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基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术
被引量：
1
1
作者
万荣桂
郑理
+3 位作者
王丁
周学通
沈玲燕
程新红
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期181-186,共6页
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损...
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下,将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性,并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后,通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形,并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理,即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。
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关键词
屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
雪崩失效
同步辐射
无损检测
截面拓扑
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职称材料
题名
基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术
被引量：
1
1
作者
万荣桂
郑理
王丁
周学通
沈玲燕
程新红
机构
上海理工大学材料与化学学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期181-186,共6页
基金
集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02)。
文摘
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下,将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性,并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后,通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形,并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理,即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。
关键词
屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
雪崩失效
同步辐射
无损检测
截面拓扑
Keywords
shielded gate trench MOSFET
avalanche failure
synchrotron radiation
nondestructive test
sectional topology
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术
万荣桂
郑理
王丁
周学通
沈玲燕
程新红
《半导体技术》
北大核心
2025
1
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