S波段数控衰减器芯片设计与实现

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摘要采用0.5μm Ga As PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz^3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗<0.7d B,最大衰减量5.6d B,衰减步进0.8d B,衰减平坦度≤0.1d B,衰减精度±0.2d B,全态输入/输出电压驻波比系数<1.25,全态衰减附加相移在-3°~2°之间,芯片面积1.04mm×1.2mm。

作者姚万仞

机构地区中国人民解放军

出处《电子制作》 2015年第12X期6-7,共2页 Practical Electronics

关键词数控衰减器芯片 GA As PHEMT 微波单片集成电路

分类号 TN715 [电子电信—电路与系统] TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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