期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件
被引量：
1
1
作者
黄森
张寒
+4 位作者
郭富强
王鑫华
蒋其梦
魏珂
刘新宇
《电子与封装》
2023年第1期11-21,共11页
AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于...
AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀AlGaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基AlGaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。
展开更多
关键词
氮化镓
功率电子器件
ALGAN/GAN异质结
超薄势垒
增强型
功率集成
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件
被引量：
1
1
作者
黄森
张寒
郭富强
王鑫华
蒋其梦
魏珂
刘新宇
机构
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心
中国科学院大学集成电路学院
出处
《电子与封装》
2023年第1期11-21,共11页
基金
中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC012)
国家自然科学基金项目(62074161,6221101004,62004213,U20A20208)
+1 种基金
国家重点研发计划(2018YFE0125700)
北京市科技计划国际科技合作项目(Z201100008420009,Z211100007921018)。
文摘
AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀AlGaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基AlGaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。
关键词
氮化镓
功率电子器件
ALGAN/GAN异质结
超薄势垒
增强型
功率集成
Keywords
GaN
power electronic devices
AlGaN/GaN heterostructure
ultrathin-barrier
enhancement-mode
power integration
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件
黄森
张寒
郭富强
王鑫华
蒋其梦
魏珂
刘新宇
《电子与封装》
2023
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
