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HADS阵列基板沟道干法刻蚀光刻胶残留与漏电流研究
1
作者
杨小飞
孟佳
+5 位作者
苏磊
李洋
万稳
吕耀军
王军才
邓金阳
《光电子技术》
2024年第4期328-333,344,共7页
高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影...
高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影响,解释了不同灰化时间下光刻胶缺口、台阶和TFT漏电流关系。采用全因子实验设计,研究了后处理工艺对漏电流影响。结果表明,在增强型电容耦合等离子体刻蚀中形成光刻胶缺口和副产物,两者共同作用导致光刻胶变性残留。光刻胶灰化工艺提高偏置功率,降低压力,使光刻胶覆盖源/漏极距离d>0,光刻胶缺口显著改善。然而随着距离d增加,沟道台阶增长,导致TFT漏电流增加。后处理优化进一步减少沟道副产物污染,降低背沟道漏电流。当后处理偏置功率1 kW,压力4 Pa,O_(2)/SF_(6) 10时,高温光照漏电流较量产条件降低18%,且无光刻胶残留发生。该工作为不同模式的沟道干法刻蚀工艺研究、光刻胶形貌优化和TFT漏电流改善提供参考。
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关键词
高开口率高级超维场转换技术
沟道干法刻蚀
光刻胶残留
光刻胶缺口
薄膜晶体管漏电流
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职称材料
单晶硅反射镜激光能量吸收系数与衬底表面质量的关联
被引量：
3
2
作者
田野
戴一帆
+4 位作者
石峰
彭小强
韩凯
朱志武
万稳
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期26-29,共4页
高能激光系统中,单晶硅基底反射镜的能量吸收系数是影响系统性能的关键指标。衬底加工质量对镀膜后元件激光能量吸收系数影响显著。通过测试不同衬底粗糙度、划痕密度的单晶硅反射元件,分析衬底表面典型加工特征(粗糙度、划痕)对激光能...
高能激光系统中,单晶硅基底反射镜的能量吸收系数是影响系统性能的关键指标。衬底加工质量对镀膜后元件激光能量吸收系数影响显著。通过测试不同衬底粗糙度、划痕密度的单晶硅反射元件,分析衬底表面典型加工特征(粗糙度、划痕)对激光能量吸收系数的影响规律,认为粗糙度与吸收系数正相关,粗糙度均方根从0.668nm降低至0.345nm会使吸收系数降低28.0%。少量划痕对吸收系数的直接影响并不明显,吸收系数均值变化在3.1%以内。但表面划痕会诱发激光损伤,划痕密度较大时会引起后续能量吸收持续增大,辐照400s后,吸收系数较辐照100s时增大18.3%。
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关键词
单晶硅
激光能量吸收系数
衬底表面质量
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职称材料
提升熔石英抗激光损伤性能的磁流变与HF刻蚀结合方法
被引量：
1
3
作者
万稳
戴一帆
+1 位作者
石峰
彭小强
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期8-11,共4页
为提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能,针对传统加工方法在加工过程中产生的破碎性缺陷和污染性缺陷,提出使用磁流变抛光结合HF酸刻蚀的组合工艺提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能的方法。磁流变抛光特有的剪切去除原理能够有效去除传统...
为提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能,针对传统加工方法在加工过程中产生的破碎性缺陷和污染性缺陷,提出使用磁流变抛光结合HF酸刻蚀的组合工艺提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能的方法。磁流变抛光特有的剪切去除原理能够有效去除传统加工过程产生的破碎性缺陷,同时不产生新的破碎性缺陷。HF酸动态酸刻蚀能够有效减少加工过程中产生的金属元素污染。实验结果表明:经过组合工艺处理的熔石英样品,在7J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由0.2mm~^(-2)降至0.008mm^(-2),在8J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由1mm^(-2)降至0.1mm^(-2),其元件抗损伤性能提升显著。
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关键词
熔石英
磁流变抛光
HF酸刻蚀
缺陷
损伤密度
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职称材料
题名
HADS阵列基板沟道干法刻蚀光刻胶残留与漏电流研究
1
作者
杨小飞
孟佳
苏磊
李洋
万稳
吕耀军
王军才
邓金阳
机构
成都京东方光电科技有限公司
出处
《光电子技术》
2024年第4期328-333,344,共7页
文摘
高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影响,解释了不同灰化时间下光刻胶缺口、台阶和TFT漏电流关系。采用全因子实验设计,研究了后处理工艺对漏电流影响。结果表明,在增强型电容耦合等离子体刻蚀中形成光刻胶缺口和副产物,两者共同作用导致光刻胶变性残留。光刻胶灰化工艺提高偏置功率,降低压力,使光刻胶覆盖源/漏极距离d>0,光刻胶缺口显著改善。然而随着距离d增加,沟道台阶增长,导致TFT漏电流增加。后处理优化进一步减少沟道副产物污染,降低背沟道漏电流。当后处理偏置功率1 kW,压力4 Pa,O_(2)/SF_(6) 10时,高温光照漏电流较量产条件降低18%,且无光刻胶残留发生。该工作为不同模式的沟道干法刻蚀工艺研究、光刻胶形貌优化和TFT漏电流改善提供参考。
关键词
高开口率高级超维场转换技术
沟道干法刻蚀
光刻胶残留
光刻胶缺口
薄膜晶体管漏电流
Keywords
HADS
channel dry etching
PR remain
PR undercut
TFT leakage current
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单晶硅反射镜激光能量吸收系数与衬底表面质量的关联
被引量：
3
2
作者
田野
戴一帆
石峰
彭小强
韩凯
朱志武
万稳
机构
国防科技大学机电工程与自动化学院
超精密加工技术湖南省重点实验室
国防科技大学光电科学与工程学院
出处
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期26-29,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(91023042)
文摘
高能激光系统中,单晶硅基底反射镜的能量吸收系数是影响系统性能的关键指标。衬底加工质量对镀膜后元件激光能量吸收系数影响显著。通过测试不同衬底粗糙度、划痕密度的单晶硅反射元件,分析衬底表面典型加工特征(粗糙度、划痕)对激光能量吸收系数的影响规律,认为粗糙度与吸收系数正相关,粗糙度均方根从0.668nm降低至0.345nm会使吸收系数降低28.0%。少量划痕对吸收系数的直接影响并不明显,吸收系数均值变化在3.1%以内。但表面划痕会诱发激光损伤,划痕密度较大时会引起后续能量吸收持续增大,辐照400s后,吸收系数较辐照100s时增大18.3%。
关键词
单晶硅
激光能量吸收系数
衬底表面质量
Keywords
mono-crystalline silicon
laser energy absorption rate
substrate surface quality
分类号
TN95 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
提升熔石英抗激光损伤性能的磁流变与HF刻蚀结合方法
被引量：
1
3
作者
万稳
戴一帆
石峰
彭小强
机构
国防科技大学机电工程与自动化学院
超精密加工技术湖南省重点实验室
出处
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期8-11,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(5127552
91323302)
文摘
为提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能,针对传统加工方法在加工过程中产生的破碎性缺陷和污染性缺陷,提出使用磁流变抛光结合HF酸刻蚀的组合工艺提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能的方法。磁流变抛光特有的剪切去除原理能够有效去除传统加工过程产生的破碎性缺陷,同时不产生新的破碎性缺陷。HF酸动态酸刻蚀能够有效减少加工过程中产生的金属元素污染。实验结果表明:经过组合工艺处理的熔石英样品,在7J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由0.2mm~^(-2)降至0.008mm^(-2),在8J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由1mm^(-2)降至0.1mm^(-2),其元件抗损伤性能提升显著。
关键词
熔石英
磁流变抛光
HF酸刻蚀
缺陷
损伤密度
Keywords
fused silica
magnetorheological finishing
HF acid etching
defects
damage density
分类号
TJ580.692 [兵器科学与技术—军事化学与烟火技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HADS阵列基板沟道干法刻蚀光刻胶残留与漏电流研究
杨小飞
孟佳
苏磊
李洋
万稳
吕耀军
王军才
邓金阳
《光电子技术》
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
单晶硅反射镜激光能量吸收系数与衬底表面质量的关联
田野
戴一帆
石峰
彭小强
韩凯
朱志武
万稳
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
提升熔石英抗激光损伤性能的磁流变与HF刻蚀结合方法
万稳
戴一帆
石峰
彭小强
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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