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题名器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用
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作者
江徽
唐震
王倩倩
万永康
虞勇坚
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
无锡市集成电路测试和可靠性重点实验室
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出处
《电子技术应用》
2025年第4期35-39,共5页
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文摘
针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提出了在标准应用过程中保障结果一致性和准确性的相关技术技巧,为器件级带电器件模型(CDM)测试标准的选择、测试和工程应用提供了指导。
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关键词
带电器件模型
器件级
测试标准
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Keywords
charged device model
device level
test standard
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名先进制程芯片失效定位技术现状及发展
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作者
李振远
徐昊
贾沛
万永康
张凯虹
孟智超
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
无锡中微腾芯电子有限公司
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出处
《电子与封装》
2024年第4期75-84,共10页
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基金
科技部重点研发计划(2018YFB2202900)。
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文摘
芯片工艺节点从2011年的28/22 nm、2015年的16/14 nm正向3/2 nm演进,晶体管的结构也由平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)转向立体的鳍式场效应晶体管(FinFET)。失效定位是芯片失效分析中承上启下的关键一步,随着芯片工艺制程的减小、晶体管结构的转变,传统失效定位技术在定位精度上已不能满足需求。为适应市场变化,先进制程芯片的失效定位技术也有了对应的发展和突破。重点介绍了先进制程芯片中常见的电子、光学失效定位技术,通过原理、案例明确各种技术的优缺点及优先适用的失效模式,并对未来的定位技术发展进行了展望。
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关键词
失效分析
先进制程芯片
电子失效定位
光学失效定位
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Keywords
failure analysis
advanced process chip
electronic failure localization
optical failure localization
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于大功率可控硅芯片SCR的失效分析研究
被引量：2
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作者
王敦
张凯虹
万永康
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《舰船电子工程》
2021年第12期214-217,共4页
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文摘
随着芯片设计进入纳米技术领域,芯片的集成度越来越大,智能产品趋向浓缩化,产品的结构越来越紧凑,PC⁃BA板上元器件布局越来越密集,这就对电子元器件的可靠性要求越来越高,失效分析定位技术可以很好地找到器件失效的薄弱点,从而更好地提高预防设计的能力。论文基于PCBA主控板上可控硅芯片SCR进行失效分析,通过I-V电学复测、X-Ray射线、C-SAM超声以及SEM等失效分析测试设备,对失效器件进行电学、物理和化学测试分析,确定器件失效的模式,分析造成器件失效的机理,定位失效点并查找失效原因,并提出了设计优化建议。为PCBA电控板可靠性设计与失效分析提供了一定的参考依据。
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关键词
PCBA设计
可控硅芯片
失效分析技术
电路设计
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Keywords
PCBA design
SCR
failure analysis
circuit design
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名扫描超声显微镜检查在塑封集成电路检测中的应用
被引量：1
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作者
邵若微
万永康
虞勇坚
吕栋
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子与封装》
2018年第A01期67-70,共4页
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文摘
进口工业级塑封集成电路在军用武器装备中的使用范围越来越广泛，随之也出现了一些问题，如塑封集成电路内部易进入水汽产生界面分层、模塑工艺过程中留下的空洞等。为满足高可靠性应用环境的需求，需要使用非破坏性的扫描超声显微镜检查技术来剔除存在缺陷的塑封器件。通过收集整理近几年塑封器件出现的失效情况，结合GJB4027A-2006中关于塑封集成电路扫描超声显微镜检查的相关检验条款，对重点关注的缺陷判据结合实际案例做了进一步的讨论，有助于提高后期判图的准确性。
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关键词
塑封集成电路
扫描超声显微镜检查
缺陷判据
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Keywords
plastic encapsulated microcircuit
scanning acoustic microscope （SAM）
defect criterion
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名叠层芯片粘接强度与剪切强度试验研究
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作者
王世楠
万永康
闫辰侃
张凯虹
虞勇坚
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《现代电子技术》
2022年第18期7-10,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(52101055)。
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文摘
为解决芯片粘接强度与剪切强度试验在微电子器件可靠性考核中选用不清晰的问题,文中对国内外相关试验标准进行对比分析,并总结两种试验的方法及试验载荷曲线的相关性规律。结果表明,芯片粘接强度试验与芯片剪切强度试验的载荷比值随着芯片粘接区域面积的增大,呈现先增大、后减小、再增大的趋势,最小比值为1.07,最大比值达到5.93。然后,通过对比试验及有限元仿真方法,对大、小两款叠层芯片分别进行粘接强度试验、剪切强度试验及有限元仿真,研究其试验过程中的最大应力状态。得出对于小面积芯片,建议使用剪切强度试验进行考核;对于大面积芯片,建议使用粘接强度试验进行考核。
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关键词
叠层芯片
粘接强度
剪切强度
粘接面积
载荷曲线
有限元分析
对比验证
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Keywords
laminated chip
bonding strength
shear strength
bonding area
load curve
finite element analysis
comparison validation
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分类号
TN406-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名不同温度应力下陶封器件Au-Al键合可靠性研究
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作者
李振远
万永康
虞勇坚
孟智超
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《舰船电子工程》
2023年第12期223-227,共5页
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基金
科技部国家重点研发计划“高温传感器专用ASIC工艺平台开发”(编号:2021YFB3202703)资助。
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文摘
为研究不同温度应力对Au-Al键合的可靠性影响,对陶封器件采用温度循环试验、高温贮存试验,分析陶封器件Au-Al键合点的金属间化合物(IMC)微观组织结构。结果显示,两种温度应力条件下都出现明显分层现象,且由于固固扩散反应,分层界面处应力集中,裂纹更易萌生扩展,降低可靠性;对比3000次温循、150℃/360h、250℃/360h试验条件下分层界面处的裂纹形貌,裂纹长度逐渐增加,说明恒定温度应力更易促进IMC裂纹生长,且温度越高,裂纹生长越快,对器件可靠性影响也越大。
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关键词
陶瓷封装
Au-Al键合
温度应力
金属间化合物
可靠性
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Keywords
ceramic packaging
Au-Al bonding
temperature stresses
intermetallic compound
reliability
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分类号
TN605
[电子电信—电路与系统]
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题名塑封SiP破坏性物理分析方法研究
被引量：1
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作者
陈海燕
万永康
陈珂
储奕锋
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机构
中国航发控制系统研究所
中国电子科技集团公司
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出处
《电子质量》
2020年第11期126-130,136,共6页
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文摘
系统级封装(SiP)器件由于体积小、重量轻、功能系统化的优点,逐渐应用于航空航天及武器装备等领域。系统级封装器件所使用的新材料、新结构、新工艺,对器件进行破坏性物理分析(DPA)工作带来了困难,尤其是对于塑封SiP器件,目前没有合适的标准规范依据。论文通过对几种不同封装工艺塑封SiP器件的DPA关键问题分析,研究了塑封SiP器件进行DPA的试验项目、流程方法和关键技术,并进行了工程案例分析。
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关键词
塑封
系统级封装
破坏性物理分析
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Keywords
Plastic Package
System in Package
Destructive Physical Analysis
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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