擦磨损试验机测试了薄膜在不同载荷下的摩擦系数,运用划痕仪研究了膜基的结合强度.结果表明:所镀制的薄膜具有典型类金刚石结构特征,膜中ID/IG为1.33;摩擦系数随着载荷的增大而减小,载荷为5N,转速120r/min时的摩擦系数为0.02;Ti过渡层的引入显著地提高了膜基结合力. 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 脉冲电孤 摩擦系数 不锈钢

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偏压对MCECR溅射碳氮膜特性的影响

17

作者 蔡长龙 弥谦 +2 位作者 马卫红 梁海锋 严一心 《西安工业学院学报》 2006年第3期215-218,共4页

用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结... 用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为+30 V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48 Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10-15m3/m,系数x接近于4/3. 展开更多

关键词 MCECR等离子体溅射 碳氮膜 基片偏压 膜层性能

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脉冲多弧离子镀沉积类金刚石薄膜的牢固度研究

18

作者 喻志农 朱昌 +2 位作者 杭凌侠 刘卫国 严一心 《西安工业学院学报》 1999年第3期177-181,共5页

利用脉冲多弧离子镀技术在硅基片上沉积类金刚石薄膜．分析了类金刚石薄膜的牢固度与各种工艺条件的关系．实验结果表明：基片的清洗、基片温度、主回路电压、脉冲频率、烘烤处理都强烈影响类金刚石薄膜的牢固度．

关键词 脉冲多弧离子镀 类金刚石薄膜 牢固度

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氮化铝薄膜的椭偏法研究 被引量：3

19

作者 周杨 梁海锋 +1 位作者 严一心 蔡长龙 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期548-551,共4页

文章采用真空磁过滤电弧离子镀法在单晶Si(100)基片上成功制备了氮化铝(AlN)薄膜,并利用椭偏法对AlN膜进行了研究。根据沉积方法的特点,建立合适的膜系进行拟合,得到薄膜的折射率、消光系数和几何厚度;分析薄膜与基片之间的附着方式为... 文章采用真空磁过滤电弧离子镀法在单晶Si(100)基片上成功制备了氮化铝(AlN)薄膜,并利用椭偏法对AlN膜进行了研究。根据沉积方法的特点,建立合适的膜系进行拟合,得到薄膜的折射率、消光系数和几何厚度;分析薄膜与基片之间的附着方式为简单附着,以及引起薄膜材料比块体材料折射率偏小的原因为:薄膜中含有空隙,Al/N不符合化学剂量比,薄膜表面形成了Al2O3钝化层。 展开更多

关键词 椭偏仪 ALN薄膜 光学常数

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脉冲电弧离子源镀膜均匀性研究 被引量：1

20

作者 李刚 蔡长龙 +1 位作者 权贵秦 严一心 《西安工业学院学报》 2002年第3期214-219,共6页

薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要因素 .利用脉冲电弧离子镀技术在硅基片上沉积类金刚石薄膜 ,并用轮廓仪对薄膜的厚度进行测量 ,研究了不同参数对薄膜均匀性的影响 .结果表明 :离子源阴极和基片的距离、主回路工作电压以... 薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要因素 .利用脉冲电弧离子镀技术在硅基片上沉积类金刚石薄膜 ,并用轮廓仪对薄膜的厚度进行测量 ,研究了不同参数对薄膜均匀性的影响 .结果表明 :离子源阴极和基片的距离、主回路工作电压以及沉积频率都不同程度地影响薄膜均匀性 ,文章还就不同类型离子源对薄膜均匀性的影响进行了探讨 . 展开更多

关键词 离子源 脉冲电弧离子镀 均匀性 薄膜厚度

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