基于斜率阈值法的滑坡预报分析 被引量：8

1

作者 陈志强 王亮清 刘顺昌 《人民长江》 北大核心 2010年第10期38-41,44,共5页

对降雨型滑坡稳定性分析,在传统阈值预报的基础上提出了运用降雨量斜率的阈值预报方法。在分析历史单日降雨量和滑坡变形的基础上,先采用斜率单变点法求得滑坡处于临滑阶段以前的"类破坏点",综合分析各个"类破坏点"... 对降雨型滑坡稳定性分析,在传统阈值预报的基础上提出了运用降雨量斜率的阈值预报方法。在分析历史单日降雨量和滑坡变形的基础上,先采用斜率单变点法求得滑坡处于临滑阶段以前的"类破坏点",综合分析各个"类破坏点"前期累积降雨量,得到降雨量斜率阈值,在滑坡临滑阶段应用降雨量斜率阈值进行判断。以温泉村滑坡体A区为例,计算表明:运用斜率阈值预测滑坡的精度较高。 展开更多

关键词 降雨 斜率单变点 斜率阈值 滑坡预报

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基于改进型斜率阈值法的滑坡降雨阈值分析 被引量：2

2

作者 黄耕 黄晓虎 +1 位作者 易武 周迎 《三峡大学学报（自然科学版）》 CAS 2021年第4期31-36,共6页

深入研究滑坡变形前的降雨量阈值,对后期滑坡的变形预测具有重大意义.本文在传统降雨斜率阈值预报的基础上,引入有效降雨量求斜率阈值,利用数学问题中求拐点思想,得出滑坡的"类破坏点",对比"类破坏点"在不同观测时... 深入研究滑坡变形前的降雨量阈值,对后期滑坡的变形预测具有重大意义.本文在传统降雨斜率阈值预报的基础上,引入有效降雨量求斜率阈值,利用数学问题中求拐点思想,得出滑坡的"类破坏点",对比"类破坏点"在不同观测时段下平均累积有效降雨量斜率Dk,通过加权平均得出"类破坏点"的降雨斜率阈值D,并对滑坡后期变形进行预测验证,结果表明:通过斜率单变点确定累积位移的"类破坏点"为t1=57、t2=63、t3=81,计算观测时段n=6、时间间隔d=1下3个"类破坏点"的平均累积有效降雨量斜率Dk,后加权平均求出滑坡降雨斜率阈值D=10.83,同时对后40期降雨量监测数据进行验证,验证效果良好.为钥匙湾滑坡后期专业监测提供参考:当降雨量斜率大于降雨斜率阈值10.83时,滑坡可能发生失稳破坏. 展开更多

关键词 降雨型滑坡 有效降雨量 降雨斜率阈值 阈值预测

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对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型 被引量：1

3

作者 辛艳辉 袁合才 辛洋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2768-2772,共5页

基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流... 基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫Si Ge层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响,并对亚阈值性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好. 展开更多

关键词 亚阈值电流 亚阈值斜率 三材料双栅 应变硅

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OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计 被引量：1

4

作者 高珊 孟坚 +1 位作者 陈军宁 柯导明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第7期242-245,249,共5页

对一种新型半绝缘SOIMOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道中存在复杂的二维势场分布,OISD MOSFET阈值电压,亚阈值斜率及短沟道效应均受到硅窗口尺寸的调制.给出了... 对一种新型半绝缘SOIMOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道中存在复杂的二维势场分布,OISD MOSFET阈值电压,亚阈值斜率及短沟道效应均受到硅窗口尺寸的调制.给出了一个基于数值仿真的OISD MOSFET阈值电压简单模型,该模型可指导器件结构设计,并通过MEDICI二维数值仿真进行验证.最后,对OISD MOSFET亚阈值斜率、短沟道阈值电压偏移以及DIBL因子等重要电学参量进行详细的研究. 展开更多

关键词 OISD MOSFET 阈值电压 亚阈值斜率 短沟道效应 DIBL效应

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具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）

5

作者 刘强 蔡剑辉 +7 位作者 何佳铸 王翼泽 张栋梁 刘畅 任伟 俞文杰 刘新科 赵清太 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页

在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景. 展开更多

关键词 MoS2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质 界面态密度

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基于线阵CCD的纱线核直径提取算法 被引量：5

6

作者 周国庆 吴锡 +1 位作者 袁汝旺 蒋秀明 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期35-39,共5页

针对纱线直径测量过程中核直径提取算法的不足,提出了基于线阵CCD测量系统的纱线核直径提取的斜率阈值算法,分析了斜率阈值大小和拟合点数对算法准确性和快速性的影响,并且建立了适用于纱线在线测量斜率阈值算法中的最佳拟合模型.仿真... 针对纱线直径测量过程中核直径提取算法的不足,提出了基于线阵CCD测量系统的纱线核直径提取的斜率阈值算法,分析了斜率阈值大小和拟合点数对算法准确性和快速性的影响,并且建立了适用于纱线在线测量斜率阈值算法中的最佳拟合模型.仿真及实验结果表明:拟合点数n=3、拟合组不同点数s=3、斜率阈值K_T=45时得到的纱线平均直径与理论直径较为接近,得到的纱线变异系数与乌斯特公报基本吻合.该提取算法适用于纱线在线检测,为以后纱线质量在线检测提供了新的思路. 展开更多

关键词 纱线核直径 线阵CCD 灰度值 斜率阈值

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自动聚焦系统研究 被引量：1

7

作者 李丽宏 张明路 +1 位作者 张建华 魏智 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2011年第6期53-57,共5页

为了准确地确定聚焦平面位置,对自动聚焦技术中聚焦区域选择、聚焦评价函数的确定和搜索策略等关键部分进行了研究.针对聚焦区域,以一阶矩值为聚焦窗口中心,由具体处理的图像分辨率与图像内容决定聚焦区域范围;针对简单图片序列与复杂... 为了准确地确定聚焦平面位置,对自动聚焦技术中聚焦区域选择、聚焦评价函数的确定和搜索策略等关键部分进行了研究.针对聚焦区域,以一阶矩值为聚焦窗口中心,由具体处理的图像分辨率与图像内容决定聚焦区域范围;针对简单图片序列与复杂图片序列,对各种聚焦评价函数进行了仿真与验证;提出了一种改进的爬山法,充分利用聚焦评价函数指标陡峭区宽度与局部极值因子,同时设置两个搜索斜率阈值,为自适应修正搜索步长奠定了较好的基础.结果表明:Laplace聚焦评价函数与SML聚焦评价函数各方面性能优于其他聚焦函数;本文提出的搜索方法可以准确地搜索到焦平面的位置,可为后续基于图像分析操作的工业化与自动化奠定良好的基础. 展开更多

关键词 自动聚焦系统 聚焦策略 聚焦评价函数 斜率阈值 陡峭区宽度 局部极值因子

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基于STM32的便携式家用心电检测仪的设计 被引量：9

8

作者 陈颖昭 高跃明 +3 位作者 甘振华 李仁贵 李秀翔 杜民 《电子技术应用》 北大核心 2013年第9期18-20,共3页

设计了一种基于STM32的便携式家用心电检测仪。心电电极采集体表单导联心电信号,经预处理电路对心电信号进行放大、滤波和电平抬升后,送至STM32中进行模/数转换和数字处理,在液晶屏上实时显示心电波形、心率和分析结果。实验表明,该心... 设计了一种基于STM32的便携式家用心电检测仪。心电电极采集体表单导联心电信号,经预处理电路对心电信号进行放大、滤波和电平抬升后,送至STM32中进行模/数转换和数字处理,在液晶屏上实时显示心电波形、心率和分析结果。实验表明,该心电仪能有效提取心电信号的特征点,准确测得心率,分析出4种常见心率失常症状,并可测得HRV的时域参数。 展开更多

关键词 STM32 动态差分-斜率阈值 心律失常分析 HRV时域分析

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凸凹不平道路几何参数识别和模型重构方法研究

9

作者 伍文广 田双岳 +2 位作者 张志勇 金斌 邱增华 《汽车工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期273-284,323,共13页

自动驾驶汽车的凸凹不平道路和异常路面行驶,不仅要考虑道路曲率等因素,还需要对路面凸起、凹坑等特征和病害进行识别建模,提高车辆通过性、安全性和舒适性。为此,本文提出了一种基于激光雷达的凸凹不平道路几何参数识别和模型重构方法... 自动驾驶汽车的凸凹不平道路和异常路面行驶,不仅要考虑道路曲率等因素,还需要对路面凸起、凹坑等特征和病害进行识别建模,提高车辆通过性、安全性和舒适性。为此,本文提出了一种基于激光雷达的凸凹不平道路几何参数识别和模型重构方法。首先,将局部加权散点平滑方法(Lowess)首次应用于激光雷达点云处理,提高了激光雷达点云数据的平滑性;其次,提出了基于斜率阈值分割的路面几何参数识别方法,通过设置斜率阈值对道路凸起与凹坑进行识别提取;再次,通过识别特征点云边界构建了带约束的分段多项式函数路面连续典型特征拟合数学模型。最后,通过建立的室内路面典型特征沙盘模型及路面实测数据,应用本文提出的方法,对凸凹不平道路的凹坑和凸起等特征进行了识别和模型重构。结果表明,分段多项式拟合方法在拟合次数5~6次时达到拟合效果极限位置,此时各个场景中92%的数据点拟合均方根误差在0~0.015 m范围内,本文提出的方法能准确完成凸凹不平道路几何参数识别,实现路面典型特征三维数学模型重构。 展开更多

关键词 凸凹不平道路 模型重构 分段多项式拟合 斜率阈值 激光雷达

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气测录井谱峰识别算法的改进 被引量：1

10

作者 冯琦 赵电波 刘光宇 《录井工程》 2011年第4期28-31,81,共4页

对气测录井色谱仪常用的谱峰识别算法进行分析,针对其不足之处,从谱峰信号的滤波算法、斜率、斜率阈值设置3个方面提出了改进意见和利用综合滤波算法、斜率分组法、动态斜率阈值谱峰识别算法的改进方案,将该算法应用于上海科油新型色谱... 对气测录井色谱仪常用的谱峰识别算法进行分析,针对其不足之处,从谱峰信号的滤波算法、斜率、斜率阈值设置3个方面提出了改进意见和利用综合滤波算法、斜率分组法、动态斜率阈值谱峰识别算法的改进方案,将该算法应用于上海科油新型色谱仪CPS-GAS的研制中,取得了良好的效果,在提高录井快速色谱仪的谱峰识别率、减少谱峰误判率及简化谱峰识别算法等方面具有一定的借鉴意义。 展开更多

关键词 色谱 录井 谱峰识别 算法 斜率阈值 斜率分组

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一种感应PN结隧穿场效应晶体管

11

作者 张雪锋 王国军 +1 位作者 顾春德 郭兴龙 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期429-432 501,501,共5页

提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性以及动态特性。结果表明,这种结构的TFET具有低的亚阈值斜率(51mV/dec.)、高的开态电流(5.88μA/μm)、... 提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性以及动态特性。结果表明,这种结构的TFET具有低的亚阈值斜率(51mV/dec.)、高的开态电流(5.88μA/μm)、高的开/关态电流比(ION/IOFF为107)以及低至9ps的本征延迟时间,表明利用该结构的TFET器件有望构成高速低功耗逻辑单元。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管 带带隧穿 亚阈值斜率

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一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管 被引量：2

12

作者 骆东旭 李尊朝 +2 位作者 关云鹤 张也非 孟庆之 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期68-72,123,共6页

针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态... 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10^(-13) A,开关电流比高达10^(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。 展开更多

关键词 隧穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 隧穿势垒

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无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源 被引量：1

13

作者 管佳伟 吴虹 孙伟锋 《电子设计工程》 2010年第3期84-86,共3页

结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5pp... 结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5ppm／℃。在室温时，整个电路能在低到0．9V的电源电压下工作并消耗0．68μW的功耗。 展开更多

关键词 基准电压源 温度补偿 亚阈值区 载流子迁移率 亚阈值斜率

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浮栅器件栅耦合系数修正的探讨

14

作者 刘晶 黄其煜 詹奕鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期761-764,共4页

提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正。对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差。提出了一种对亚... 提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正。对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差。提出了一种对亚阈值斜率法提取浮栅器件栅耦合系数的修正方法,结合了DIBL/SIBL效应因子,基于亚阈值斜率之比来较简单地实现更精确的近似,得到的栅耦合系数与设计值吻合较好,误差在2%以内,表明此修正法是合理且精确的。 展开更多

关键词 浮栅 栅耦合 亚阈值斜率

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杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响

15

作者 蔡剑辉 陈治西 +5 位作者 刘晨鹤 张栋梁 刘强 俞文杰 刘新科 马忠权 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第6期1367-1371,共5页

为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和... 为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。 展开更多

关键词 MoS2背栅场效应晶体管 杂质吸附 不同的扫描条件 回滞窗口 亚阈值斜率

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复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究

16

作者 王栋 周爱榕 高珊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期10-15,51,共7页

通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通... 通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。 展开更多

关键词 复合型栅氧化层 复合型栅氧化层薄膜双栅金属氧化物半导体场效应晶体管 介电常数 阈值电压 电流模型 亚阈值斜率 短沟道效应

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一种沟槽型功率器件漏电的研究 被引量：2

17

作者 刘宪周 《集成电路应用》 2016年第10期32-36,共5页

随着环保意识以及节能需求的不断增加,功率器件的市场越来越大,沟槽型功率器件由于可以在有效的面积上形成较低的导通电阻,得到了广泛的应用。在良率测试中,漏电作为一个重要的参数,具有很多种可能的失效机制。研究一种经常出现于正方... 随着环保意识以及节能需求的不断增加,功率器件的市场越来越大,沟槽型功率器件由于可以在有效的面积上形成较低的导通电阻,得到了广泛的应用。在良率测试中,漏电作为一个重要的参数,具有很多种可能的失效机制。研究一种经常出现于正方形元胞结构中、击穿电压正常但漏电却很高的特殊现象,给出"双MOS管"的漏电模型,立体结构中的侧棱部分决定了漏电的大小。通过模拟及实际流片,使用比较简单的调整阱注入的方式,验证模型的正确性,在维持击穿电压等参数不变的情况下,正方形元胞的漏电得到了极大的降低,获得了同条状型元胞同样的器件性能。虽以正方形元胞为例做了研究,但其理论模型和解决方案同样适用于其他具有多个侧面和侧棱的元胞结构,如六边形等。 展开更多

关键词 沟槽功率器件 漏电 亚阈值斜率 击穿电压 双MOS管

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