期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到248篇文章
< 1 2 … 13 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于可重构环形振荡器的绑定后TSV故障测试
1
作者 刘军 陈志 +2 位作者 陈田 程松仁 梁华国 《微电子学与计算机》 2025年第2期128-134,共7页
基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的三维集成电路极大提升了芯片的集成度。然而,目前TSV的工艺尚未成熟,导致TSV出现阻性开路故障、泄漏故障和桥接故障,因此需要对TSV进行测试。而现有的测试方法不能够检测TSV的各种故障且分辨各种... 基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的三维集成电路极大提升了芯片的集成度。然而,目前TSV的工艺尚未成熟,导致TSV出现阻性开路故障、泄漏故障和桥接故障,因此需要对TSV进行测试。而现有的测试方法不能够检测TSV的各种故障且分辨各种故障类型。因此,本文提出一种基于可重构环形振荡器的绑定后TSV测试方法,能够检测和分辨TSV的各种故障。该方法能将环形振荡器可重构为非振荡、全振荡和半振荡这3种测试模式。非振荡模式用来检测桥接故障,全振荡模式检测阻性开路和泄漏故障,半振荡模式分辨阻性开路和泄漏故障的故障类型。基于PTM 45 nm工艺的HSPICE实验验证了所提方法在TSV故障检测的有效性。 展开更多
关键词 tsv 绑定后测试 测试模式 分辨
在线阅读 下载PDF
一种基于分压电路的绑定后TSV测试方法 被引量：1
2
作者 刘军 项晨 +1 位作者 陈田 吴玺 《微电子学与计算机》 2024年第4期132-140,共9页
对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)进行绑定后测试可以有效地提升三维集成电路的性能和良率。现有的测试方法虽然对于开路和桥接故障的测试能力较高,但是对于泄漏故障的测试效果较差,并且所需的总测试时间较长。对此,提出了一种基于分... 对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)进行绑定后测试可以有效地提升三维集成电路的性能和良率。现有的测试方法虽然对于开路和桥接故障的测试能力较高,但是对于泄漏故障的测试效果较差,并且所需的总测试时间较长。对此,提出了一种基于分压电路的TSV绑定后测试方法。该方法设计了一种分压电路,进行泄漏故障测试时可以形成一条无分支的电流路径,有效提高了对泄漏故障的测试能力。此外,该方法测试开路故障和泄漏故障时的电流路径不会相互干扰,可以同时测试相邻TSV的开路故障和泄漏故障。实验结果表明,该方法可以测试10 kΩ以下的弱泄漏故障,并且在工艺偏差下依然能够保持较高的测试能力。相比同类测试方法,该方法所需面积开销更小,所需总测试时间更少。 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 绑定后测试 内建自测试
在线阅读 下载PDF
基于TSV技术的硅基高压电容器
3
作者 杨志 董春晖 +4 位作者 王敏 王敬轩 商庆杰 付兴中 张力江 《电子工艺技术》 2024年第5期36-38,共3页
以微机电系统(MEMS)工艺设计并制作了一种基于TSV技术的高压电容器。给出了电容器的结构形式,理论分析计算了电容器的容值参数,设计得到了容值为2 nF,芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。提出一套MEMS工艺的硅基电容器... 以微机电系统(MEMS)工艺设计并制作了一种基于TSV技术的高压电容器。给出了电容器的结构形式,理论分析计算了电容器的容值参数,设计得到了容值为2 nF,芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。提出一套MEMS工艺的硅基电容器的制作流程,实现了电容器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的高压电容器的容值与设计值基本一致,击穿电压可以达到280 V。硅基高压电容器具有电容密度高、一致性好、易生产的特点,适合高压电子系统的应用发展需求。 展开更多
关键词 微电子机械系统 硅基电容器 高压 tsv
在线阅读 下载PDF
基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
4
作者 田苗 刘民 +3 位作者 林子涵 付学成 程秀兰 吴林晟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期316-322,共7页
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。... 以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 锥形 种子层 电镀填充 薄膜沉积
在线阅读 下载PDF
基于倾斜旋转方法磁控溅射制备TSV阻挡层
5
作者 申菊 卢林红 +4 位作者 杜承钢 冉景杨 闵睿 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期726-731,共6页
硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在... 硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在TSV侧壁,使得TSV侧壁都能被溅射到,更有利于制备连续和均匀的阻挡层。使用Ti靶进行直流磁控溅射,优化溅射电流和溅射气压,通过扫描电子显微镜(SEM)对TSV侧壁阻挡层的形貌进行表征分析。随着溅射电流和溅射气压的增大,阻挡层的厚度会增加,但是溅射气压的增大使得溅射钛晶粒变得细长,从而导致阻挡层的均匀性和致密性变差。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 阻挡层 磁控溅射 溅射电流 溅射气压
在线阅读 下载PDF
基于TSV技术的Ka频段硅基天线设计
6
作者 贺鹏超 陈建忠 +2 位作者 王逸琳 边明明 张珂 《火控雷达技术》 2024年第2期84-89,共6页
TSV(Through-Silicon Via硅通孔)技术是现代集成电路设计的新型工艺。基于此工艺,针对射频通信系统小型化、高集成度的要求分别设计了工作于Ka频段的硅基多端口天线和单端口集成天线。整体结构采用CPW(Co-Planar Waveguide共面波导)和TS... TSV(Through-Silicon Via硅通孔)技术是现代集成电路设计的新型工艺。基于此工艺,针对射频通信系统小型化、高集成度的要求分别设计了工作于Ka频段的硅基多端口天线和单端口集成天线。整体结构采用CPW(Co-Planar Waveguide共面波导)和TSV结合的方式实现了对天线的馈电。在此基础上,分别设计了中心频率为35GHz的2X2四端口天线阵和中心频率为35.5GHz的单端口集成天线。仿真结果表明,天线阵列的相对带宽分别为2.88%和6.56%,增益约为4.57dBi和4.06dBi。 展开更多
关键词 tsv工艺 硅基天线 KA频段
在线阅读 下载PDF
TSV电镀过程中Cu生长机理的数值模拟研究进展 被引量：1
7
作者 许增光 李哲 +1 位作者 钟诚 刘志权 《电子与封装》 2024年第6期34-41,共8页
近年来,电子信息行业的快速发展推动了封装技术的进步,对小型化、轻薄化、高性能和多功能化的电子设备提出了更高要求。硅通孔(TSV)技术是一种重要的先进封装技术,电沉积铜是其关键步骤之一。综述了TSV电镀过程中Cu生长的机理及数值模... 近年来,电子信息行业的快速发展推动了封装技术的进步,对小型化、轻薄化、高性能和多功能化的电子设备提出了更高要求。硅通孔(TSV)技术是一种重要的先进封装技术,电沉积铜是其关键步骤之一。综述了TSV电镀过程中Cu生长的机理及数值模拟研究进展。TSV的深孔特性导致Cu生长过程中电流密度分布不均匀,从而产生不同的生长模式。有机添加剂在调节电流密度和防止缺陷填充方面发挥了关键作用。随着计算机技术的发展,数值模拟成为研究TSV电镀铜的重要手段,可降低实验成本,优化工艺参数。对TSV电镀铜的数值模拟发展进行了展望,强调了耦合影响因素的综合模拟是未来研究的重点。 展开更多
关键词 三维封装 tsv 电镀铜 数值模拟
在线阅读 下载PDF
2.5D TSV转接板无损检测方法的研究
8
作者 张旋 李海娟 +1 位作者 吴道伟 张雷 《电子与封装》 2024年第6期12-17,共6页
利用以硅通孔(TSV)为核心技术的硅转接板封装3D集成电路,可以有效缩短器件的互连长度。TSV转接板在微电子领域被广泛应用,但对其工艺制备过程中的检测技术研究相对较少。TSV转接板的检测对评估其良率与应用可靠性至关重要。因此,总结了... 利用以硅通孔(TSV)为核心技术的硅转接板封装3D集成电路,可以有效缩短器件的互连长度。TSV转接板在微电子领域被广泛应用,但对其工艺制备过程中的检测技术研究相对较少。TSV转接板的检测对评估其良率与应用可靠性至关重要。因此,总结了7种非破坏性检测技术,探讨了无损检测技术的基本原理和优缺点,形成了1种系统的2.5D TSV转接板无损检测的评价方法。该方法不仅为2.5D微模组产品的研制与开发提供了支撑,还满足了3D封装的典型应用需求。 展开更多
关键词 封装技术 tsv转接板 无损检测
在线阅读 下载PDF
TSV结构热机械可靠性研究综述 被引量：23
9
作者 秦飞 王珺 +3 位作者 万里兮 于大全 曹立强 朱文辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期825-831,共7页
硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高... 硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。 展开更多
关键词 硅通孔 可靠性 热失配 应力 界面完整性
在线阅读 下载PDF
应用于MEMS封装的TSV工艺研究 被引量：11
10
作者 王宇哲 汪学方 +5 位作者 徐明海 吕植成 徐春林 胡畅 王志勇 刘胜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期62-67,共6页
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 ... 开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 微机电系统(MEMS)封装 Bosch工艺 刻蚀 电镀
在线阅读 下载PDF
TSV三维集成的缺陷检测技术 被引量：8
11
作者 陈鹏飞 宿磊 +2 位作者 独莉 廖广兰 史铁林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期63-69,共7页
硅通孔(TSV)三维集成以其集成密度大、互连延时短以及潜在经济效益高等优势迅速成为了研究热点,三维集成的缺陷检测技术对于优化制造工艺、降低生产成本以及提高器件可靠性等方面均具有十分重要的意义。总结了TSV三维集成缺陷检测面临... 硅通孔(TSV)三维集成以其集成密度大、互连延时短以及潜在经济效益高等优势迅速成为了研究热点,三维集成的缺陷检测技术对于优化制造工艺、降低生产成本以及提高器件可靠性等方面均具有十分重要的意义。总结了TSV三维集成缺陷检测面临的巨大挑战,详细介绍了四类缺陷检测方法,包括电学检测方法、光学检测方法、声学检测方法以及X射线检测方法,讨论了这些方法应用于三维集成缺陷检测的原理、特性、不足以及需要解决的关键问题。未来三维集成缺陷将愈加复杂,需要不断加强缺陷的生成和演变机理研究,丰富缺陷检测方法,并持续改善各类方法的检测精度、稳定性以及检测效率。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 三维(3D)集成 缺陷检测 电学检测 光学检测 声学检测 X射线检测
在线阅读 下载PDF
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺 被引量：5
12
作者 蔡婷 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 牛新环 陈蕊 高娇娇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第11期735-738,742,共5页
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中... 穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨料、活性剂、氧化剂和螯合剂的体积分数分别为50%,1.5%,0.5%和5%,抛头转速和转盘转速分别为105和100 r/min、抛光液流量为225 mL/min和工作压力为4 psi(1 psi=6 895 Pa)时,铜去除速率高达1.5μm/min。 展开更多
关键词 穿透硅通孔(tsv) 化学机械平坦化(CMP) 单因素 高去除速率 抛光液
在线阅读 下载PDF
用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法 被引量：4
13
作者 袁娇娇 吕植成 +4 位作者 汪学方 师帅 吕亚平 张学斌 方靖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期118-123,128,共7页
提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反... 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。 展开更多
关键词 3D集成 硅通孔(tsv) 减薄 深反应离子刻蚀(DRIE) 湿法腐蚀 电镀
在线阅读 下载PDF
含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术 被引量：4
14
作者 吕亚平 刘孝刚 +1 位作者 陈明祥 刘胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期64-70,共7页
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度... 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。 展开更多
关键词 三维封装 硅通孔(tsv) CU Sn低温键合 多层堆叠 系统封装
在线阅读 下载PDF
TSV阻挡层碱性抛光液对Ti/Cu去除速率的影响 被引量：3
15
作者 马锁辉 王胜利 +2 位作者 刘玉岭 王辰伟 杨琰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第10期667-670,共4页
在硅通孔(through silicon via,TSV)的铜互连技术中,对于阻挡层的抛光,Ti和Cu去除速率非常重要。实验中采用的阻挡层材料为Ti,主要研究了pH值和氧化剂(H2O2)对Ti和Cu去除速率的影响。得到的实验结果表明pH值为10时,Ti的去除速率较高,Cu... 在硅通孔(through silicon via,TSV)的铜互连技术中,对于阻挡层的抛光,Ti和Cu去除速率非常重要。实验中采用的阻挡层材料为Ti,主要研究了pH值和氧化剂(H2O2)对Ti和Cu去除速率的影响。得到的实验结果表明pH值为10时,Ti的去除速率较高,Cu的去除速率很低;加入体积分数30%的氧化剂时,Ti的去除速率最高,Cu的去除速率较低。在pH值为10、加入氧化剂的体积分数为30%的条件下,对TSV阻挡层的修正能力为100～130 nm/min。可知,pH值和氧化剂对Ti/Cu的化学机械抛光(CMP)有很大的影响。 展开更多
关键词 硅通孔（tsv） 化学机械抛光（CMP） 阻挡层 去除速率 pH值 氧化剂
在线阅读 下载PDF
TSV结构的几种SPICE模型仿真 被引量：4
16
作者 庞诚 王志 于大全 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期770-775,共6页
硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同... 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行S参数仿真,作为比较,建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法计算得到S参数。仿真结果表明,TSV结构主体主导了整个TSV结构的电性能,当信号频率在10 GHz以下时,由各个SPICE模型仿真得到的S参数和由有限元方法计算所得结果差别较小。对SPICE模型中的TSV与硅衬底间电容C TSV不同的处理方式对仿真结果影响明显。 展开更多
关键词 硅通孔（tsv） SPICE模型 全波模型 有限元方法 S参数
在线阅读 下载PDF
氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理 被引量：3
17
作者 张燕 刘玉岭 +2 位作者 王辰伟 闫辰奇 邓海文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第11期737-740,共4页
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再... 为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。 展开更多
关键词 去除速率 硅通孔化学机械抛光(tsv CMP) 开路电位 静态腐蚀电位 钝化作用 氧化剂
在线阅读 下载PDF
TSV封装通孔形态参数对焊点热疲劳寿命的影响 被引量：2
18
作者 张翼 薛齐文 刘旭东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期684-691,共8页
使用ANSYS有限元软件建立简化的基于硅通孔技术互连的二维结构模型,用粘塑性本构Anand方程来描述Sn Pb钎料焊点的力学行为,针对模型中的焊球进行热力耦合计算,研究热循环过程中的热失效问题。根据模拟的温度场、应力应变场找到危险焊点... 使用ANSYS有限元软件建立简化的基于硅通孔技术互连的二维结构模型,用粘塑性本构Anand方程来描述Sn Pb钎料焊点的力学行为,针对模型中的焊球进行热力耦合计算,研究热循环过程中的热失效问题。根据模拟的温度场、应力应变场找到危险焊点位置,利用修正Coffin-Manson经验方程估算危险焊点的热疲劳寿命,并且讨论了模型中通孔直径、深度和间距等参数对焊点热疲劳寿命的影响。结果表明,在只改变单一参数的情况下,焊点疲劳失效周期通孔各参量值的增加均呈现出下降的趋势,其中通孔直径和通孔间距的大小对焊点的使用寿命影响较大。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 通孔参数 热疲劳寿命 焊点 热失效
在线阅读 下载PDF
基于混合极限学习机的TSV缺陷检测技术 被引量：2
19
作者 陈寿宏 康怀强 +1 位作者 侯杏娜 尚玉玲 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第7期557-563,共7页
随着三维集成技术的飞速发展,硅通孔(TSV)缺陷的检测问题不容忽视。提出了一种新型无损TSV缺陷检测方法,该方法采用混合极限学习机模型对TSV缺陷的S参数进行训练分类,用来预测TSV发生空洞缺陷的大小及高度、发生针孔缺陷的大小及高度及... 随着三维集成技术的飞速发展,硅通孔(TSV)缺陷的检测问题不容忽视。提出了一种新型无损TSV缺陷检测方法,该方法采用混合极限学习机模型对TSV缺陷的S参数进行训练分类,用来预测TSV发生空洞缺陷的大小及高度、发生针孔缺陷的大小及高度及发生微衬底未对齐缺陷的偏移量。仿真结果表明,所提出的方法在TSV缺陷检测过程中可以避免对被测样品的损坏,且与原极限学习机相比,其缺陷定位准确率提高了11.51%,达到94.61%。基于混合极限学习机的TSV缺陷检测方法,既可以对不同类型的TSV缺陷进行分类,也能针对具体缺陷类型进行定位。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv)缺陷检测 机器学习 S参数 极限学习机(ELM) 粒子群优化(PSO)算法
在线阅读 下载PDF
TSV硅衬底CMP后表面微粗糙度分析与优化 被引量：1
20
作者 杨昊鹍 刘玉岭 +2 位作者 王辰伟 孙鸣 张宏远 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期523-527,共5页
为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析。采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验。实验结果表明,... 为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析。采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验。实验结果表明,抛光液组分中活性剂体积分数对CMP过程中硅衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著。优化抛光液组分配比条件下,CMP后硅衬底表面微粗糙度可有效降到0.272 nm(10μm×10μm),去除速率仍可达到0.538μm/min。将优化后的抛光液与生产线上普遍采用的某国际商用抛光液进行对比,在抛光速率基本一致的条件下,粗糙度有效降低50%。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 抛光液 活性剂 抛光速率 表面粗糙度
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 13 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部