采用高温直接溅射Cu-In-Ga-Se四元合金靶材工艺制备光吸收层,通过对预溅射层温度和厚度的调控,研究铜铟镓硒(CIGS)预溅射层对直接溅射法制备CIGS薄膜的(220)择优取向调控机理。结果表明,预溅射层沉积温度逐渐降低时,CIGS薄膜X射线衍射(X...采用高温直接溅射Cu-In-Ga-Se四元合金靶材工艺制备光吸收层,通过对预溅射层温度和厚度的调控,研究铜铟镓硒(CIGS)预溅射层对直接溅射法制备CIGS薄膜的(220)择优取向调控机理。结果表明,预溅射层沉积温度逐渐降低时,CIGS薄膜X射线衍射(XRD)I_((220))/I_((112))比值从0.43增大到1.05,晶粒尺寸逐渐变大且均匀。预溅射层厚度从0增加到120 nm时,I_((220))/I_((112))比值从0.48增大到1.12。在溅射温度为室温,预溅射层厚度为80 nm时,最终获得单点10.94%的器件效率。分析预溅射层表面AFM和XPS以及器件HRETM,发现低温预溅射层引入能够显著降低衬底表面电位,电压的振幅只有25 m V,较低的表面电位促进了高温沉积CIGS(220)择优取向,同时(220)择优取向促进了化学水浴工艺时Cd离子的掺杂,最终提升了CIGS器件效率。展开更多
文摘采用高温直接溅射Cu-In-Ga-Se四元合金靶材工艺制备光吸收层,通过对预溅射层温度和厚度的调控,研究铜铟镓硒(CIGS)预溅射层对直接溅射法制备CIGS薄膜的(220)择优取向调控机理。结果表明,预溅射层沉积温度逐渐降低时,CIGS薄膜X射线衍射(XRD)I_((220))/I_((112))比值从0.43增大到1.05,晶粒尺寸逐渐变大且均匀。预溅射层厚度从0增加到120 nm时,I_((220))/I_((112))比值从0.48增大到1.12。在溅射温度为室温,预溅射层厚度为80 nm时,最终获得单点10.94%的器件效率。分析预溅射层表面AFM和XPS以及器件HRETM,发现低温预溅射层引入能够显著降低衬底表面电位,电压的振幅只有25 m V,较低的表面电位促进了高温沉积CIGS(220)择优取向,同时(220)择优取向促进了化学水浴工艺时Cd离子的掺杂,最终提升了CIGS器件效率。
文摘决策融合是提高合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)目标识别性能的重要手段,然而,可靠性较弱的决策往往会导致最终决策融合的效果变差。将可靠性分析引入基于决策融合的SAR目标识别方法中,分别计算各个决策的可靠性系数并选取可靠性的决策参与最终的决策融合。为了验证方法的有效性,分别将提出的可靠性分析应用于多特征决策融合以及多分类器决策融合并基于MSTAR(Moving and Stationary Target Acquisition and Recognition)数据集进行了目标识别实验。在基于主成分分析、线性鉴别分析和非负矩阵分解三种特征进行多特征决策融合的条件下,所提方法和直接进行决策融合的方法的识别率分别为97.47%和96.50%。在基于K近邻、支持向量机和稀疏表示分类器的多分类器决策融合中,所提方法和直接进行决策融合的方法的识别率分别为97.10%和96.28%。实验结果充分证明了所提方法的有效性。
